Магазин

STRA6259H мікросхема DIP7, фото маркування

Демонтаж

Мікросхема STRA6259H ( STR-A6259H , A6259H , STRA6259 , A6259 ) оригінал демонтаж, DIP7

В наявності

51,23 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Напруга V(BR)DSS	650 В мін. при ID = 300 мкА
Струм стоку ID peak	1.8 А (одиночний імпульс, TA +25 °C)
Опір RDS(on)	6 Ом макс. при ID = 0,4 А
Частота перемикання	100 кГц
Енергія лавини EAS	24 мДж
Розсіювана потужність MOSFET	1.35 Вт
Напруга живлення VCC	36 В макс.
Напруга старту VCC(ON)	14.3 В
Tj макс.	150 °C
Корпус	DIP7
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

STA515 мікросхема PowerSSO36, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Мікросхема STA515 оригінал демонтаж, PowerSSO36

В наявності

222,78 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	STMicroelectronics
Робоча напруга Vcc	10–36 В
Макс. напруга Vcc	40 В
Потужність (BTL)	2 × 20 Вт на 8 Ом, THD 10 %, Vcc 18 В
Потужність (single-ended)	4 × 10 Вт на 4 Ом, THD 10 %, Vcc 18 В
Потужність (паралельний BTL)	40 Вт на 8 Ом, THD 10 %, Vcc 26 В
Rds(on)	200 мОм (тип.), 270 мОм (макс.) при Id 1 А, Vcc 30 В, VL 3,3 В
Розсіювана потужність	21 Вт при Tcase 70 °C
Робоча температура	0…70 °C
Корпус	PowerSSO-36
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

TLP627 оптрон Дарлінгтон DIP, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Оптрон TLP627 демонтаж

В наявності

23,50 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	Toshiba
Корпус	DIP-4
Тип виходу	Дарлінгтон (фототранзистор)
CTR (IF=1 мА, VCE=1 В, Ta=25 °C, мін.)	1000 %
Vceo (IC=0,1 мА, мін.)	300 В
Напруга ізоляції (AC, 60 с)	5000 В
IF max (Ta=25 °C)	60 мА
IC max (Ta=25 °C)	150 мА
VF (тип., IF=10 мА)	1,15 В
Робоча температура	-55…100 °C
Стан	Демонтаж б/в

Додати в обране

Оптрон TLP621 ( P621 ) оригінал, DIP-4

В наявності

28,20 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Корпус	DIP-4
Тип виходу	Фототранзистор
CTR (IF=5 мА, VCE=5 В, Ta=25 °C)	50–600 %
Vceo (IC=0,5 мА, мін.)	55 В
Напруга ізоляції (AC, 1 хв)	5000 В
IF max (Ta=25 °C)	60 мА
IC max (Ta=25 °C)	50 мА
VF (тип., IF=10 мА)	1,15 В
VCE(sat) (макс., IC=2,4 мА, IF=8 мА)	0,4 В
Робоча температура	-55…100 °C
Стан	Оригінал

Додати в обране

Оптрон TLP250 , 8pin

В наявності

108,10 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	Toshiba
Тип виходу	IC-драйвер, двотактний вихід
Корпус	DIP8
Піковий вихідний струм	±1,5 А (PW ≤ 2,5 мкс, f ≤ 15 кГц)
Напруга живлення VCC	10–35 В (рекомендовані умови 15–30 В)
Напруга ізоляції	2500 В (RMS, мін.)
Пороговий вхідний струм IFLH	5 мА макс. (VCC1 = +15 В, VEE1 = −15 В, RL = 200 Ом)
Затримка tpLH / tpHL	0,5 мкс макс. (IF = 8 мА)
Робочий діапазон температур	від −20 до +85 °C

TLP155E (P155E) оптрон SO6, фото маркування

Додати в обране

Оптрон TLP155E ( P155E ) , 5pin

В наявності

58,75 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	Toshiba
Тип виходу	IC-драйвер, двотактний (push-pull)
Корпус	SO6 (5 виводів), 3,7×7,0×2,1 мм
Напруга живлення VCC	10–30 В (рекомендовані умови)
Напруга ізоляції	3750 В (RMS, мін.)
Піковий вихідний струм	±0,6 А (гранично допустимий)
Пороговий вхідний струм IFLH	7,5 мА макс. (VCC = 15 В, VO > 1 В)
Затримка tpLH / tpHL	200 нс макс. (VCC = 20 В, Rg = 30 Ом, Cg = 1 нФ, f = 250 кГц)
Робочий діапазон температур	від −40 до +100 °C

Додати в обране

Оптрон TCDT1102G

В наявності

21,15 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	Vishay
Тип виходу	фототранзистор, база не підключена
Корпус	DIP-6, формування виводів G (10,16 мм, 400 mil)
CTR	63–125 % (VCE = 5 В, IF = 10 мА)
Напруга ізоляції Viso	5000 В (RMS)
Напруга Vceo	32 В (Tamb 25 °C)
Струм колектора Ic	50 мА (Tamb 25 °C)
Прямий струм IF	60 мА (Tamb 25 °C)
Робочий діапазон температур	від −55 до +110 °C

Додати в обране

Оптрон SFH617A-3 ( SFH617A-2 )

В наявності

23,50 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип виходу	кремнієвий планарний фототранзистор, вхід – GaAs ІЧ-діод
Корпус	DIP-4
Виробник (документ)	Vishay Semiconductors
Напруга ізоляції	5300 В (ср. кв.)
Напруга колектор-емітер Vceo	70 В, Tamb 25 °C
Струм колектора Ic, макс.	50 мА, Tamb 25 °C
Прямий струм діода If, макс.	60 мА, Tamb 25 °C
CTR (SFH617A-3)	мін. 100 %, макс. 200 %, If 10 мА, Vce 5 В, Tamb 25 °C
Vce(sat)	тип. 0,25 В, макс. 0,4 В, If 10 мА, Ic 2,5 мА, Tamb 25 °C
Робоча температура	-55…+110 °C

Додати в обране

Оптрон PS2501 , DIP4

В наявності

10,34 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип виходу	NPN кремнієвий фототранзистор, вхід – GaAs світлодіод
Корпус	DIP-4
Виробник (документ)	Renesas (раніше NEC)
Напруга ізоляції	5000 В (ср. кв.), AC 1 хв, TA 25 °C, RH 60 %
Напруга колектор-емітер Vceo	80 В, TA 25 °C
Струм колектора Ic, макс.	50 мА, TA 25 °C
Прямий струм діода If (DC), макс.	80 мА, TA 25 °C
CTR	мін. 80 %, тип. 300 %, макс. 600 %, If 5 мА, Vce 5 В, TA 25 °C
Vce(sat)	макс. 0,3 В, If 10 мА, Ic 2 мА, TA 25 °C
Робоча температура	-55…+100 °C

Додати в обране

Оптрон PC817 ( PC817C ) оригінал, DIP4

В наявності

16,45 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип виходу	фототранзистор
Корпус	DIP-4
Кількість виводів	4
Напруга ізоляції Viso	5 кВ (rms)
CTR серії	50–400 % (IF = 5 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C)
Ic для рангу C	10–20 мА (IF = 5 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C)
Vceo	80 В
Ic	50 мА
Максимальний прямий струм IF	50 мА
Пряма напруга VF	1.2 В (тип.), 1.4 В (макс.) при IF = 20 мА
Робоча температура	-30…+100 °C
Стан	Оригінал

Додати в обране

Оптрон PC814 ( PC814A ) SHARP оригінал, DIP4

В наявності

23,50 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип входу	AC (двонаправлений світлодіод)
Корпус	DIP-4
Кількість виводів	4
Напруга ізоляції Viso	5000 В (rms)
CTR PC814	20–300 % (IF = ±1 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C)
CTR PC814A	50–150 % (IF = ±1 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C)
Vceo	35 В
Ic	50 мА
Максимальний прямий струм IF	±50 мА
Пряма напруга VF	1.2 В (тип.), 1.4 В (макс.) при IF = ±20 мА
Робоча температура	-30…+100 °C
Стан	Оригінал

Додати в обране

Оптрон PC120

В наявності

16,45 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип виходу	фототранзистор
Корпус	DIP-4
Кількість виводів	4
Відстань витоку	6 і більше мм
CTR	50–400 % (IF = 5 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C)
Напруга ізоляції Viso	5000 В (rms)
Vceo	35 В
Ic	50 мА
Максимальний прямий струм IF	50 мА
Пряма напруга VF	1.2 В (тип.), 1.4 В (макс.) при IF = 20 мА
Робоча температура	-30…+100 °C

Додати в обране

Оптрон PC113 , DIP6

В наявності

26,32 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Максимальна напруга колектор-емітер Vceo	70 В при Ta = 25 °C
CTR	40–320 % при IF = 10 мА, VCE = 5 В, RBE = ∞, Ta = 25 °C
Напруга ізоляції вхід–вихід	5000 В (діюче), AC, 1 хв
Макс. прямий струм IF	50 мА
Макс. струм колектора IC	50 мА
Зворотна напруга VR	6 В
Пряма напруга VF	1.2 В (тип.), 1.4 В (макс.) при IF = 20 мА
Напруга насичення VCE(sat)	0.1 В (тип.), 0.2 В (макс.) при IF = 20 мА, IC = 1 мА
Темновий струм ICEO	100 нА (макс.) при VCE = 20 В, IF = 0
Виводи	6: 1 анод, 2 катод, 3 NC, 4 емітер, 5 колектор; база (вивід 6) не підключена
Корпус	DIP-6

PC111 (TL111) оптрон DIP-6, фото маркування

Додати в обране

Оптрон PC111 ( TL111 )

В наявності

30,08 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Максимальна напруга колектор-емітер Vceo	35 В при Ta = 25 °C
CTR	50–400 % при IF = 5 мА, VCE = 5 В, Ta = 25 °C; типове 100 %
Напруга ізоляції вхід–вихід	5000 В (діюче), AC, 1 хв
Макс. прямий струм IF	50 мА
Макс. струм колектора IC	50 мА
Зворотна напруга VR	6 В
Пряма напруга VF	1.2 В (тип.), 1.4 В (макс.) при IF = 20 мА
Напруга насичення VCE(sat)	0.1 В (тип.), 0.2 В (макс.) при IF = 20 мА, IC = 1 мА
Виводи	6: 1 анод, 2 катод, 3 NC, 4 емітер, 5 колектор; база (вивід 6) не підключена
Корпус	DIP-6 (збільшена відстань витоку)

Додати в обране

Оптрон MOC8106

В наявності

32,90 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип виходу	NPN фототранзистор, вивід бази (pin 6) не підключений
Напруга колектор-емітер BVCEO	70 В (мін.) при IC = 1 мА, IF = 0
Макс. напруга колектор-емітер VCEO	70 В
Макс. струм колектора IC	50 мА (безперервний)
Макс. прямий струм світлодіода IF	60 мА (безперервний)
Коефіцієнт передачі струму CTR	50–150 % при IF = 10 мА, VCE = 10 В
Напруга ізоляції вхід–вихід	4170 В (діюче), t = 1 хв
Корпус	DIP-6

MOC3083 оптрон із фотосимістором DIP-6, фото маркування

Додати в обране

Оптрон MOC3083 ( CT3083 )

В наявності

31,49 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип виходу	симісторний драйвер із детектором переходу через нуль (zero-cross)
Напруга VDRM	800 В (макс., Tamb 25 °C, пікова)
Струм спрацювання IFT	5 мА (макс., напруга на головних виводах 3 В, Tamb 25 °C)
Макс. прямий струм LED IF	60 мА (неперервний, Tamb 25 °C)
Пряма напруга LED VF	1,3 В тип. / 1,5 В макс. (IF = 30 мА)
Зворотна напруга LED VR	6 В (макс.)
Статична dv/dt	600 В/мкс мін. / 1500 В/мкс тип. (IF = 0, Tamb 25 °C)
Імпульсний струм ITSM	1 А (макс., один період синусоїди 60 Гц)
Напруга ізоляції VISO	4170 В діюче (60 Гц, 1 хв, виводи 1-2 разом і 4-5-6 разом)
Потужність розсіювання PD	250 мВт (Tamb 25 °C)
Робочий діапазон температур	від -40 до +85 °C
Корпус	DIP-6

MOC3082 оптрон із фотосимістором DIP-6, фото маркування

Додати в обране

Оптрон MOC3082

В наявності

35,25 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип виходу	симісторний драйвер із детектором переходу через нуль (zero-cross)
Напруга VDRM	800 В (макс., Tamb 25 °C, пікова)
Струм спрацювання IFT	10 мА (макс., напруга на головних виводах 3 В, Tamb 25 °C)
Макс. прямий струм LED IF	60 мА (неперервний, Tamb 25 °C)
Пряма напруга LED VF	1,3 В тип. / 1,5 В макс. (IF = 30 мА)
Зворотна напруга LED VR	6 В (макс.)
Статична dv/dt	600 В/мкс мін. / 1500 В/мкс тип. (IF = 0, Tamb 25 °C)
Імпульсний струм ITSM	1 А (макс., один період синусоїди 60 Гц)
Напруга ізоляції VISO	4170 В діюче (60 Гц, 1 хв, виводи 1-2 разом і 4-5-6 разом)
Потужність розсіювання PD	250 мВт (Tamb 25 °C)
Робочий діапазон температур	від -40 до +85 °C
Корпус	DIP-6

MOC3081 оптрон із фотосимістором DIP-6, фото маркування

Додати в обране

Оптрон MOC3081

В наявності

38,54 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип виходу	симісторний драйвер із детектором переходу через нуль (zero-cross)
Напруга VDRM	800 В (макс., Tamb 25 °C, пікова)
Струм спрацювання IFT	15 мА (макс., напруга на головних виводах 3 В, Tamb 25 °C)
Макс. прямий струм LED IF	60 мА (неперервний, Tamb 25 °C)
Пряма напруга LED VF	1,3 В тип. / 1,5 В макс. (IF = 30 мА)
Зворотна напруга LED VR	6 В (макс.)
Статична dv/dt	600 В/мкс мін. / 1500 В/мкс тип. (IF = 0, Tamb 25 °C)
Імпульсний струм ITSM	1 А (макс., один період синусоїди 60 Гц)
Напруга ізоляції VISO	4170 В діюче (60 Гц, 1 хв, виводи 1-2 разом і 4-5-6 разом)
Потужність розсіювання PD	250 мВт (Tamb 25 °C)
Робочий діапазон температур	від -40 до +85 °C
Корпус	DIP-6

Додати в обране

Оптрон MOC3063 ( EL3063 , CT3063 ) , DIP6

В наявності

21,15 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	фототріак з детектором нульової напруги (zero-cross)
Напруга Vdrm	600 В (пікова, обидва напрямки)
Струм спрацювання LED Ift (макс.)	5 мА (напруга на головних виводах 3 В; ITM = 100 мА пік)
Максимальний струм світлодіода If	60 мА (постійний)
Пряма напруга світлодіода Vf	1,3 В (тип.), 1,5 В (макс.) при If = 30 мА
Зворотна напруга світлодіода	6 В
Піковий ударний струм Itsm	1 А
Пікова напруга у відкритому стані Vtm	1,8 В (тип.), 3 В (макс.) при ITM = 100 мА пік, If = Ift
dV/dt (статична)	600 В/мкс (мін.), 1500 В/мкс (тип.) при If = 0
Струм витоку Idrm1	10 нА (тип.), 500 нА (макс.) при Vdrm = 600 В, If = 0
Напруга ізоляції Viso	7500 В (60 Гц, 1 с; виводи 1-2 разом, 4-5-6 разом)
Повна розсіювана потужність	250 мВт при Ta = 25 °C
Корпус	DIP-6
Виводи	6 (вивід 5 – NC, не підключати)

Додати в обране

Оптрон MOC3062 smd

В наявності

23,50 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	фототріак з детектором нульової напруги (zero-cross)
Напруга Vdrm	600 В (пікова, обидва напрямки)
Струм спрацювання LED Ift (макс.)	10 мА (напруга на головних виводах 3 В; ITM = 100 мА пік)
Максимальний струм світлодіода If	60 мА (постійний)
Пряма напруга світлодіода Vf	1,3 В (тип.), 1,5 В (макс.) при If = 30 мА
Зворотна напруга світлодіода	6 В
Піковий ударний струм Itsm	1 А
Пікова напруга у відкритому стані Vtm	1,8 В (тип.), 3 В (макс.) при ITM = 100 мА пік, If = Ift
dV/dt (статична)	600 В/мкс (мін.), 1500 В/мкс (тип.) при If = 0
Струм витоку Idrm1	10 нА (тип.), 500 нА (макс.) при Vdrm = 600 В, If = 0
Напруга ізоляції Viso	7500 В (60 Гц, 1 с; виводи 1-2 разом, 4-5-6 разом)
Повна розсіювана потужність	250 мВт при Ta = 25 °C
Корпус	SMD (surface mount DIP-6)
Виводи	6 (вивід 5 – NC, не підключати)

Додати в обране

Оптрон MOC3061

В наявності

23,97 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	фототріак з детектором нульової напруги (zero-cross)
Напруга Vdrm	600 В (пікова, обидва напрямки)
Струм спрацювання LED Ift (макс.)	15 мА (напруга на головних виводах 3 В; ITM = 100 мА пік)
Максимальний струм світлодіода If	60 мА (постійний)
Пряма напруга світлодіода Vf	1,3 В (тип.), 1,5 В (макс.) при If = 30 мА
Зворотна напруга світлодіода	6 В
Піковий ударний струм Itsm	1 А
Пікова напруга у відкритому стані Vtm	1,8 В (тип.), 3 В (макс.) при ITM = 100 мА пік, If = Ift
dV/dt (статична)	600 В/мкс (мін.), 1500 В/мкс (тип.) при If = 0
Струм витоку Idrm1	10 нА (тип.), 500 нА (макс.) при Vdrm = 600 В, If = 0
Напруга ізоляції Viso	7500 В (60 Гц, 1 с; виводи 1-2 разом, 4-5-6 разом)
Повна розсіювана потужність	250 мВт при Ta = 25 °C
Корпус	DIP-6
Виводи	6 (вивід 5 – NC, не підключати)

Додати в обране

Оптрон MOC3042

В наявності

28,67 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	onsemi (Fairchild)
Корпус	DIP-6
Тип	zero-cross, вихід – фотосимістор з детектором переходу через нуль
Напруга VDRM	400 В (пік)
Макс. струм світлодіода IF	60 мА (абсолютний максимум, постійний)
Зворотна напруга світлодіода VR	6 В (абсолютний максимум)
Пряма напруга світлодіода VF	1.25 В (typ), 1.50 В (max) при IF = 30 мА
Струм спрацювання IFT	10 мА (max) при напрузі на головних виводах 3 В
Піковий неповторюваний струм ITSM	1 А (пік), 60 Гц, синусоїда, один період
Напруга VTM	1.8 В (typ), 3.0 В (max) при ITM = 100 мА пік, IF = 0
Швидкість dv/dt	2000 В/мкс (typ), 1000 В/мкс (min) при IF = 0
Напруга блокування VIH	20 В (max)
Струм витоку IDRM2	2 мА (max) при IF = номінальний IFT, номінальній VDRM
Ізоляція VISO	4170 В (діюче), 1 хвилина

Додати в обране

Оптрон MOC3023 , DIP6

В наявності

18,80 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	onsemi (Fairchild)
Корпус	DIP-6
Напруга VDRM	400 В (пік)
Макс. струм світлодіода IF	60 мА (абсолютний максимум, постійний)
Пряма напруга світлодіода VF	1.15 В (typ), 1.50 В (max) при IF = 10 мА
Піковий імпульсний струм ITSM	1 А (імпульс 100 мс, 120 імп./с)
Струм витоку IDRM	10 нА (typ), 100 нА (max) при номінальній VDRM, IF = 0
Напруга VTM	1.8 В (typ), 3.0 В (max) при ITM = 100 мА пік
Швидкість dv/dt	1000 В/мкс (min) при номінальній VDRM, IF = 0
Ізоляція VISO	4170 В (діюче), 1 хвилина
Тип	random-phase, вихід – фотосимістор
Струм спрацювання IFT	5 мА (max) при напрузі на головних виводах 3 В

Додати в обране

Оптрон MOC3022 ( CT3022 )

В наявності

18,80 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	onsemi (Fairchild)
Корпус	DIP-6
Напруга VDRM	400 В (пік)
Макс. струм світлодіода IF	60 мА (абсолютний максимум, постійний)
Пряма напруга світлодіода VF	1.15 В (typ), 1.50 В (max) при IF = 10 мА
Піковий імпульсний струм ITSM	1 А (імпульс 100 мс, 120 імп./с)
Струм витоку IDRM	10 нА (typ), 100 нА (max) при номінальній VDRM, IF = 0
Напруга VTM	1.8 В (typ), 3.0 В (max) при ITM = 100 мА пік
Швидкість dv/dt	1000 В/мкс (min) при номінальній VDRM, IF = 0
Ізоляція VISO	4170 В (діюче), 1 хвилина
Тип	random-phase, вихід – фотосимістор
Струм спрацювання IFT	10 мА (max) при напрузі на головних виводах 3 В

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Магазин