Магазин
IGBT-транзистор GT50JR22 ( 50JR22 ) оригінал , TO-3P
В наявності
165,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 44 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.55 В тип. / 2.2 В макс. |
| Вбудований діод | так (RC-IGBT) |
| Розсіювана потужність Pc | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TOP223YN ( TOP223Y ) оригінал, TO220-3
В наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch-II |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга пробою стоку BVDSS | 700 В (мін.) |
| Частота перетворення | 100 кГц (90–110 кГц) при IC = 4 mA, Tj = 25 °C |
| Макс. вихідна потужність, вхід 85–265 В AC | 30 Вт (корпус Y, з тепловідведенням, Tj не вище 100 °C) |
| Макс. вихідна потужність, вхід 100/115/230 В AC ±15 % | 50 Вт (корпус Y, з тепловідведенням, Tj не вище 100 °C) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 60N60FD1 ( SGT60N60FD1 , SGT60N60FD1PN ) оригінал , TO-3P
В наявності
134,42 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Розсіювана потужність Pd | 321 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. / 2.7 В макс. (60 А, 15 В) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | є (FRD) |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IR2103S оригінал, so-8
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга плаваючого каналу VOFFSET | 600 В |
| Напруга живлення драйвера | 10–20 В |
| Вихідний струм IO+ / IO- | 130 / 270 мА |
| Затримка вмикання / вимикання | 680 / 150 нс |
| Мертва пауза | 520 нс |
| Сумісність логіки | 3.3 В, 5 В, 15 В |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор GW40V60DF ( STGW40V60DF ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В (VGE 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1.8 В тип. (IC 40 А, VGE 15 В, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 226 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5400 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 283 Вт |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є, дуже швидкий м’який |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема LD5536 ( LD5536R ) , sot23-6
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Leadtrend Technology Corporation |
| Напруга живлення VCC | 8.0–26.5 В |
| Частота перетворення | 130 кГц |
| Частота в green-режимі | 25 кГц |
| Максимальний коефіцієнт заповнення | 71 % |
| Вихідний струм драйвера | 250 / -500 мА |
| Корпус | SOT23-6 |
Транзистор MXP6008CT оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | MaxPower |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 109 А (обмеження корпусу 80 А) |
| Імпульсний струм стоку | 436 А (VG=10 В) |
| Опір Rds(on) (тип. / макс.) | 6,3 / 8 мОм (VGS=10 В, ID=24 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 50 нКл (VDD=30 В, VGS=10 В, ID=38 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3395 пФ |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H20MR5 оригінал ( IHW20N120R5 )(заміна для 20N120IHR ) , TO247
В наявності
221,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) (тип., 25 °C) | 1,55 В |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема MP1495 ( MP1495DJ ) , sot23-8
В наявності
34,78 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Monolithic Power Systems (MPS) |
| Вихідний струм | 3 А |
| Вхідна напруга | 4.5–16 В |
| Вихідна напруга | від 0.8 В |
| Частота перетворення | 500 кГц |
| Опір ключів (верхній / нижній) | 80 / 30 мОм |
| Корпус | TSOT-23-8 |
Демонтаж
Діод FMP-3FU оригінал демонтаж , TO-3PF-3pin (демпферні діоди)( Заміна для FMV-3GU )
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Тип | Демпферний діод (для розгортки) |
| Зворотна напруга VRM | 1500 В (секція демпферного діода); друга секція (модуляція) – 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 5.0 А |
| Ударний прямий струм Ifsm | 50 А (50 Гц, один напівперіод синусоїди) |
| Температура переходу Tj | –40…+150 °C |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 1.8 °C/Вт |
| Корпус | TO-3PF |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема CD7522CS демонтаж, SIP-12
В наявності
54,99 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi China Resources Semico |
| Вихідна потужність | 3,0 Вт (мін. 2,4 Вт) при THD 10 %, VCC 8 В, RL 8 Ом, f 1 кГц |
| Напруга живлення | 3,5–13,5 В |
| Макс. напруга живлення | 14 В (Tamb 25 °C, Vin = 0) |
| Коефіцієнт підсилення | 33 дБ (PO 0,5 Вт, VCC 8 В, RL 8 Ом, f 1 кГц) |
| Потужність розсіювання | 1,92 Вт (Tamb 25 °C) |
| Корпус | SIP-12 |
| Стан | Демонтаж б/в |
IGBT-транзистор 50T65FESC ( MBQ50T65FESC ) оригінал (Заміна для 50T65FDSC , MBQ50T65FDSC ), TO247
В наявності
164,97 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic | 50 А (Tc 100 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.85 В тип. (Ic 50 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C) |
| Pd | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Qg | 287 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4453 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | MagnaChip |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Процесор CH05T0102 ( TDA9381PS/N2/2I1091 ) демонтаж с нового шасі EX1-A1
В наявності
493,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Корпус | S-DIP, 64 виводи |
| Напруги живлення | 8,0 / 3,3 В (типові) |
| Кварц | 12 МГц |
| Шасі | EX1-A1 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема FSQ0370R ( Q0370R , Q0370RA , FSQ0370RA ) , DIP8
В наявності
94,94 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга SenseFET (BVDSS) | 700 В |
| Робоча частота | 100 кГц (92–108 кГц, TA 25 °C) |
| Rds(on) | 4,0 Ом (макс. 4,75 Ом) при VGS 10 В, ID 0,5 А |
| Піковий струм обмеження | 1,10 А (0,97–1,23 А) |
| Макс. напруга живлення Vcc | 20 В |
| Потужність розсіювання | 1,5 Вт (TA 25 °C) |
| Корпус | DIP8 |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJH60F7 оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT з вбудованим швидким діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 90 А |
| Струм Ic при 100 °C | 50 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,75 В (макс.) при IC = 50 А |
| Розсіювана потужність Pc | 328,9 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 4890 пФ (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Датчик Холла A3144 (3144 – маркування) , TO-92S-3 цифровий (на виході тільки 2 стани – LOW и HIGH) Uживл=4,5-24VDC
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення Vcc | 4,5–24 В (робочий діапазон) |
| Вихідний струм Iout | 25 мА (макс., Ta=25 °C) |
| Струм споживання Icc | 4,4 мА (тип.) / 9,0 мА (макс.), вихід OFF, Vcc=8 В |
| Індукція спрацьовування Bop | 70…350 Гс (Ta=25 °C) |
| Індукція відпускання Brp | 50…330 Гс (Ta=25 °C) |
| Гістерезис Bhys | 20 Гс (мін.) / 55 Гс (тип.), Ta=25 °C |
| Тип виходу | цифровий, відкритий колектор (LOW/HIGH) |
| Корпус | TO-92S |
Мікросхема RT8108A , so-8
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Richtek |
| Призначення | однофазний ШІМ-контролер синхронного понижувального перетворювача |
| Напруга живлення VCC | 5 В (±5 %) або 12 В (±10 %) |
| Частота ШІМ | 300 кГц (варіант A, VCC 12 В, TA 25 °C) |
| Опорна напруга | 0,6 В (варіант A, VCC 12 В, TA 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 92 % (fOSC 200/300 кГц) |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема TND315 ( TND315S ) оригінал , smd 8pin
В наявності
180,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення | 4,5–25 В (TA 25 °C) |
| Піковий вихідний струм | 1 А (на канал) |
| Час наростання | 30 нс (CL 1000 пФ, VDD 18 В, VIN 5 В, TA 25 °C, типове) |
| Час спаду | 30 нс (CL 1000 пФ, VDD 18 В, VIN 5 В, TA 25 °C, типове) |
| Вхідна напруга логічної 1 | 2,6 В (VDD 4,5–25 В) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | -40…+125 °C |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор RJP30H1 , D-PAK оригінал
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Серія | G6H-II |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга колектор-емітер Vces | 360 В |
| Струм колектора Ic | 30 А |
| Піковий струм колектора | 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Потужність розсіювання Pc | 40 Вт (Tc = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.5 В тип., 2 В макс. (Ic = 30 А, VGE = 15 В) |
| Заряд затвора Qg | 23 нКл тип. (VGE = 15 В, VCE = 150 В, Ic = 30 А) |
| Вхідна ємність Cies | 740 пФ тип. (VCE = 25 В, VGE = 0, f = 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема R2A20133 ( 0133 , R2A20133DSP ) , so-8
В наявності
90,71 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Призначення | PFC-контролер, режим критичної провідності |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 24 В (абсолютний максимум, Ta 25 °C) |
| Поріг вмикання UVLO | 9,5 В (8,8–10,2 В) |
| Поріг вимикання UVLO | 8,5 В (8,1–8,9 В) |
| Струм споживання Icc | 1,8 мА (тип.), макс. 2,6 мА |
| Опорна напруга Vfb | 2,510 В (2,472–2,548 В), FB-COMP закорочені |
| Піковий струм виходу OUT | +0,9 / -0,5 А (імпульсний, абсолютний максимум) |
| Температура переходу Tj | -40…+150 °C (абсолютний максимум) |
| Корпус | SO-8 |
Світлодіод 3535 smd WOOREE WM35E1F-YR07-eB тип2 3V 1,85W 72-84LM 280mA холодний білий
В наявності
7,99 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | WOOREE |
| Корпус | 3535 |
| Пряма напруга Vf | 3 В |
| Потужність | 1,85 Вт |
| Прямий струм If | 280 мА |
| Світловий потік | 72–84 лм |
| Колірність | холодний білий |
Мікросхема BP2858 , DIP7
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP7 |
| Вхідна напруга мережі | 85–265 В AC (за BP2858F) |
| Напруга силового ключа | 500 В (за BP2858F) |
| Опір силового ключа | 3 Ом (за BP2858F, умови виміру не вказано) |
| Вихідна потужність | менше 50 Вт (за BP2858F) |
| Точність струму світлодіодів | ±5 % (за BP2858F) |
| Діапазон ШІМ-димування | 1–100 % (за BP2858F) |
Мікросхема MT7813 , DIP8
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Maxic Technology |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга | 10–400 В (постійна напруга; також повний діапазон мережі AC) |
| Напруга пробою вбудованого MOSFET | 500 В (VGS 0 В, IDS 250 мкА, TA 25 °C) |
| Опір відкритого каналу | 5,5 Ом (VGS 13 В, IDS 1,25 А, TA 25 °C) |
| Вихідний струм | менше 360 мА (рекомендовані умови) |
| Поріг струму на вході CS | 400 мВ (VCC 13 В, TA 25 °C) |
| ККД | до 95 % |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | -40…+105 °C |