Магазин
PTP04N04N оригінальний транзистор (заміна для FTP04N04N ) , TO220
В наявності
237,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | PIP |
| Тип каналу | N (Trench) |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (за кремнієм) | 206 А при TC = 25 °C |
| Струм Id (за корпусом) | 80 А при TC = 25 °C |
| Rds(on) | до 4.0 мОм при VGS = 10 В, ID = 80 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 50.8 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2980 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт при TC = 25 °C |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGB20N60SFD оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
150,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 40 А |
| Струм Ic при 100 °C | 20 А |
| Vce(sat) | 2.2 В (Ic 20 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 940 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 208 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор V3040D ( ISL9V3040D3S , ISL9V3040D3ST ) оригінал, DPAK
В наявності
123,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (раніше Fairchild) |
| Тип | IGBT запалювання EcoSpark, N-канал, логічний рівень |
| Напруга BVcer | 370 (мін.), 400 (тип.), 430 (макс.) В при Ic 2 мА, Vge 0 В, Rg 1 кОм |
| Струм колектора Ic | 21 А при Tc 25 °C; 17 А при Tc 110 °C |
| Vce(sat) | 1,25 В (тип.) при Ic 6 А, Vge 4 В, Tc 25 °C |
| Енергія SCIS | 300 мДж при старті Tj 25 °C, Iscis 14,2 А, L 3,0 мГн |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл при Ic 10 А, Vce 12 В, Vge 5 В |
| Розсіювана потужність Pd | 150 Вт при Tc 25 °C |
| Напруга Vge | ±10 В (постійна) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1,0 °C/Вт |
| Діапазон Tj | -40…175 °C |
| Сертифікація | AEC-Q101, PPAP, без свинцю |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FDP047AN08A0 ( FDP047AN08 , FDP047N08 ) оригінал демонтаж, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N (PowerTrench) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 75 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В) |
| Струм Id | 80 А (безперервний, TC < 144 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 4.7 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Vgs(th) | 4 В макс. (мін. 2 В) |
| Qg | 92 нКл тип. (VDD = 40 В, ID = 80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 310 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STB20NM50 ( B20NM50 , STB20NM50FD ) оригінал демонтаж(заміна для STB14NM50N , 14NM50N ), D2PAK
В наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 500 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 20 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 12.6 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 250 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Vgs(th) | 4 В тип. (мін. 3, макс. 5 В) |
| Qg | 40 нКл тип. (VDD = 400 В, ID = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1480 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 192 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STB40N60M2 ( 40N60M2 ) оригінал демонтаж(заміна для STB23NM50N, 23NM50N , STB32NM50N , 32NM50N , STB28NM50N, 28NM50N , STB25NM50N, 25NM50N , STB21NM50N, 21NM50N ), D2PAK
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 600 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 34 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 22 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 88 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 17 А) |
| Vgs(th) | 3 В тип. (мін. 2, макс. 4 В) |
| Qg | 57 нКл тип. (VDD = 480 В, ID = 34 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Pd | 250 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STB21NK50Z ( 21NK50Z ) оригінал демонтаж, D2PAK
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, SuperMESH, захист затвора стабілітроном |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 500 В (VGS 0 В) |
| Струм Id | 17 А (Tc 25 °C), 10.71 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.23 Ом тип., макс. 0,27 Ом (VGS 10 В, Id 8,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 85 нКл тип., макс. 119 (VDD 400 В, Id 17 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.75 В тип. (мін. 3, макс. 4,5; VDS = VGS, Id 100 мкА) |
| Потужність Pd | 190 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор K30EWR5 ( IKW30N65WR5 ) оригінал, TO247
В наявності
385,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT зі зворотною провідністю (RC-IGBT), монолітний діод |
| Напруга Vces | 650 В при Tvj 25 °C |
| Струм колектора Ic | 60 А при Tc 25 °C; 30 А при Tc 117 °C |
| Vce(sat) | 1,4 В (тип.), 1,8 В (макс.) при Ic 30 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C |
| Vge(th) | 3,2 (мін.), 4 (тип.), 4,8 (макс.) В при Ic 0,3 мА, Vce = Vge |
| Заряд затвора Qg | 155 нКл при Ic 30 А, Vge 15 В, Vcc 520 В |
| Вхідна ємність Cies | 3700 пФ (Vce 25 В, f 1000 кГц) |
| Розсіювана потужність Ptot | 185 Вт при Tc 25 °C |
| Напруга Vge | ±20 В (постійна) |
| Тепловий опір перехід-корпус IGBT | 0,81 К/Вт |
| Діапазон Tvj | -40…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FCPF400N80Z ( 400N80Z ) оригінал , TO220F
В наявності
137,24 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | N-канал, SUPERFET II |
| Напруга Vdss | 800 В (мін., VGS = 0 В, ID = 1 мА, TJ = 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 14 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 8,9 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,4 Ом макс., 0,34 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 5,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 43 нКл тип. (VDS = 640 В, ID = 11 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1770 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VGS = VDS, ID = 1,1 мА) |
| Потужність Pd | 35,7 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор UTC13N50L ( 13N50L ) оригінал, TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 500 В (VGS 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id | 13 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | макс. 0.48 Ом (VGS 10 В, Id 6,5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 168 Вт (TO-220/TO-262, Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1630 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор NCE30H29D оригінал демонтаж(30V,290A), D2PAK
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | NCE Power |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 30 В (VGS 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id | 290 А (Tc 25 °C), 205 А (Tc 100 °C), обмеження за кремнієм |
| Rds(on) | 1.4 мОм тип., макс. 1,8 мОм (VGS 10 В, Id 160 А) |
| Заряд затвора Qg | 231 нКл тип. (VGS 10 В, VDD 15 В, Id 160 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 13873 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1.6 В тип. (мін. 1,0, макс. 2,5; VDS = VGS, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 270 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор CRJQ190N65GCF ( CRJQ190N65GC ) оригінал(23A,650V), TO247
В наявності
202,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (Super Junction) |
| Напруга Vds | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 23 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 14.8 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 185 мОм тип., 210 мОм макс. (VGS 10 В, ID 10 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 41 нКл тип. (VGS 10 В, VDS 480 В, ID 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1427 пФ |
| Потужність Pd | 229 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | CR Micro |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G020N04 ( HYG020N04 , HYG020N04NA1P ) оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 40 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 220 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 154 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 1.8 мОм тип., 2.3 мОм макс. (VGS 10 В, ID 60 А, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 5755 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Реле OMRON G5G-1A-12VDC ( G5G-1A , PCK-112D2M ) 12VDC (16A/250VAC)
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | OMRON |
| Контакти | 1 група, SPST-NO (1A, замикаючий) |
| Струм контактів | 16 А (250 В AC, номінальне навантаження) |
| Напруга комутації контактів | 250 В AC (при 16 А) |
| Макс. комутована потужність | 4000 ВА |
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Струм котушки | 41,7 мА (12 В DC) |
| Опір котушки | 288 Ом (12 В DC) |
| Потужність котушки | прибл. 500 мВт |
| Час спрацювання | не більше 20 мс |
| Час відпускання | не більше 5 мс |
| Електрична міцність котушка–контакти | 5000 В AC (1 хв) |
| Робоча температура | –40…+70 °C (без обмерзання) |
Оптрон TLP350 оригінал, DIP8
В наявності
100,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип виходу | IC-драйвер затвора IGBT / power MOSFET |
| Корпус | DIP8 |
| Піковий вихідний струм IO | ±2,5 А (макс.) |
| Напруга живлення VCC | 15–30 В |
| Поріг вхідного струму IFLH | 5 мА (макс.) |
| Рекомендований струм IF(ON) | 7,5–10 мА |
| Струм споживання ICC | 2 мА (макс.) |
| Час перемикання | 500 нс (макс.) |
| Напруга ізоляції Viso | 3750 В (AC 1 хв) |
| Макс. прямий струм IF | 20 мА (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -40…100 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA6107AJF
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | DBS9MPF (SOT111-1) |
| Напруга живлення VDD | 200 В, робочий діапазон 180–210 В |
| Макс. VDD | 250 В, limiting values |
| Коефіцієнт підсилення | 81, VDD = 200 В, Tamb 25 °C |
| Смуга пропускання (малий сигнал) | 5,5 МГц, вихід 60 В розмах, CL = 10 пФ |
| Смуга пропускання (великий сигнал) | 4,5 МГц, вихід 100 В розмах |
| Швидкість наростання | 900 В/мкс |
| Струм спокою | 6 мА, VDD = 200 В |
| Піковий вихідний струм | 20 мА, типовий |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
Транзистор FQPF9N50 , TO220F
В наявності
58,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (ID 250 мкА, VGS 0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 9 А |
| Струм Id (100 °C) | 5.4 А |
| Опір Rds(on) | 0.70 Ом тип., 0.85 Ом макс. (VGS 10 В, ID 4.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл тип. (VDS 400 В, ID 9 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 790 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 44 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор HYG011N04 ( HYG011N04LS1TA ) оригінал(40V/320A), TOLL
В наявності
100,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Корпус | TOLL |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 320 А |
| Струм Id (100 °C) | 226 А |
| Опір Rds(on) при 10 В | 0.9 мОм тип., 1.2 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Опір Rds(on) при 4.5 В | 1.3 мОм тип., 1.7 мОм макс. (Vgs 4.5 В, Id 50 А) |
| Заряд затвора Qg | 92 нКл (Vgs 10 В), 44 нКл (Vgs 4.5 В); Vds 32 В, Id 50 А |
| Вхідна ємність Ciss | 5870 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 1.8 В тип. (1–3 В) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C), 125 Вт (100 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE6020AK оригінал, D-PAK
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | NCE Power |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 20 А |
| Струм Id (100 °C) | 14 А |
| Опір Rds(on) при 10 В | 24 мОм тип., 35 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Опір Rds(on) при 4.5 В | 30 мОм тип., 40 мОм макс. (Vgs 4.5 В, Id 10 А) |
| Заряд затвора Qg | 25 нКл (Vds 30 В, Id 10 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 973.2 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 1.6 В тип. (1.2–2.5 В) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE6080K оригінал, D-PAK
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | NCE Power |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 80 А |
| Струм Id (100 °C) | 56.5 А |
| Опір Rds(on) | 7 мОм тип., 8.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл (Vds 30 В, Id 20 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.8 В тип. (2–4 В) |
| Потужність Pd | 110 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRTT029N06N оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (Trench) |
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга Vds | 60 В (VGS 0 В, ID 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 220 А (Tc 25 °C, обмеження кристала; за корпусом 160 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 139 А (Tc 100 °C, обмеження кристала) |
| Rds(on) | 2.3 мОм тип. / 2.9 мОм макс. (VGS 10 В, ID 80 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3 В (2.4–3.6 В, VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 183 нКл (VGS 10 В, VDS 30 В, ID 80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7830 пФ |
| Потужність Pd | 254 Вт (Tc 25 °C) |
| Vsd | 0.9 В тип. / 1.3 В макс. (VGS 0 В, ISD 80 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY3912 ( HY3912W ), TO247 оригінал(125V,190A,6.3mR)
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 125 В при Tc 25 °C |
| Струм Id (25 °C) | 190 А при Tc 25 °C |
| Струм Id (100 °C) | 128 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 6,3 мОм типово при Vgs 10 В, Id 85 А, Tc 25 °C |
| Qg | 185 нКл типово при Vds 100 В, Vgs 10 В, Id 85 А |
| Вхідна ємність Ciss | 7348 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3,0 В типово при Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 349 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247A-3L |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
