Магазин

Показано 1585–1608 із 6336Сортовано за останнім

Показати 20 40 80

Мікросхема FT2925P ( ft2925P ) оригінал, ssop28

В наявності

220,90 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFangtek (SGMICRO)
КорпусTSSOP28
Напруга живлення3,0–5,5 В
Потужність на канал, 4 Ом6,0 Вт (VBAT 3,6 В, THD+N 10 %, без ALC)
Потужність на канал, 8 Ом3,5 Вт (VBAT 3,6 В, THD+N 10 %, без ALC)
ККД78 % (VBAT 3,6 В, 4 Ом, Po 2 Вт на канал)
Максимальне підсилення30 дБ
Частота ШІМ бустера800 кГц
Робоча температура-40…+85 °C
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Мікросхема BD8174MU ( BD8174MUV , BD8174MUV-E2 ) оригінал, QFN-48

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникROHM
КорпусVQFN048V7070 (QFN-48)
Напруга PVCC1, PVCC210–14 В
Напруга HVCC10–18 В
Частота генератора700 кГц (тип.)
Вихідна напруга VDD3,3 В
Вихідна напруга VGH35,2 В (тип.)
Вихідна напруга VGL-6,0 В (тип.)
ЦАП10 біт, 4 канали
Робоча температура-40…105 °C
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Мікросхема SDH6963 , DIP8

В наявності

98,70 ₴
ПараметрЗначення
НомерSDH6963
КорпусDIP8
На канікулах до 20.11

Мікросхема IP5209 , QFN-24

В наявності

70,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInjoinic
КорпусQFN-24
Струм зарядки2,1 А (максимум)
Вихідний струм DC-DC2,4 А (максимум)
Вхідна напруга зарядки VIN4,5–5,5 В
Напруга акумулятора3,0–4,4 В
Вихідна напруга DC-DC5,12 В (тип., VBAT 3,7 В, без навантаження)
Частота перемикання зарядника1,6 МГц (тип.)
Частота перемикання підвищувального перетворювача650 кГц (тип.)
Струм у режимі очікування<100 мкА
АЦП14 біт
Захист ESD4 кВ
На канікулах до 20.11

Мікросхема IRS21856S ( S21856S , IRS21856 ) , so-14

В наявності

122,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInternational Rectifier
Напруга зміщення VOFFSET600 В
Живлення VCC10–20 В
Струм виходу Io+/Io-0,5 А
Затримка вмикання150 нс
Затримка вимикання160 нс
КорпусSO-14
Робоча температура-40…125 °C
На канікулах до 20.11

Мікросхема BP2833A , so-8

В наявності

25,85 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникBPS (Bright Power Semiconductor)
Вхідна напруга85–265 В AC
Напруга ключа DRAIN500 В
Точність струму±5 %
Поріг CS400 мВ
КорпусSO-8
Робоча температура-40…105 °C
На канікулах до 20.11

Мікросхема SLC2013M ( SLC2013M1 ) , sop-26

В наявності

112,80 ₴
ПараметрЗначення
НомерSLC2013M
КорпусSOP-26
Другий запис номераSLC2013M1
На канікулах до 20.11

Транзистор STK1820 ( STK1820F , SMK1820 ) оригінал демонтаж, TO220F

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникKodenshi AUK
Напруга Vds200 В (VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)18 А
Струм стоку Id (100 °C)8,6 А
Опір Rds(on) (тип. / макс.)0,14 / 0,17 Ом (VGS=10 В, ID=9 А)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В (ID=250 мкА)
Потужність Pd30 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss840 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-220F
СтанОригінал, демонтаж б/в
На канікулах до 20.11

Мікросхема SLC5013R оригінал, TSSOP-24

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Реле K2AK024T ( FTR-K2AK024T , SMIT-SH-124LMR , SMIT-SS-124LMR , SDT-SH-124DM , SDT-SS-124DM , OST-SS-124DM ) ( 24V , 16A/250V ) 1група , 4pin , для станків та інш.

В наявності

169,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга котушки24 В DC
Контакти1 Form A (SPST-NO), 1 група
Струм контактів16 А / 250 В AC / 30 В DC
Виводи4 pin
Опір котушки1110 Ом ±10% (20 °C)
Потужність котушки530 мВт (20 °C)
Напруга спрацювання, макс.16,8 В DC
Напруга відпускання, мін.1,2 В DC
Час спрацювання, макс.15 мс
Час відпускання, макс.5 мс
Робоча температура-40…+70 °C
На канікулах до 20.11

Мікросхема TOP264KG , eSOP-12

В наявності

122,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPower Integrations
СеріяTOPSwitch-JX
Напруга пробою DRAIN (BVDSS)725 В мін. (VV = Floating, TJ = 25 °C)
RDS(on) (TOP264, ID = 150 мА, TJ = 25 °C)5.4 Ом тип. / 6.25 Ом макс.
Робоча частота132 кГц (опція 66 кГц)
Вихідна потужність, адаптер / відкрита конструкція, 85–265 В AC16 / 30 Вт
Робоча температура переходу-40…150 °C
КорпусeSOP-12B (K package)
На канікулах до 20.11

Мікросхема LNK6776K , HSOP11

В наявності

164,50 ₴
На канікулах до 20.11

Мікросхема MP7751 ( MP7751GF-Z ) демонтаж, TSSOP-28

В наявності

155,10 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems
КорпусTSSOP-28 EP
Типстерео підсилювач класу D, мостове (BTL) вмикання
Потужність на канал20 Вт (18 В, 8 Ом, THD 10 %)
Напруга живлення5–26 В (максимум 30 В)
ККД92 % (8 Ом, 10 % THD, 1 кГц, 12 В)
Піковий вихідний струм5 А
Опір відкритих ключів240 мОм
Розсіювана потужність3,9 Вт (TA 25 °C)
Максимальна температура переходу150 °C
Тепловий опір перехід – середовище32 °C/Вт
СтанДемонтаж б/в
На канікулах до 20.11

Мікросхема FAN6862TY ( FAN6862 , ABDxx ) оригінал, sot23-6

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняGreen-Mode PWM-контролер для flyback-перетворювачів
Частота ШІМ65 кГц (мін. 62 / макс. 68 кГц)
Струм запуску8 мкА (макс. 30 мкА)
Робочий струм споживання3 мА, GATE відкритий (макс. 4 мА)
Поріг вмикання VDD16 В (мін. 15 / макс. 17 В)
Поріг вимикання VDD8,5 В (мін. 7,5 / макс. 9,5 В)
Захист від перенапруги VDD25 В (мін. 24 / макс. 26 В)
Макс. напруга VDD (абсолютна)30 В
Обмеження напруги на затворі18 В
Струм драйвера виходу400 мА
Час плавного старту4 мс (мін. 2,5 / макс. 5,25 мс)
Робочий температурний діапазон-40…+105 °C
КорпусSOT23-6
Корпус (докладно)SOT23-6 (SSOT-6, 6 виводів)
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Транзистор STD1NK80Z ( D1NK8 ) оригінал (800V,1A,13R) , D-PAK(Заміна для 2SK3850 )

В наявності

51,70 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал, SuperMESH, із захисним стабілітроном
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга Vds800 В (VGS=0 В, ID=1 мА)
Струм стоку Id (25 °C)1 А
Струм стоку Id (100 °C)0,63 А
Імпульсний струм стоку5 А
Опір Rds(on) (тип. / макс.)13 / 16 Ом (VGS=10 В, ID=0,5 А)
Порогова напруга Vgs(th)3–4,5 В (ID=50 мкА)
Потужність Pd45 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss160 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-252 (D-PAK)
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Мікросхема STI3470 ( S47xxx , STI 3470 ) , sot23-6

В наявності

32,90 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникTMI
КорпусSOT23-6
Призначеннясинхронний понижувальний DC-DC перетворювач
Вхідна напруга3,5–18 В
Вихідний струм2,0 А
Частота перетворення600 кГц (VFB 0,6 В, VIN 12 В, TA 25 °C)
Опорна напруга0,6 В (TA 25 °C, VIN 3,5–18 В)
Опір верхнього ключа120 мОм (VIN 12 В, TA 25 °C)
Опір нижнього ключа80 мОм (VIN 12 В, TA 25 °C)
Обмеження струму верхнього ключа2,5–3,2 А (VIN 12 В, TA 25 °C)
ККДдо 94 % (вихід 5 В)
Робоча температура переходу-40…+125 °C
На канікулах до 20.11

Тиристор FD312S оригінал демонтаж 

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanken Electric
ТипТиристор (SCR) з вбудованим діодом Avalanche
КорпусTO-220F
Середній прямий струм IT(AV)3.0 А (50 Гц, напівхвиля синусоїди, кут 180°, Tc=92 °C)
Діючий прямий струм IT(RMS)4.7 А
Ударний струм ITSM60 А (50 Гц, Tj=125 °C)
Струм керування IGTне більше 10 мА (VD=6 В, RL=10 Ом)
Напруга керування VGTне більше 1.0 В (VD=6 В, RL=10 Ом)
Пряма напруга VTMне більше 1.4 В (ITM=5 А)
Ізоляційна напруга VISO1500 В (50 Гц, 1 хв)
СтанОригінал, демонтаж б/в
На канікулах до 20.11

IGBT-транзистор H25R1203 ( IHW25N120R3 ) демонтаж б/в, TO-247

В наявності

200,22 ₴
ПараметрЗначення
ТипIGBT-транзистор з вбудованим діодом
НомерIHW25N120R3
МаркуванняH25R1203
Напруга Vces1200 В
Струм колектора Ic50 А (25 °C), 25 А (100 °C)
Потужність Ptot365 Вт (25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)1,6 В тип., 1,8 В макс. (IC = 25 А, VGE = 15 В)
КорпусTO-247
СтанДемонтаж б/в
На канікулах до 20.11

Транзистор 2SD1207

В наявності

28,20 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vcbo60 В
Напруга Vceo50 В
Напруга Vebo6.0 В
Струм колектора Ic2.0 А (постійний, Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора4.0 А
Потужність Pc1.0 Вт (Ta 25 °C)
hFE100–560 (VCE 2 В, IC 100 мА)
Гранична частота fT150 МГц (VCE 10 В, IC 50 мА)
Температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-92LM
На канікулах до 20.11

Мікросхема SEM4011 , QFP48

В наявності

98,70 ₴
ПараметрЗначення
КорпусQFP-48
На канікулах до 20.11

Трансформатор інвертора TMS91573CT

В наявності

195,99 ₴
ПараметрЗначення
ТипТрансформатор інвертора
МодельTMS91573CT
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA2611A ( CD2611GS )

В наявності

34,31 ₴
ПараметрЗначення
Призначенняпідсилювач потужності звукової частоти 5 Вт
Напруга живлення6–35 В
Вихідна потужність4 Вт мін. (Vp 18 В, Rн 8 Ом, спотворення 10 %, f 1 кГц)
Струм спокою25 мА (типово, Vp 18 В)
Піковий струм1,5 А повторюваний, 3 А неповторюваний
КорпусSIL-9 (SOT110B)
ВиробникNXP Semiconductors
На канікулах до 20.11

Мікросхема RDA5807M , smd

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняFM-стереотюнер з RDS/RBDS
Напруга живлення2,7…3,3 В (типово 3,0 В)
Діапазон прийому50…115 МГц
Крок налаштування25 / 50 / 100 / 200 кГц
Струм споживання20 мА (типово, VDD = 3 В, TA 25 °C)
ІнтерфейсI2C
КорпусSMD (за документом MSOP10, 10 виводів)
ВиробникRDA Microelectronics
На канікулах до 20.11

Мікросхема KIA7909PI ( KIA7909API ) , TO220F-3

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникKEC
Вихідна напруга Vout-9,0 В
Вихідний струмбільше 1,0 А
Максимальна вхідна напруга Vin-35 В
Струм обмеження КЗ1,9 А
Мінімальний спад напруги2,0 В
Струм спокою3 мА
Придушення пульсацій60 дБ
Робоча температура переходу-40…150 °C
КорпусTO-220F
На канікулах до 20.11