Магазин
Біполярний транзистор MD1802FX ( 1802FX , ST1802FX )
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vces | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 9 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 10 А постійний (Icm 15 А, tp < 5 мс) |
| Потужність Ptot | 57 Вт (Tc = 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,5 В макс. (Ic = 5 А, Ib = 1,25 А) |
| Час спаду tf | 0,2 мкс (Ic = 4 А, індуктивне навантаження) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Корпус | ISOWATT218FX |
Мікросхема CS8673E , so-16
В наявності
128,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | CS8673E |
| Виробник | Shenzhenshi Yongfukang Technology |
| Тип | стерео підсилювач звуку класу D |
| Корпус | SO-16 |
| Кількість виводів | 16 шт |
| Напруга живлення | 5–26 В |
| Вихідна потужність | 2×33 Вт (8 Ом, 21 В, THD+N 10 %) |
| Моно режим PBTL | 64 Вт (4 Ом, 21 В, THD+N 10 %) |
| Частота перемикання | 300 кГц |
| Сигнал/шум | 102 дБ |
| Захист | струм, коротке замикання, перегрів |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
Демонтаж
IGBT-транзистор GS14C40L ( IRGS14C40L , IRGS14C40LTRLP ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
197,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT запалювання, N-канал, логічний рівень |
| Напруга BVces | 370 (мін.), 400 (тип.), 430 (макс.) В при Rg 1 кОм, Ic 7 А, Vge 0 В |
| Струм колектора Ic | 20 А при Tc 25 °C, Vge 5 В; 14 А при Tc 110 °C |
| Розсіювана потужність Pd | 125 Вт при Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл при Ic 10 А, Vce 12 В, Vge 5 В |
| Вхідна ємність Cies | 550 пФ (Vce 25 В) |
| Стійкість до ESD | 6 кВ при C 100 пФ, R 1,5 кОм |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1,2 °C/Вт |
| Діапазон Tj | -40…175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор G15T60 ( IGP15N60T ) оригінал, TO220
В наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vces | 600 В (Tj 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.5 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 4.9 В (Ic 210 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 87 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 860 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRTT048N08N оригінал ( заміна для 052N80C3 , SFP052N80C3 ) , TO220
В наявності
237,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (Trench) |
| Виробник | CR Micro (China Resources Microelectronics) |
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0, ID 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 181 А (Tc 25 °C, за кремнієм; корпус обмежує до 160 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 115 А (Tc 100 °C, за кремнієм) |
| Rds(on) | 3,6 мОм тип. / 4,8 мОм макс. (VGS 10 В, ID 50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,4–3,6 В, типово 3 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 137 нКл (VGS 10 В, VDS 40 В, ID 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5666 пФ |
| Потужність Ptot | 280 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Сімістор ACST6108 ( ACST610-8T ) оригінал , TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 800 В |
| Струм It(rms) | 6 А при Tc 106 °C |
| Ударний струм Itsm | 45 А, tp = 20 мс, Tj 25 °C |
| Струм керування Igt | 10 мА макс., квадранти I–II–III, Vout = 12 В, RL = 33 Ом, Tj 25 °C |
| Напруга керування Vgt | 1.0 В макс. |
| Спад напруги Vtm | 1.4 В макс., Iout = 2,1 А, tp = 500 мкс, Tj 25 °C |
| Статична dV/dt | 500 В/мкс мін., Tj 125 °C |
| Квадранти | 3Q (I, II, III) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRLR2905Z оригінал ( LR2905Z , AULR2905Z ), D-PAK
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, logic level |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 55 В (мін., VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Rds(on) | 13,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 36 А) |
| Vgs(th) | 1,0–3,0 В |
| Qg | 23 нКл (тип., VGS = 5,0 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1570 пФ |
| Температура переходу і зберігання | від -55 до +175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP15810 ( 15810 ) оригінал, TO220
В наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (STripFET F7) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 110 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,0036 Ом тип. / 0,0042 Ом макс. (VGS 10 В, ID 55 А, Tc 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл (VDD 55 В, ID 90 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 8115 пФ (Vds 55 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Електролітичний конденсатор 100uF 400V 105C ( 100мкФ 400В 105град , 100*400*105гр ) гнучкі виводи 18*32мм
В наявності
84,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 100 мкФ |
| Робоча напруга | 400 В |
| Максимальна температура | 105 °C |
| Розмір (Ø×L) | 18×32 мм |
| Виводи | гнучкі |
Транзистор CSD19505KCS оригінал, TO220
В наявності
214,79 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип каналу | N-канал (NexFET) |
| Напруга Vds | 80 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vgs (макс.) | ±20 В (TA 25 °C) |
| Струм Id (обмеження корпусом) | 150 А (TA 25 °C) |
| Rds(on) | 2,6 мОм тип. / 3,1 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 100 А, TA 25 °C) |
| Qg | 76 нКл (Vgs 10 В, Vds 40 В, Id 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6090 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт |
| Tj | від –55 до 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Діод BYV30B-600P ( BYV30B-600PJ ) оригінал (заміна для RFUH20NS6S , RFUH20 NS6S )(600V,30A), D2PAK
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | діод ультрашвидкий, одиночний |
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 30 А (δ = 0,5, меандр, Tmb ≤ 122 °C) |
| Пряма напруга Vf | 1,55 В макс. (If 30 А, Tj 25 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | 75 нс макс. (If 1 А, Vr 30 В, dIf/dt 50 А/мкс, Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BTS113A оригінал, D2PAK
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Категорія | Польові транзистори |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор STGB19NC60KD GB19NC60KD STGB19NC60KDT4 оригінал , D2PAK(Заміна для STGB19NC60HD , GB19NC60HD )
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга VCES | 600 В |
| Струм IC при 25 °C | 35 А |
| Струм IC при 100 °C | 20 А |
| VCE(sat) | 2.0 В (VGE 15 В, IC 12 А, TC 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF1324S-7P ( F1324S-7P ) оригінал, D2PAK-7Pin
В наявності
394,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал, HEXFET |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Напруга Vds | 24 В |
| Струм Id (обмеження корпусом, Tc 25 °C) | 240 А |
| Струм Id (обмеження кристалом, Tc 25 °C) | 429 А |
| Струм Id (обмеження кристалом, Tc 100 °C) | 303 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 160 А | 0,8 мОм тип. / 1,0 мОм макс. |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 300 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 7700 пФ (Vds 19 В, f 1 МГц) |
| Робоча температура Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL40SC209 оригінал, D2PAK-7Pin
В наявності
310,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал, logic level, HEXFET StrongIRFET |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (обмеження корпусом, Tc 25 °C) | 300 А |
| Струм Id (обмеження кристалом, Tc 25 °C) | 478 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 100 А | 0,6 мОм тип. / 0,8 мОм макс. |
| Rds(on) при VGS 4,5 В, ID 50 А | 0,8 мОм тип. / 1,1 мОм макс. |
| Vgs(th) | 1,0–2,4 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 15270 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Робоча температура Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL40SC228 оригінал, D2PAK-7Pin
В наявності
179,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (за кремнієм) | 557 А (Tc 25 °C, VGS 10 В); 393 А (Tc 100 °C); виводи обмежують до 360 А |
| Rds(on) | 0,50 мОм тип. / 0,65 мОм макс. (VGS 10 В, ID 100 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) при VGS 4,5 В | 0,60 мОм тип. / 0,90 мОм макс. (ID 50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 1,0 мін. / 2,4 макс. В (VDS = VGS, ID 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 205 тип. / 307 макс. нКл (VGS 4,5 В, VDS 20 В, ID 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 19680 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 416 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRJQ80N65F оригінал (заміна для CRJQ80N65GC ) , TO247
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRM (China Resources Microelectronics) |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (TC=25 °C) | 43 А |
| Струм стоку Id (TC=100 °C) | 32.3 А |
| Імпульсний струм стоку | 172 А (TC=25 °C) |
| Опір Rds(on) | 77 мОм (VGS=10 В, ID=21.5 А, тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.3–4.5 В |
| Заряд затвора Qg | 84 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3435 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 470 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | швидкий |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE80TD65BT оригінал, TO247
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power Semiconductor |
| Напруга VCES | 650 В |
| Струм IC при 25 °C | 160 А |
| Струм IC при 100 °C | 80 А |
| Імпульсний струм | 240 А |
| VCE(sat) typ. | 1.7 В при IC 80 А, VGE 15 В, Tj 25 °C |
| VGE(th) typ. | 5.0 В |
| Qg typ. | 331 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 9188 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Pd при 25 °C | 390 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE80TD60BT оригінал, TO247
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power Semiconductor |
| Напруга VCES | 600 В |
| Струм IC при 25 °C | 160 А |
| Струм IC при 100 °C | 80 А |
| Імпульсний струм | 240 А |
| VCE(sat) typ. | 1.7 В при IC 80 А, VGE 15 В, Tj 25 °C |
| VGE(th) typ. | 5.0 В |
| Qg typ. | 331 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 9188 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Pd при 25 °C | 390 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G15T120BNR3S ( CRG15T120BNR3S ) оригінал , TO-3P
В наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга VCES | 1200 В |
| Струм IC при 25 °C | 30 А |
| Струм IC при 100 °C | 15 А |
| Імпульсний струм ICM | 45 А |
| VCE(sat) typ. | 1.95 В при IC 15 А, VGE 15 В |
| VGE(th) typ. | 5.8 В |
| Pd при 25 °C | 156 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1513 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор DXG75N65HS ( DXG75N65HSE ) оригінал, TO247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 90 А |
| Струм Ic при 100 °C | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,4 В (тип.) |
| Вбудований діод | так |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GD18N40LZ ( STGD18N40LZT4 , 18N40LZ ) оригінал, DPAK
В наявності
267,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT з внутрішнім обмеженням напруги |
| Виробник | STMicroelectronics |
| VCES(clamped) типово | 390 В |
| VCE(sat) типово | 1.35 В (VGE 4.5 В, IC 10 А, TC 25 °C) |
| VGE(th) типово | 1.6 В |
| Qg типово | 29 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 490 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| ICP | 40 А |
| ESCIS | 180 мДж |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор V3040S ( ISL9V3040S3S , ISL9V3040S3ST ) оригінал, D2PAK
В наявності
266,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT N-канал, запалювання (EcoSPARK) |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| BVces типово | 420 В |
| Ic при 25 °C | 21 А |
| Ic при 110 °C | 17 А |
| Vce(sat) типово | 1.25 В (Ic 6 А, Vge 4 В, Tc 25 °C) |
| SCIS | 300 мДж |
| Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |