Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Транзистор SRC60R140B , TO220F
102,93 ₴
30 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
30 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SRC60R140B – високовольтний N-канальний польовий транзистор Super Junction від Sanrise Tech на 600 В у корпусі TO-220F. Нова деталь для AC/DC блоків живлення, серверів і сонячних інверторів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanrise Tech |
| Тип | MOSFET N-канал, Super Junction |
| Повна назва (маркування) | SRC60R140BTFE |
| Напруга пробою Vds | 600 В |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 140 мОм |
| Заряд затвора Qg | 40,4 нКл (типово) |
| Вбудований діод | швидкий (fast-recovery) |
| Корпус | TO-220F |
SRC60R140B – високовольтний N-канальний MOSFET виробництва Sanrise Tech у корпусі TO-220F, зроблений за технологією Super Junction. Повна назва (маркування) – SRC60R140BTFE. Параметри наведено за першою сторінкою datasheet SRC60R140B. Напруга пробою стік–витік – 600 В. Опір відкритого каналу Rds(on) – 140 мОм при Vgs 10 В. Заряд затвора Qg – типово 40,4 нКл. Транзистор має вбудований швидкий діод (fast-recovery body diode). За документом виробника, деталь має малий опір каналу, малий заряд затвора і швидке перемикання, тому її ставлять у схеми, де потрібні висока щільність потужності та ККД.
Нова деталь, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте тип каналу (N), напругу пробою, струм стоку, Rds(on) при Vgs 10 В, заряд затвора і корпус. Ізольований корпус TO-220F відрізняється від TO-220 кріпленням до радіатора, тому корпус звіряйте окремо. Відправляємо по всій Україні Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- AC/DC блоки живлення
- Блоки живлення ПК
- Сервери та телеком-обладнання
- Сонячні інвертори
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Які основні параметри SRC60R140B?
За datasheet Sanrise Tech: N-канал, технологія Super Junction, напруга пробою 600 В, Rds(on) 140 мОм при Vgs 10 В, заряд затвора Qg типово 40,4 нКл, вбудований швидкий діод.
Чим замінити SRC60R140B?
N-канальним MOSFET у корпусі TO-220F з напругою не нижче 600 В і Rds(on) не більше 140 мОм при Vgs 10 В. Струм і заряд затвора звіряйте за datasheet обох деталей.
Чи підійде вона замість деталі в корпусі TO-220?
Не завжди: корпуси різні, тож перевірте посадку на плату та кріплення до радіатора.
Документація виробника: SRC60R140B (Sanrise Tech).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.