Магазин
IGBT-транзистор YGW15N120F1 оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic при 25 °C | 30 А |
| Струм Ic при 100 °C | 15 А |
| Vce(sat) типово | 1.9 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність | 260 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1520 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRSS037N10N оригінал, D2PAK
В наявності
71,44 ₴
Артикул:
10
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 116 А (TC 100 °C, обмеження кристалом) |
| Опір Rds(on) | 3.0 мОм тип. / 3.7 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 50 А, корпус TO-263) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл (VGS = 10 В, VDS = 50 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6920 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE30H10K оригінал, D-PAK
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 70 А (TC 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 4.0 мОм тип. / 5.5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (VDS = 15 В, ID = 30 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1 / 1.6 / 3 В (мін. / тип. / макс.) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE30H10 оригінал, TO220
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 100 А (за заголовком таблиці TA 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 70 А (TC 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 4.0 мОм тип. / 5.5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (VDS = 15 В, ID = 30 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1 / 1.6 / 3 В (мін. / тип. / макс.) |
| Потужність розсіювання Pd | 110 Вт (за заголовком таблиці TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY1001P ( HY1001 ) оригінал,TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 70 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 80 А (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 56.5 А (TC 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 7.2 мОм тип. / 8.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 40 А) |
| Заряд затвора Qg | 79 нКл (VDS = 56 В, VGS = 10 В, IDS = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4170 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.) |
| Потужність розсіювання Pd | 115 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE20TD60B оригінал, TO220
В наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) typ (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1.7 В |
| Qg typ (Vcc 480 В, Ic 20 А, Vge 15 В) | 97 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2580 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода typ (If 20 А) | 1.45 В |
| trr діода | 182 нс |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 135 Вт |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 75344G ( HUF75344G ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
169,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 75 А (TC 25 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) | 6.5 мОм тип. / 8.0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 75 А) |
| Заряд затвора Qg(tot) | 175 нКл тип. / 210 нКл макс. (VGS 0–20 В, VDD = 30 В, ID = 75 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 285 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор G025N06 ( HYG025N06 , HYG025N06LS1P , G025N06P ) оригінал, TO220
В наявності
50,29 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА) |
| Струм Id при 25 °C | 160 А (Tc=25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 113 А (Tc=100 °C) |
| Rds(on) при 10 В | 2.5 мОм тип., 3.2 мОм макс. (VGS=10 В, IDS=40 А) |
| Rds(on) при 4.5 В | 3.7 мОм тип., 4.5 мОм макс. (VGS=4.5 В, IDS=40 А) |
| Vgs(th) | 1.0–3.0 В, тип. 2.1 В (VDS=VGS, IDS=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 58.3 нКл тип. (VDS=48 В, VGS=10 В, ID=40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3915 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc=25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Вбудований діод | є (Vsd макс. 1.3 В, trr тип. 41.1 нс) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE8295AK ( NCE8295 )(заміна для 80N07 , 6888K , FM6888K ) оригінал, D-PAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 82 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id при 25 °C | 95 А (Tc=25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 67 А (Tc=100 °C) |
| Rds(on) | 6.6 мОм тип., 8.0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 2.9 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 109.3 нКл тип. (VDS=40 В, ID=50 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 170 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Вбудований діод | є (Vsd макс. 1.2 В, trr 37 нс) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVT077R5NT ( 077R5NT ) , TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id при 25 °C | 95 А (Tc=25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 67 А (Tc=100 °C) |
| Rds(on) | 6.5 мОм тип. (VGS=10 В, ID=35 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4832 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Вбудований діод | є (Is 95 А) |
Транзистор SVT078R0NT ( 078R0NT , SVT078RONT , 078RONT ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 68 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 88 А |
| Струм Id (100 °C) | 65 А |
| Rds(on) | 6.0 мОм тип., 8.0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=35 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 74.6 нКл тип. (VDD=54 В, VGS=10 В, ID=40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3962 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт (Tc=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS75N75 оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 75 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 100 А |
| Струм Id (100 °C) | 71 А |
| Rds(on) | 10.2 мОм тип., 11.5 мОм макс. (VGS=10 В, ID=45 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4140 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS88N75 ( JCS88N75I ) оригінал (Заміна для MSN0880K ), TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 75 В (ID=250 мкА, VGS=0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 80 А |
| Струм Id (100 °C) | 64 А |
| Rds(on) | 7 мОм тип., 9 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 72 нКл тип. (VDS=50 В, ID=50 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST045N10N оригінал (заміна для P045N10 , BLP045N10-P ), TO220
В наявності
54,99 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO (China Resources Microelectronics) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В мін. (VGS=0 В, ID=250 мкА; тип. 115 В) |
| Струм Id (25 °C) | 120 А (TC=25 °C, обмеження корпусом; за кремнієм 172 А) |
| Струм Id (100 °C) | 109 А (TC=100 °C, за кремнієм) |
| Rds(on) | 3.6 мОм тип., макс. 4.5 (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА; тип. 3 В) |
| Qg | 90 нКл тип. (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6772 пФ |
| Pd | 227 Вт (TC=25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема LNK6777V оригінал, DIP-11
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Макс. напруга DRAIN | 725 В (абсолютний максимум) |
| Частота перетворення | 132 кГц (Tj 25 °C, діапазон 120–136 кГц) |
| Потужність при 230 В AC ±15 % | 25 Вт адаптер / 41 Вт відкрита рама |
| Потужність при 85–265 В AC | 19 Вт адаптер / 30 Вт відкрита рама |
| Температура переходу Tj | -40…150 °C |
| Корпус | eDIP-12B (V), 12 виводів |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор NGD8201AG оригінал демонтаж б/в ( NGD8201 , 8201AG ), DPAK
В наявності
131,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 440 В (TJ = 25 °C) |
| Напруга обмеження BVces | 370–420 В (IC = 2 мА, TJ = –40…175 °C) |
| Струм Ic | 20 А при TC = 25 °C |
| VCE(on) | 1.3 В (IC = 10 А, VGE ≥ 4.5 В) |
| Pd | 125 Вт при TC = 25 °C |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 10 кГц) |
| Tj max | 175 °C |
| ESD (HBM) | 8.0 кВ |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор RUH1H150R оригінал (заміна для RU1H150R ), TO220
В наявності
250,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shenzhen Ruichips Semiconductor |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 150 А (TC=25 °C, VGS=10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 106 А (TC=100 °C, VGS=10 В) |
| Rds(on) | 3.2 мОм тип., макс. 4 (VGS=10 В, IDS=75 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, IDS=250 мкА) |
| Qg | 87 нКл тип. (VDS=80 В, VGS=10 В, IDS=75 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Pd | 200 Вт (TC=25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор H40PR5 ( IHW40N135R5 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce (Tvj 25 °C) | 1350 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) typ (Ic 40 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C) | 1.65 В |
| Vf діода typ (If 40 А, Tvj 25 °C) | 1.95 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 394 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2360 пФ |
| Макс. температура Tvj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |