Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Транзистор SVT077R5NT ( 077R5NT ) , TO220
188,00 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SVT077R5NT (077R5NT) – N-канальний польовий транзистор Silan Microelectronics у корпусі TO220: 68 В, 95 А при Tc=25 °C. Використовується в джерелах безперебійного живлення та інверторних системах.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id при 25 °C | 95 А (Tc=25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 67 А (Tc=100 °C) |
| Rds(on) | 6.5 мОм тип. (VGS=10 В, ID=35 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4832 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Вбудований діод | є (Is 95 А) |
SVT077R5NT (077R5NT) – N-канальний MOSFET виробництва Silan Microelectronics у корпусі TO-220-3L. Напруга стік-витік Vds – 68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА). Струм стоку Id – 95 А при Tc=25 °C і 67 А при Tc=100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 6.5 мОм (тип.) при VGS=10 В, ID=35 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА). Вхідна ємність Ciss типово 4832 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 150 Вт при Tc=25 °C, максимальна температура переходу Tj – 175 °C. У транзистор вбудований діод (Is 95 А).
Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (потрібен N-канал), корпус TO-220 і напругу Vds: вона має бути не нижчою за 68 В. Струм Id і опір Rds(on) порівнюйте при однакових умовах вимірювання. Виробник вказує схожі позначення SVT077R5ND, SVT077R5NS і SVT077R5NKL, але корпуси й параметри в них перевіряйте за документацією. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Джерела безперебійного живлення
- Керування живленням інверторних систем
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| TTP95N68A | канал N = N, Vds 68 ≥ 68, Id(25 °C) 95 ≥ 0.8×95 = 76, Rds(on) при VGS=10 В тип. 6.5 ≤ 1.3×6.5 = 8.45 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Струм, при якому виміряно Rds(on), у документах різний: перевірте за datasheet. | Купити |
| FHP120N08 | канал N = N, Vds 80 ≥ 68, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×95 = 76, Rds(on) при VGS=10 В тип. 6 ≤ 1.3×6.5 = 8.45 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Струм, при якому виміряно Rds(on), у документах різний: перевірте за datasheet. | Купити |
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 68, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×95 = 76, Rds(on) при VGS=10 В тип. 3.5 ≤ 1.3×6.5 = 8.45 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | перевірте за datasheet | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити SVT077R5NT?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 68 В, з близькими Id і Rds(on) при VGS=10 В. У таблиці аналогів – транзистори з нашого каталогу, які підходять за цими параметрами.
Як перевірити SVT077R5NT мультиметром?
У режимі перевірки діодів зніміть напругу між стоком і витоком: вбудований діод має проводити в один бік. Між затвором і двома іншими виводами справний транзистор струму не пропускає.
Чи підходить SVT077R5NT для інверторів і блоків безперебійного живлення?
Виробник називає такі застосування: джерела безперебійного живлення та керування живленням інверторних систем. Перевірте, що Vds 68 В і Id 95 А при Tc=25 °C відповідають вашій схемі.
Який корпус у SVT077R5NT?
Корпус TO-220-3L. Розпіновку звіряйте з документом виробника перед монтажем.
Документація виробника: SVT077R5NT (Silan Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.