Магазин

Додати в обране

Мікросхема LTA702NT ( LTA702N ), so-16

В наявності

141,00 ₴

На канікулах до 20.11

IR21363S драйвер затворів so-28, фото маркування

Додати в обране

Мікросхема IR21363S оригінал, so-28

В наявності

271,66 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Корпус	SOP-28
Напруга верхнього плеча VS	600 В
Живлення VCC	12–20 В
Канали	3 напівмости
Поріг ITRIP+	0.46 В
Макс. температура переходу	150 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

YGW15N120F1 IGBT TO-247, фото маркування

Додати в обране

IGBT-транзистор YGW15N120F1 оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vce	1200 В
Струм Ic при 25 °C	30 А
Струм Ic при 100 °C	15 А
Vce(sat) типово	1.9 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Tj 25 °C)
Вбудований діод	є, антипаралельний
Розсіювана потужність	260 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Cies	1520 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

CRSS037N10N N-MOSFET D2PAK, фото маркування

Додати в обране

Транзистор CRSS037N10N оригінал, D2PAK

Артикул: 10

В наявності

71,44 ₴

Параметр	Значення
Виробник	CRMICRO
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id	116 А (TC 100 °C, обмеження кристалом)
Опір Rds(on)	3.0 мОм тип. / 3.7 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 50 А, корпус TO-263)
Заряд затвора Qg	117 нКл (VGS = 10 В, VDS = 50 В)
Вхідна ємність Ciss	6920 пФ
Порогова напруга Vgs(th)	2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	D2PAK
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

NCE30H10K N-MOSFET D-PAK, фото маркування

Додати в обране

Транзистор NCE30H10K оригінал, D-PAK

В наявності

71,44 ₴

Параметр	Значення
Виробник	NCE
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id	70 А (TC 100 °C)
Опір Rds(on)	4.0 мОм тип. / 5.5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А)
Заряд затвора Qg	70 нКл (VDS = 15 В, ID = 30 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	3400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	1 / 1.6 / 3 В (мін. / тип. / макс.)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор NCE30H10 оригінал, TO220

В наявності

71,44 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	100 А (за заголовком таблиці TA 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	70 А (TC 100 °C)
Опір Rds(on)	4.0 мОм тип. / 5.5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А)
Заряд затвора Qg	70 нКл (VDS = 15 В, ID = 30 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	3300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	1 / 1.6 / 3 В (мін. / тип. / макс.)
Потужність розсіювання Pd	110 Вт (за заголовком таблиці TA 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Корпус	TO-220
Тип каналу	N-канал
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

HY1001P HY1001 MOSFET TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор HY1001P ( HY1001 ) оригінал,TO220

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	70 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	80 А (TC 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	56.5 А (TC 100 °C)
Опір Rds(on)	7.2 мОм тип. / 8.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 40 А)
Заряд затвора Qg	79 нКл (VDS = 56 В, VGS = 10 В, IDS = 20 А)
Вхідна ємність Ciss	4170 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.)
Потужність розсіювання Pd	115 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Корпус	TO-220
Тип каналу	N-канал
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

IGBT-транзистор NCE20TD60B оригінал, TO220

В наявності

61,10 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vces	600 В
Струм Ic (Tc 25 °C)	40 А
Струм Ic (Tc 100 °C)	20 А
Vce(sat) typ (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)	1.7 В
Qg typ (Vcc 480 В, Ic 20 А, Vge 15 В)	97 нКл
Вхідна ємність Cies	2580 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода typ (If 20 А)	1.45 В
trr діода	182 нс
Потужність Pd (Tc 25 °C)	135 Вт
Макс. температура Tj	150 °C
Вбудований діод	є
Корпус	TO-220
Виробник	Wuxi NCE Power
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

40X60 транзистор TO-247, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 40X60 , TO247

В наявності

305,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	IGBT-транзистор
Напруга Vces	600 В
Струм Ic при 25 °C	80 А
Струм Ic при 100 °C	40 А
Напруга насичення Vce(sat)	1,9 В (тип.)
Вбудований діод	так
Корпус	TO-247

На канікулах до 20.11

75344G HUF75344G MOSFET TO-247, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор 75344G ( HUF75344G ) оригінал демонтаж, TO247

В наявності

169,20 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id	75 А (TC 25 °C, VGS = 10 В)
Опір Rds(on)	6.5 мОм тип. / 8.0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 75 А)
Заряд затвора Qg(tot)	175 нКл тип. / 210 нКл макс. (VGS 0–20 В, VDD = 30 В, ID = 75 А)
Вхідна ємність Ciss	3200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2–4 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА)
Потужність розсіювання Pd	285 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Корпус	TO-247
Тип каналу	N-канал
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

G025N06 MOSFET N-канал TO220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор G025N06 ( HYG025N06 , HYG025N06LS1P , G025N06P ) оригінал, TO220

В наявності

50,29 ₴

Параметр	Значення
Виробник	HUAYI
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	60 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА)
Струм Id при 25 °C	160 А (Tc=25 °C)
Струм Id при 100 °C	113 А (Tc=100 °C)
Rds(on) при 10 В	2.5 мОм тип., 3.2 мОм макс. (VGS=10 В, IDS=40 А)
Rds(on) при 4.5 В	3.7 мОм тип., 4.5 мОм макс. (VGS=4.5 В, IDS=40 А)
Vgs(th)	1.0–3.0 В, тип. 2.1 В (VDS=VGS, IDS=250 мкА)
Заряд затвора Qg	58.3 нКл тип. (VDS=48 В, VGS=10 В, ID=40 А)
Вхідна ємність Ciss	3915 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	125 Вт (Tc=25 °C)
Tj макс.	175 °C
Корпус	TO-220FB-3L
Вбудований діод	є (Vsd макс. 1.3 В, trr тип. 41.1 нс)
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

NCE8295AK MOSFET N-канал D-PAK, фото маркування

Додати в обране

Транзистор NCE8295AK ( NCE8295 )(заміна для 80N07 , 6888K , FM6888K ) оригінал, D-PAK

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	NCE Power
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	82 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм Id при 25 °C	95 А (Tc=25 °C)
Струм Id при 100 °C	67 А (Tc=100 °C)
Rds(on)	6.6 мОм тип., 8.0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А)
Vgs(th)	2–4 В, тип. 2.9 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Заряд затвора Qg	109.3 нКл тип. (VDS=40 В, ID=50 А, VGS=10 В)
Вхідна ємність Ciss	6800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	170 Вт
Tj макс.	175 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Вбудований діод	є (Vsd макс. 1.2 В, trr 37 нс)
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

SVT077R5NT MOSFET N-канал TO220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор SVT077R5NT ( 077R5NT ) , TO220

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Silan Microelectronics
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм Id при 25 °C	95 А (Tc=25 °C)
Струм Id при 100 °C	67 А (Tc=100 °C)
Rds(on)	6.5 мОм тип. (VGS=10 В, ID=35 А)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Потужність Pd	150 Вт (Tc=25 °C)
Вхідна ємність Ciss	4832 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Tj макс.	175 °C
Корпус	TO-220
Вбудований діод	є (Is 95 А)

На канікулах до 20.11

SVT078R0NT MOSFET N-канал TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор SVT078R0NT ( 078R0NT , SVT078RONT , 078RONT ) оригінал, TO220

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Silan Microelectronics
Корпус	TO-220
Напруга Vds	68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм Id (25 °C)	88 А
Струм Id (100 °C)	65 А
Rds(on)	6.0 мОм тип., 8.0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=35 А)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Заряд затвора Qg	74.6 нКл тип. (VDD=54 В, VGS=10 В, ID=40 А)
Вхідна ємність Ciss	3962 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	140 Вт (Tc=25 °C)
Макс. температура переходу	175 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

CS75N75 MOSFET N-канал TO-220AB, фото маркування

Додати в обране

Транзистор CS75N75 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Huajing Microelectronics
Корпус	TO-220
Напруга Vds	75 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм Id (25 °C)	100 А
Струм Id (100 °C)	71 А
Rds(on)	10.2 мОм тип., 11.5 мОм макс. (VGS=10 В, ID=45 А)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Потужність Pd	230 Вт (Tc=25 °C)
Вхідна ємність Ciss	4140 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу	175 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

JCS88N75 MOSFET N-канал TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор JCS88N75 ( JCS88N75I ) оригінал (Заміна для MSN0880K ), TO220

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Jilin Sino-Microelectronics
Корпус	TO-220
Напруга Vds	75 В (ID=250 мкА, VGS=0 В)
Струм Id (25 °C)	80 А
Струм Id (100 °C)	64 А
Rds(on)	7 мОм тип., 9 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А)
Vgs(th)	2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА)
Заряд затвора Qg	72 нКл тип. (VDS=50 В, ID=50 А, VGS=10 В)
Вхідна ємність Ciss	4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	250 Вт (25 °C)
Макс. температура переходу	175 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

EG2132 драйвер напівмоста SOP-8, фото маркування

Додати в обране

Мікросхема EG2132 , so-8

В наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	EG Micro
Корпус	SO-8
Напруга плеча VB	300 В
Напруга живлення VCC	8…20 В
Струм відкриття IO+	1,0 А
Струм закриття IO-	1,5 А
Логічні входи	3,3 / 5 В
Макс. частота	500 кГц
Температура	-45…125 °C (абсолютний максимум)

На канікулах до 20.11

CRST045N10N транзистор TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор CRST045N10N оригінал (заміна для P045N10 , BLP045N10-P ), TO220

В наявності

54,99 ₴

Параметр	Значення
Виробник	CRMICRO (China Resources Microelectronics)
Тип каналу	N
Корпус	TO-220
Напруга Vds	100 В мін. (VGS=0 В, ID=250 мкА; тип. 115 В)
Струм Id (25 °C)	120 А (TC=25 °C, обмеження корпусом; за кремнієм 172 А)
Струм Id (100 °C)	109 А (TC=100 °C, за кремнієм)
Rds(on)	3.6 мОм тип., макс. 4.5 (VGS=10 В, ID=50 А)
Vgs(th)	2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА; тип. 3 В)
Qg	90 нКл тип. (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=20 А)
Вхідна ємність Ciss	6772 пФ
Pd	227 Вт (TC=25 °C)
Tj max	150 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

TOP265VG мікросхема eDIP-12, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Мікросхема TOP265VG демонтаж, eDIP-12

В наявності

91,65 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Power Integrations
Корпус	eDIP-12
Корпус (докладно)	eDIP-12 (V)
Макс. напруга DRAIN	725 В
Піковий струм DRAIN	2,72 А
Частота перетворення	132 кГц (є варіант 66 кГц)
Температура переходу Tj	-40…150 °C
Стан	Демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

LNK6777V мікросхема eDIP-12B (V), фото маркування

Додати в обране

Мікросхема LNK6777V оригінал, DIP-11

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Power Integrations
Макс. напруга DRAIN	725 В (абсолютний максимум)
Частота перетворення	132 кГц (Tj 25 °C, діапазон 120–136 кГц)
Потужність при 230 В AC ±15 %	25 Вт адаптер / 41 Вт відкрита рама
Потужність при 85–265 В AC	19 Вт адаптер / 30 Вт відкрита рама
Температура переходу Tj	-40…150 °C
Корпус	eDIP-12B (V), 12 виводів
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

NGD8201AG IGBT-транзистор DPAK, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор NGD8201AG оригінал демонтаж б/в ( NGD8201 , 8201AG ), DPAK

В наявності

131,60 ₴

Параметр	Значення
Виробник	onsemi
Напруга Vces	440 В (TJ = 25 °C)
Напруга обмеження BVces	370–420 В (IC = 2 мА, TJ = –40…175 °C)
Струм Ic	20 А при TC = 25 °C
VCE(on)	1.3 В (IC = 10 А, VGE ≥ 4.5 В)
Pd	125 Вт при TC = 25 °C
Вхідна ємність Cies	1300 пФ (Vce 25 В, f 10 кГц)
Tj max	175 °C
ESD (HBM)	8.0 кВ
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

DXG60N65HSE IGBT TO-247, фото маркування

Додати в обране

IGBT-транзистор DXG60N65HSE оригінал, TO247

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	IGBT-транзистор
Напруга Vces	650 В
Струм Ic при 25 °C	120 А
Струм Ic при 100 °C	60 А
Імпульсний струм Icm	240 А
Заряд затвора Qg	210 нКл (тип.)
Потужність Pd	416 Вт (TC = 25 °C)
Вбудований діод	так
Розпіновка	1 – G, 2 – C, 3 – E
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

RUH1H150R транзистор TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор RUH1H150R оригінал (заміна для RU1H150R ), TO220

В наявності

250,04 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Shenzhen Ruichips Semiconductor
Тип каналу	N
Корпус	TO-220
Напруга Vds	100 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА)
Струм Id (25 °C)	150 А (TC=25 °C, VGS=10 В; обмеження корпусом 75 А)
Струм Id (100 °C)	106 А (TC=100 °C, VGS=10 В)
Rds(on)	3.2 мОм тип., макс. 4 (VGS=10 В, IDS=75 А)
Vgs(th)	2–4 В (VDS=VGS, IDS=250 мкА)
Qg	87 нКл тип. (VDS=80 В, VGS=10 В, IDS=75 А)
Вхідна ємність Ciss	3650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Pd	200 Вт (TC=25 °C)
Tj max	175 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

H40PR5 IHW40N135R5 IGBT TO-247, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор H40PR5 ( IHW40N135R5 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vce (Tvj 25 °C)	1350 В
Струм Ic (Tc 25 °C)	80 А
Струм Ic (Tc 100 °C)	40 А
Vce(sat) typ (Ic 40 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C)	1.65 В
Vf діода typ (If 40 А, Tvj 25 °C)	1.95 В
Потужність Pd (Tc 25 °C)	394 Вт
Вхідна ємність Cies	2360 пФ
Макс. температура Tvj	175 °C
Вбудований діод	є
Корпус	TO-247
Виробник	Infineon
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Магазин