Магазин
Демонтаж
Демонтаж
IGBT-транзистор 07096 оригінал демонтаж б/в (заміна для N718AG , N40BG , NGD8201NG , 8201NG , G18N40BG , ISL9V2040D3ST , V2040D , DB48BB , NS3801 , F5025 ), DPAK
В наявності
192,23 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT запалювання |
| Vces | 440 В (Tj 25 °C) |
| BVces типово | 395 В (Ic 2 мА) |
| Струм Ic | 20 А (Tc 25 °C) |
| Vce(on) типово | 1,3 В (Ic 10 А, Vge 4,5 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 10 кГц) |
| Захист затвора | ESD-діод затвор–емітер |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRLR8726 оригінал ( LR8726 ), D-PAK
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В |
| Напруга затвор-витік | ±20 В |
| Rds(on) макс. | 5,8 мОм (VGS = 10 В, ID = 25 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg тип. | 15 нКл (VGS = 4,5 В, ID = 20 А, VDS = 15 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2150 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 1,35–2,35 В (VDS = VGS, ID = 50 мкА) |
| Потужність Pd | 75 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Тип каналу | N-канал, HEXFET, логічний рівень |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Біполярний транзистор BU931P ( BU931ZP , BU931 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Дарлінгтон |
| Напруга Vces | 500 В (Vbe = 0) |
| Напруга Vceo | 400 В (Ib = 0) |
| Струм колектора Ic | 15 А (піковий Icm 30 А) |
| Потужність Ptot | 135 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,6 В макс. (Ic 7 А, Ib 70 мА) |
| hFE | 300 мін. (Ic 5 А, Vce 10 В) |
| Час спаду tf | 0,5 мкс тип. (індуктивне навантаження, Ic 7 А, Ib 70 мА, Vcc 12 В) |
| Вбудований діод | є, Vf 2,5 В макс. (If 10 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IRFP21N60L оригінал демонтаж, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 600 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 21 А (TC=25 °C, VGS=10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 13 А (TC=100 °C, VGS=10 В) |
| Rds(on) | 0.27 Ом тип., макс. 0.32 (VGS=10 В, ID=13 А) |
| Vgs(th) | 3–5 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Qg | 150 нКл макс. (VGS=10 В, ID=21 А, VDS=480 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 330 Вт (TC=25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | надшвидкий |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор AP2761I ( A2761I , A276II , A27611 ) оригінал, TO220F
В наявності
128,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | APEC |
| Корпус | TO-220CFM(I) (TO-220F), ізольований |
| Напруга Vds | 700 В |
| Струм Id (TC 25 °C) | 6 А |
| Струм Id (TC 100 °C) | 3.7 А |
| Rds(on) | 1.3 Ом макс. (VGS=10 В, ID=3 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Qg | 67 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2750 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 37 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Діод | Vsd 1.5 В макс., trr 430 нс тип. |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G023N04 ( HYG023N04 , HYG023N04NR1D ) оригінал (заміна для HYG023N04LS1D )(45V,140A), D-PAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 45 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 140 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 99 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм тип., 2.9 мОм макс. (VGS=10 В, IDS=40 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Qg | 82 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3412 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор RJH65T14 оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Корпус | TO-247A |
| Напруга Vces | 650 В |
| Напруга Vges | 30 В (максимум) |
| Струм Ic | 100 А при Tc = 25 °C; 50 А при Tc = 100 °C |
| Імпульсний струм | 180 А (обмежений областю безпечної роботи) |
| Vce(sat) | 1,45 В (тип.), 1,75 В (макс.) при Ic = 50 А, Vge = 15 В, Tc = 25 °C |
| Vge(off) | 4–7 В при Vce = 10 В, Ic = 1 мА, Tc = 25 °C |
| Потужність Pc | 250 Вт |
| Температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | так, швидкий (fast recovery) |
| Струм діода Idf | 40 А при Tc = 25 °C; 20 А при Tc = 100 °C |
| Vecf діода | 1,2 В (тип.), 1,6 В (макс.) при If = 20 А |
| trr діода | 250 нс при If = 20 А, dIf/dt = 300 А/мкс |
| Заряд затвора Qg | 80 нК при Vge = 15 В, Vce = 300 В, Ic = 50 А |
| Вхідна ємність Cies | 1750 пФ при Vce = 25 В, Vge = 0, f = 1 МГц |
| Eoff | 1,2 мДж (25 °C), 1,45 мДж (150 °C) при Vcc = 400 В, Vge = 15 В, Ic = 50 А, Rg = 10 Ом |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0,6 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G75T60AK3HD оригінал ( CRG75T60AK3HD ), TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Технологія | Field Stop (FS) |
| Напруга Vces | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 150 А |
| Струм Ic при 100 °C | 75 А |
| Vce(sat) типово | 1,7 В (Ic 75 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 390 Вт (Tc 25 °C) |
| Qg | 433 нКл (Vce 480 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 11670 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY1707P ( HY1707 ) оригінал,TO220
В наявності
72,85 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds (BVDSS) | 70 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА) |
| Rds(on) | 6 мОм тип., 7 мОм макс. (VGS=10 В, IDS=40 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS=VGS, IDS=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 88 нКл (VDS=55 В, VGS=10 В, IDS=40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±25 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE8290AC оригінал ( заміна для NCE8290 , NCE8290B ), TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | NCE (Wuxi NCE Power Semiconductor) |
| Напруга Vds | 82 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 90 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 63.6 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 9 мОм тип., 12 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 81.5 нКл (VDS=40 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4414 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 130 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU1H35R оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Shenzhen ruichips Semicon |
| Напруга Vds (BVDSS) | 100 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА) |
| Rds(on) | 21 мОм тип., 25 мОм макс. (VGS=10 В, IDS=16 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS=VGS, IDS=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 44 нКл (VDS=80 В, VGS=10 В, IDS=16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±25 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK4145 ( K4145 ) оригінал, TO220
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Renesas (NEC) |
| Напруга Vdss (Vgs 0 В) | 60 В |
| Струм Id DC (Tc 25 °C) | 84 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 42 А) | 7 мОм (тип.), 10 мОм (макс.) |
| Vgs(th) (Vds 10 В, Id 1 мА) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) |
| Заряд затвора Qg (Vdd 48 В, Vgs 10 В, Id 84 А) | 90 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5300 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Час відновлення діода trr (If 84 А, Vgs 0 В) | 43 нс |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 84 Вт |
| Температура каналу Tch макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6888R ( RU6888 ) оригінал, TO220
В наявності
61,57 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Ruichips |
| Напруга Vdss | 68 В |
| Струм Id (Vgs 10 В, Tc 25 °C) | 88 А |
| Струм Id (Vgs 10 В, Tc 100 °C) | 65 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 40 А) | 6 мОм (тип.), 8 мОм (макс.) |
| Vgs(th) (Vds = Vgs, Ids 250 мкА) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 120 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 2900 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G50T60AK3HD оригінал ( CRG50T60AK3HD ), TO247
В наявності
200,22 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, Ic = 250 мкА) |
| Струм Ic при 25 °C | 100 А |
| Струм Ic при 100 °C | 50 А |
| Vce(sat) типово | 1,8 В (VGE = 15 В, Ic = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Потужність Pd | 500 Вт (Tc = 25 °C) |
| Qg типово | 303 нКл (VCE = 400 В, Ic = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 7719 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | так, антипаралельний |
| Температура переходу Tj | -40…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS1404 ( CS1404A8 ) оригінал, TO220(40V,202A)
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (VDMOS, планарна технологія) |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C, обмежено кремнієм) | 202 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 143 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 81 А) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) |
| Vgs(th) (Vds = Vgs, Id 250 мкА) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg (Vgs 10 В, Vdd 32 В, Id 81 А) | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 271 Вт |
| Температура переходу Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор B06N03 ( MTB06N03J3 , MTB06N03 ) оригінал, D-PAK
В наявності
112,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 50 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 30 А) | 5.3 мОм тип., 6 мОм макс. |
| Опір Rds(on) (Vgs 5 В, Id 24 А) | 7.6 мОм тип., 9.5 мОм макс. |
| Поріг Vgs(th) | 1–3 В |
| Заряд затвора Qg | 53 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4753 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 83 Вт |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | CYStech Electronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG65R360DE оригінал (заміна для TPD65R940C , 65R940C ) , D-PAK
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В при Tj 25 °C |
| Струм Id (25 °C) | 12 А при Tc 25 °C |
| Струм Id (100 °C) | 7,6 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0,30 Ом типово при Vgs 10 В, Id 3 А |
| Qg | 18,7 нКл типово при Vgs 10 В, Vds 400 В, Id 8 А |
| Вхідна ємність Ciss | 901 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц) |
| Vgs(th) | 2,9–3,9 В при Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 83 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор 75G60HD ( FGW75N60HD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Модель | FGW75N60HD |
| Напруга Vces | 600 В (Tc = 25 °C) |
| Струм Ic | 100 А (Tc = 25 °C); 75 А (Tc = 100 °C) |
| Потужність Ptot | 500 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 6150 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | так, антипаралельний (FWD) |
| Температура переходу | -40…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |