Магазин

Показано 1657–1680 із 3906Сортовано за останнім

Показати 20 40 80

Оптрон MOC3021

В наявності

18,80 ₴
ПараметрЗначення
Типз фотосимістором, random-phase
Напруга вимкненого стану Vdrm400 В (пік.)
Струм спрацювання IFT15 мА макс.
Прямий струм світлодіода IF макс.60 мА
Піковий імпульсний струм ITSM1 А
Напруга ізоляції Viso (1 хв)4170 В (ефект.)
КорпусDIP-6
На канікулах до 20.11

Оптрон HCPL3120 ( A3120 , HCPL3120-000E ) оригінал, DIP8

В наявності

114,21 ₴
ПараметрЗначення
Піковий вихідний струм2,5 А
Напруга живлення (VCC – VEE)15–30 В
Вхідний струм увімкнення IF(ON)7–16 мА
Вихідна напруга низького рівня VOL0,5 В макс. при IO = 100 мА
Напруга ізоляції Viso (1 хв)3750 В (ефект.)
Робоча температура-40…+100 °C
КорпусDIP8
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Оптрон HCPL2631 ( HP2631 , A2631 )

В наявності

56,40 ₴
ПараметрЗначення
Кількість каналів2
Швидкість передачі10 Мбіт/с
Тип виходулогічний, відкритий колектор
Напруга живлення Vcc (рекомендована)4,5–5,5 В
Прямий струм світлодіода IF макс. (на канал, Ta 25 °C)30 мА
Напруга ізоляції Viso (1 хв)2500 В (ефект.)
Робоча температура-40…+85 °C
КорпусDIP8
На канікулах до 20.11

Оптрон H11L1

В наявності

31,96 ₴
ПараметрЗначення
Тип виходутригер Шмітта, відкритий колектор
КорпусDIP-6
Напруга ізоляції Viso4170 В (RMS), t = 1 хв
Напруга живлення VCC3–15 В
Швидкість передачі даних1 МГц (тип.)
Струм вмикання IF(on)1,6 мА (макс.) при RL = 270 Ом, VCC = 5 В
Максимальний струм світлодіода IF30 мА
Виробник за datasheetonsemi (Fairchild)
На канікулах до 20.11

Оптрон CQY80 ( CQY80NG , CQY80N )

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип виходуфототранзистор з виводом бази
КорпусDIP-6
Напруга ізоляції Viso5000 В (RMS), t = 1 хв
CTR (мін.)50 % при VCE = 5 В, IF = 10 мА
VCEO32 В
Струм колектора IC50 мА постійний
Потужність Ptot250 мВт
Гранична частота fc (тип.)110 кГц
Виробник за datasheetVishay
На канікулах до 20.11

Оптрон 4N35

В наявності

12,22 ₴
ПараметрЗначення
Тип виходуфототранзистор NPN з виводом бази
КорпусDIP-6
Напруга ізоляції Viso5000 В (RMS)
CTR (мін.)100 % при VCE = 10 В, IF = 10 мА
Струм світлодіода IF (макс.)50 мА
Струм колектора IC50 мА постійний
BVCEO (мін.)30 В при IC = 1 мА
Виробник за datasheetVishay
На канікулах до 20.11

Мікросхема YX8115 , TO92-3pin

В наявності

15,04 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникShiningic
ТипПідвищувальний драйвер світлодіодів
Вхідна напруга Vin0,9–1,8 В (Ta 25 °C)
Напруга VDD, макс.4,2 В
ККДне менше 80 %
Частота перетворення280 кГц (Vin 1,5 В, Ta 25 °C)
Робоча температура-40…+85 °C
Потужність розсіювання Pd0,5 Вт (Ta 25 °C, TO-92 і SOT-23)
КорпусTO-92
На канікулах до 20.11

Мікросхема YD723A ( YD723 ) , DIP8

В наявності

46,06 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi Youda Electronics
КорпусDIP8
Робоча напруга живлення1,8–15 В
Vcc, макс. (граничне)16 В при Tamb 25 °C
Піковий вихідний струм (граничний)1 А при Tamb 25 °C
Температура зберігання-40…+150 °C
На канікулах до 20.11

Мікросхема YD1029B оригінал, HZIP19D

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Мікросхема YD1028 , TO220-9

В наявності

61,10 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникE-youda
КорпусTO-220, 9 виводів
Напруга живлення Vcc8,0–18,0 В (типово 13,2 В)
Потужність BTL, THD 10 %16 / 18 Вт (мін/тип) при Vcc 13,2 В, RL 4 Ом, f 1 кГц
Потужність у стерео, кожен канал9 Вт при Vcc 13,2 В, RL 2 Ом, THD 10 %
Коефіцієнт підсилення BTL45 / 46 / 47 дБ (мін/тип/макс)
Вхідний опір25 / 30 / 38 кОм (мін/тип/макс)
На канікулах до 20.11

Мікросхема WT7520 оригінал, DIP16

В наявності

86,01 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWeltrend Semiconductor
КорпусDIP16
Vcc, макс. (граничне)5,5 В
Потужність розсіювання Pd (граничне)200 мВт
Робоча температура-10…+70 °C
Затримка Power Good150 / 280 / 350 мс (мін/тип/макс) при Ta 25 °C, Vcc 5 В
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Мікросхема WT7510 оригінал ( заміна для TPS3510 , LP3510 , LP7510 ), DIP8

В наявності

79,90 ₴
ПараметрЗначення
Напруга живлення Vcc4–15 В (типово 12 В)
Поріг перенапруги V333,9 В (тип.)
Поріг перенапруги V56,1 В (тип.)
Поріг перенапруги Vcc/V1213,4 В (тип.)
Затримка Power Good300 мс
ВиходиPGO і FPL_N – з відкритим стоком
КорпусDIP8
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Мікросхема VIPer53 ( VIPer53E ) , DIP8

В наявності

219,96 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Пробивна напруга стік-витік620 В
Опір відкритого каналу0,9 Ом (ID 1 А, тип.)
Піковий струм стоку2 А
Частота перемиканнядо 300 кГц
КорпусDIP8
На канікулах до 20.11

Мікросхема VIPer50A ( VIPer50 ) оригінал, TO220-5

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга стік-витік700 В
Номінальний струм MOSFET1,5 А
Опір відкритого каналу4,6 Ом (ID 2 А, тип.)
Піковий струм обмеження2 А (VDD 12 В, тип.)
Частота перемиканнядо 200 кГц
КорпусPentawatt HV (TO-220-5)
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Мікросхема VIPer22A оригінал ( заміна для AP8012 ), DIP8

В наявності

83,66 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусDIP8
Напруга BVdss730 В (мін.) при Id = 1 мА, Vfb = 2 В
Обмеження струму Idlim0,56 / 0,70 / 0,84 А (мін. / тип. / макс.)
Частота60 кГц (54 / 66 кГц мін. / макс.) при Tj = 0–100 °C
Напруга живлення VDD9–38 В
Поріг запуску VDD on14,5 В (тип.)
Тепловий опір перехід-середовище45 °C/Вт (макс.), плата FR4, 200 мм2 міді під виводами DRAIN
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Мікросхема VIPer20A ( VIPER20 ) , TO220-5

В наявності

94,94 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусTO220-5
Напруга VDSS700 В при Id = 1 мА, Vcomp = 0 В
Струм ключа0,5 А
Rds(on) при 25 °C15,5 Ом (тип.) / 18 Ом (макс.) при Id = 0,4 А
Rds(on) при 100 °C32 Ом (макс.) при Id = 0,4 А
Розсіювана потужність Ptot57 Вт при Tc = 25 °C
Частота перемиканнярегулюється до 200 кГц
На канікулах до 20.11

Мікросхема VIPer16L ( VIPer16LN ) оригінал, DIP7

В наявності

108,10 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусDIP7
Напруга стік-витік Vdrain (макс.)800 В
Пробивна напруга BVdss800 В (мін.) при Idrain = 1 мА, Tj = 25 °C
Rds(on) при 25 °C20 Ом (тип.) / 24 Ом (макс.) при Idrain = 0,2 А
Rds(on) при 125 °C40 Ом (тип.) / 48 Ом (макс.) при Idrain = 0,2 А
Робоча частота60 кГц
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Мікросхема VIPer12A оригінал, so-8

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
Призначенняoff-line імпульсний первинний перемикач
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга стік-витік730 В (Tj 25–125 °C, абсолютний максимум)
Пробивна напруга стік-витік730 В (ID 1 мА, VFB 2 В, Tj 25 °C, мін.)
Rds(on)27 Ом (ID 0,2 А, Tj 25 °C, VDD 18 В, тип.)
Обмеження піків струму0,4 А (VFB 0 В, VDD 18 В, тип.)
Частота перемикання60 кГц
Напруга живлення VDD9–38 В
Поріг запуску VDD14,5 В (тип.)
Поріг вимкнення VDD8 В (тип.)
Типова потужність (SO-8)8 / 5 Вт (195–265 В AC / 85–265 В AC)
Робоча температура корпусу-40…150 °C
КорпусSO-8
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Мікросхема VDP3120B C3 б/в

В наявності

244,40 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіVDP3120B C3
СтанДемонтаж б/в
На канікулах до 20.11

Мікросхема VDP3120B C3 ( VDP3112B C3 , VDP3116B C3 )

В наявності

265,55 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіVDP3120B C3
Позначення в назвіVDP3112B C3, VDP3116B C3
На канікулах до 20.11

Мікросхема VDP3108B C3

В наявності

470,00 ₴
ПараметрЗначення
Типоднокристальний відеопроцесор
На канікулах до 20.11

Мікросхема UTC1353 демонтаж

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
Призначеннятракт ПЧ звуку телевізора
Робоча напруга живлення9–18 В
Напруга живлення V10 (макс.)20 В при Ta 25 °C
Вихідна потужність2,4 Вт при Vcc 18 В, RL 8 Ом; 1,2 Вт при Vcc 12 В, RL 8 Ом
Придушення шуму (squelch)80 дБ, типове
Робоча температура-20…75 °C
Температура зберігання-40…150 °C
КорпусDIP-14H
СтанДемонтаж б/в
На канікулах до 20.11

Мікросхема UTC1031 демонтаж

В наявності

37,60 ₴
ПараметрЗначення
Призначеннякадрова розгортка ТВ
Робоча напруга живлення9–18 В за схемою застосування
Напруга живлення (макс.)20 В при Ta 25 °C
Вихідний струм (розмах)2 А (p-p) при Ta 25 °C
Робоча температура-20…70 °C
Температура зберігання-40…125 °C
КорпусSIP-10H
СтанДемонтаж б/в
На канікулах до 20.11

Мікросхема ULN2804AFWG , smd

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникToshiba
Конфігурація8 каналів Дарлінгтона NPN із вбудованими захисними діодами
Вихідна напруга VCE(SUS)50 В (макс. у закритому стані, мін. 50 В)
Вихідний струм500 мА на канал, макс.
Вхідна напруга (макс.)30 В при Ta 25 °C
Зворотна напруга захисного діода50 В при Ta 25 °C
Прямий струм захисного діода500 мА при Ta 25 °C
Вхідрезистор 10,5 кОм, для КМОН і PMOS 6–15 В
Робоча температура-40…85 °C
Температура зберігання-55…150 °C
КорпусSOP-18
На канікулах до 20.11