Магазин
Діодний міст KBP310 ( 1000V,3A )
В наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Vrrm | 1000 В |
| Vr(RMS) | 700 В |
| Io | 3,0 А (TA 50 °C) |
| Ifsm | 80 А (8,3 мс) |
| Vf | 1,1 В (If 2,0 А) |
| Tj/Tstg | -55…+150 °C |
Транзистор AP18N20GH (18N20GH ) оригінал (заміна для P1820BD ), D-PAK
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | APEC (Advanced Power Electronics Corp) |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 9.5 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) | 170 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1065 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 89 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 180 нс (тип.) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AOD403 ( D403 ) оригінал (заміна для AP30P03D , AP40P03GH , 40P03G , AOD417 , AOD425 , UD3015 )(30V,70A) , D-PAK
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга Vds | -30 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vgs (макс.) | ±25 В (TA 25 °C) |
| Струм стоку Id | -70 А (TC 25 °C, обмеження за приміткою G); -55 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | -200 А |
| Rds(on) макс. | 8 мОм (Vgs -10 В, Id -20 А); 6.2 мОм (Vgs -20 В, Id -20 А) |
| Заряд затвора Qg | 51 нКл (Vgs -10 В, Vds -15 В, Id -20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2890 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1.5 … -3.5 В (Vds = Vgs, Id -250 мкА) |
| Розсіювана потужність Pd | 90 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | -55 … 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDT86106LZ ( 86106LZ )(100V,3.2A) , sot223
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N-канал, logic level |
| Напруга Vds | 100 В (TC = 25 °C) |
| Струм Id | 3.2 А (TA = 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 108 мОм (Vgs = 10 В, Id = 3.2 А) |
| Rds(on) макс. (4.5 В) | 153 мОм (Vgs = 4.5 В, Id = 2.7 А) |
| Vgs(th) | 1.0 мін. / 1.5 тип. / 2.2 макс. В (Id = 250 мкА) |
| Pd | 2.2 Вт (TA = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 234 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | SOT-223 |
Транзистор FTP08N06A оригінал, TO220
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IPS (InPower Semiconductor) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 120 А (TC = 25 °C; обмежено корпусом до 75 А) |
| Опір Rds(on) | 8.0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 62 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 76 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4440 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор AP86T02GH ( 86T02GH ) демонтаж , D-PAK
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (режим збагачення) |
| Виробник | Advanced Power Electronics Corp |
| Напруга Vds | 25 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 75 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В); 62 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) при Vgs 10 В | 6 мОм (макс.; ID = 45 А) |
| Опір Rds(on) при Vgs 4,5 В | 10 мОм (макс.; ID = 30 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 23 нКл (тип.; VGS = 4,5 В, VDS = 20 В, ID = 30 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1830 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 75 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор AOD3N40 оригінал ( D3N40 , STD3NK40 , 3N40 ) , D-PAK
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 400 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 2.6 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Id (Tc 100 °C) | 1.6 А |
| Rds(on) макс. | 3.1 Ом (Vgs 10 В, Id 1 А) |
| Qg | 4.2 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 320 В, Id 2.6 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 186 пФ |
| Vgs(th) | 4 В тип. (3.4–4.5 В) |
| Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±30 В |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF33N25T , TO220F
В наявності
68,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | N-канальний MOSFET, UniFET |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vdss | 250 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, Tj 25 °C, мін.) |
| Струм стоку Id | 33 А (Tc 25 °C) |
| Id (Tc 100 °C) | 20.4 А |
| Імпульсний струм Idm | 132 А |
| Rds(on) макс. | 0.094 Ом (Vgs 10 В, Id 16.5 А) |
| Qg | 36.8 нКл тип., 48 нКл макс. (Vds 200 В, Id 33 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1640 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 250 мкА) |
| Pd | 37 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgss | ±30 В |
Мікросхема TDA8943SF
В наявності
53,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | моно мостовий (BTL) підсилювач потужності звуку |
| Напруга живлення | 6–18 В (типово 12 В), RL = 8 Ом |
| Вихідна потужність | 6 Вт (THD = 10 %, RL = 8 Ом, VCC = 12 В) |
| Вихідна потужність (THD 0,5 %) | 4 Вт (RL = 8 Ом, VCC = 12 В) |
| Коефіцієнт гармонік | 0,03 % (Po = 1 Вт, VCC = 12 В, RL = 8 Ом) |
| Коефіцієнт підсилення | 32 дБ (31–33 дБ) |
| Струм спокою | 15 мА (VCC = 12 В, RL = ∞) |
| Піковий вихідний струм | 2 А (повторюваний) |
| Повна розсіювана потужність | 7 Вт (макс.) |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
| Виробник | NXP Semiconductors |
Мікросхема LNK623PG оригінал, DIP7
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | мережевий перемикач із первинною стабілізацією напруги (CV), без оптрона |
| Максимальна напруга Drain | 725 В (абсолютний максимум) |
| Піковий струм Drain | 400 мА (абсолютний максимум; 600 мА при напрузі Drain нижче 400 В) |
| Частота перетворення | 100 кГц (93–106 кГц, TJ = 25 °C) |
| Вихідна потужність (адаптер) | 6,5 Вт (230 В AC ±15 %, вихід 5 В; для 85–265 В AC – 5,0 Вт) |
| Вихідна потужність (відкрита рама) | 9 Вт (230 В AC ±15 %, вихід 5 В; для 85–265 В AC – 6 Вт) |
| Споживання без навантаження | <200 мВт (230 В AC) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP7 (у документі PDIP-8C, суфікс P) |
| Виробник | Power Integrations |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема PIC16F648A-I/SO , smd
В наявності
112,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip Technology |
| Тип | 8-бітний Flash-мікроконтролер |
| Пам'ять програм Flash | 4096 x 14 (4K слів) |
| ОЗП (SRAM) | 256 байт |
| EEPROM даних | 256 байт |
| Напруга живлення | 2,0–5,5 В |
| Тактова частота | DC–20 МГц |
| Лінії вводу-виводу | 16 шт |
| Струм у режимі очікування | 100 нА (типове, 2,0 В) |
| Корпус | SOIC (smd) |
Мікросхема XA9901 оригінал, so-8
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | X-Audio |
| Напруга живлення | 2,5–9 В |
| Вихідна потужність | 10 Вт (VDD = 8,4 В, 4 Ом, BTL, THD+N = 10 %, 1 кГц) |
| Добуток підсилення на смугу | 2,5 МГц |
| Частота перемикання | 342 кГц (клас D, VDD = 2,5–8,4 В) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UC2845AN , DIP8
В наявності
35,72 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | PDIP-8 (P), 9,81 × 9,43 мм |
| Напруга живлення VCC, максимум (абсолютна) | 30 В |
| Вихідний струм IOUT, максимум (абсолютний) | 1 А |
| Пороги UVLO (вмикання / вимикання) | 8,4 / 7,6 В |
| Максимальний коефіцієнт заповнення | 46–50 % (тип. 48 %) |
| Опорна напруга VREF | 5 В (4,95–5,05 В) при TJ 25 °C, IO 1 мА |
| Частота генератора | 52 кГц (47–57 кГц) при TJ 25 °C, RT 10 кОм, CT 3,3 нФ |
| Частота генератора, максимум (рекомендована) | 500 кГц |
| Струм запуску | 0,3 мА (макс. 0,5 мА) при VCC 15 В |
| Струм споживання в роботі | 11 мА (макс. 17 мА) при VFB = VISENSE = 0 В, VCC 15 В |
| Температура переходу TJ | -55…150 °C |
Мікросхема TC3588 , DIP8
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shenzhen Fuman Electronics |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга VS | 4,25 В (VDD = 6 В, VL1 = 1,87 В) |
| Напруга VO | 4,24 В (VDD = 8 В, VL1 = 1,87 В) |
| Струм ICHARGE | 200 мА (типове, макс. 300 мА) |
| Струм I-led (L2–L4) | 10 мА (типове) |
Мікросхема TD1482A оригінал, so-8
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Techcode |
| Корпус | SO-8 |
| Вхідна напруга | 4,75–20 В |
| Вихідний струм | 2 А |
| Вихідна напруга | 0,923–18 В |
| Опір ключа | 130 мОм |
| Частота перетворення | 340 кГц |
| ККД | до 93 % |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SGL8023W , so-8
В наявності
84,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SiGma Micro |
| Корпус | SOP8 (також DIP8) |
| Напруга живлення | 2.4–5.5 В |
| Робочий струм | 700 мкА (typ) |
| Струм у режимі очікування | 20 мкА (typ) |
| Струм виходу високого рівня | 7 мА (typ) |
| Струм виходу низького рівня | 12 мА (typ) |
| Стійкість до EFT | понад ±2 кВ |
| Робоча температура | –20…70 °C |
Мікросхема SD8585S ( SD8585 ) , so-7
В наявності
29,14 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Корпус | SOP-7 |
| Пробивна напруга BVDSS | 650 В |
| Струм стоку ID | 3.0 А |
| Імпульсний струм IDM | 12 А |
| Rds(on) | 1.6 Ом (typ), VGS 10 В, ID 1.5 А |
| Розсіювана потужність PD | 25 Вт |
| Вихідна потужність | 10–12 Вт |
| Напруга запуску VST | 16 В (typ) |
| Робоча температура середовища | –20…85 °C |
Транзистор 2SD947F ( D947F ) оригінал, TO126
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Дарлінгтон |
| Напруга Vcbo | 40 В |
| Напруга Vcer | 40 В (RBE = 10 кОм) |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 2 А (постійний) |
| Імпульсний струм | 3 А (Pw = 10 мс) |
| Потужність розсіювання Pc | 5 Вт (Tc = 25 °C) |
| hFE | від 1000 (VCE = 3 В, IC = 0,5 А) |
| Vce(sat) | 1,5 В макс. (IC/IB = 0,6 А/1,2 мА) |
| Виробник | ROHM |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема OB3330CP , so-8
В наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright |
| Корпус | SO-8 |
| Призначення | LED-драйвер з PFC, керування з первинної сторони |
| Напруга живлення VCC | 11–25 В |
| Максимальна напруга VCC відносно GND | 40 В (Absolute Maximum) |
| UVLO(ON) | 9 В (typ, VCC 16 V, TA 25 °C) |
| UVLO(OFF) | 14.6 В (typ, VCC 16 V, TA 25 °C) |
| Захист від перенапруги VCC | 30 В (typ, VCC 16 V, TA 25 °C) |
| Робоча температура середовища | –20…85 °C |
Мікросхема OB2502PCP ( OB2502CP ) , so-8
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright |
| Корпус | SO-8 |
| Пробивна напруга вбудованого MOSFET (BVdss) | 650 В (TA 25 °C, VDD 15 V) |
| Струм вбудованого MOSFET | 2 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 4 Ом (TA 25 °C, VDD 15 V) |
| Напруга живлення VDD | 8–25 В |
| UVLO(OFF) | 18.2 В (typ) |
| UVLO(ON) | 7.0 В (typ) |
| Максимальна частота перемикання | 110 кГц (typ) |
| Робоча температура середовища | –20…85 °C |
Мікросхема OB2353CP , so-8
В наявності
38,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright Electronics |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга ключа | 650 В (мінімум) |
| Частота перемикання | 50 кГц (VDD=16 В) |
| Обмеження VDD | 32 В (IDD=10 мА) |
| Струм запуску | 5–20 мкА (VDD=14.5 В) |
| UVLO вмикання | 9.7 В |
| UVLO вимикання | 15.9 В |
| Температура переходу | -20…150 °C |
Мікросхема NCP1393B ( 1393B ) , so-8
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Робоча напруга шини | 600 В |
| Діапазон частоти | 25–250 кГц |
| Мертвий час | 0,6 мкс |
| Струм драйвера | 1 / 0,5 А |
| Поріг увімкнення VCC | 11 В (10–12 В) |
| Мінімальна робоча напруга VCC | 9 В (8–10 В) |
| Обмеження VCC | 16 В |
| Затримка PFC | 100 мс |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема NCP1380B ( 1380B ) оригінал, so-8
В наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Максимальна напруга живлення VCC | 28 В |
| Поріг увімкнення VCC(on) | 17 В (16–18 В, TJ 25 °C, тип.) |
| Мінімальна робоча напруга VCC(off) | 9 В (8,3–9,4 В) |
| Струм драйвера затвора | +500/–800 мА |
| Таймер захисту від КЗ | 80 мс |
| Макс. температура переходу TJ | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SC1117DG ( Заміна для MP368 ) , so-7
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | SOP-7 |
| BVDSS | 700 В (TJ=25 °C) |
| RDS(on) | 12 Ом тип., 13.8 Ом макс. (ID=35 мА, TJ=25 °C) |
| Частота перемикання | 66 кГц (TJ=25 °C) |
| Вихідна потужність | 9 Вт (230 В AC ±15 %) |
| Температура переходу | -40…150 °C |