Магазин
Мікросхема TM1628 ( TM1628A , TM1628L , TA6928 , SM1628 , TM1628 , ET6202 , PT6964 , V6928 ) , so-28
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Titan Micro Electronics |
| Режим розгортки | 1/7–1/8 |
| Клавіатура | 8 × 2 |
| Яскравість | 8 ступенів |
| Напруга живлення VDD | 5 В (4,5–5,5 В, Ta = –20…+70 °C) |
| Частота генератора | 500 кГц (тип.) |
| Корпус | SOP-28 |
Мікросхема TM0265R , DIP8
В наявності
38,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Titan Micro Electronics |
| Напруга стоку Vds | 650 В (макс., Tj = 110 °C) |
| Частота перемикання | 100 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 72 % |
| Напруга вмикання Vcc | 13,5 В (тип.) |
| Напруга вимикання Vcc | 8,5 В (тип.) |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема TL5001ACD ( 5001AC ) , so-8 ( FP5001 )
В наявності
89,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | ШІМ-контролер DC/DC перетворювачів |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOIC (D), 8 виводів |
| Напруга живлення Vcc (рекомендована) | 3,6–40 В |
| Напруга живлення Vcc (абс. максимум) | 41 В |
| Вихідна напруга OUT (абс. максимум) | 51 В |
| Вихідний струм OUT (абс. максимум) | 21 мА (піковий 100 мА) |
| Частота генератора | 20–500 кГц |
| Опорна напруга | 1 В (±3 % для TL5001A) при VCC = 6 В |
| Робочий діапазон температур TL5001AC | –20…85 °C |
Мікросхема TL494CN оригінал ( заміна для TL494L , DBL494 , KIA494 ) , DIP16
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | ШІМ-контролер імпульсних блоків живлення |
| Корпус | DIP16 |
| Корпус (докладно) | PDIP (N), 16 виводів |
| Напруга живлення Vcc (рекомендована) | 7–40 В |
| Напруга живлення Vcc (абс. максимум) | 41 В |
| Напруга колектора вихідного транзистора (рекомендована) | 40 В |
| Струм колектора вихідного транзистора (рекомендований) | 200 мА |
| Частота генератора | 1–300 кГц |
| Опорна напруга REF | 5 В (4,75–5,25 В) при Io = 1 мА, TA = 25 °C |
| Точність опорної напруги | 5 % |
| Робочий діапазон температур | 0…70 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TL494C ( TL494 , TL494CDR , TL494IDR , DBL494 , KIA494 ) оригінал, so-16
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | ШІМ-контролер імпульсних блоків живлення |
| Корпус | SO-16 |
| Корпус (докладно) | SOIC (D), 16 виводів |
| Напруга живлення Vcc (рекомендована) | 7–40 В |
| Напруга живлення Vcc (абс. максимум) | 41 В |
| Напруга колектора вихідного транзистора (рекомендована) | 40 В |
| Струм колектора вихідного транзистора (рекомендований) | 200 мА |
| Частота генератора | 1–300 кГц |
| Опорна напруга REF | 5 В (4,75–5,25 В) при Io = 1 мА, TA = 25 °C |
| Точність опорної напруги | 5 % |
| Робочий діапазон температур TL494C | 0…70 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TL1451ACN , DIP
В наявності
83,66 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Кількість каналів ШІМ | 2 шт. |
| Корпус | DIP16 |
| Напруга живлення Vcc (рекомендована) | 3.6–50 В |
| Напруга живлення Vcc (гранично допустима) | 51 В |
| Частота генератора | 1–500 кГц |
| Робочий діапазон температур | -20…85 °C |
| Опорна напруга | 2.5 В (тип.) при Io = 1 мА, Vcc = 6 В |
| Струм споживання в режимі очікування | 1.3 мА (тип.), 1.8 мА (макс.) при Vcc = 6 В |
Мікросхема TL084C ( 084C , TL084CDT ) оригінал, so-14
В наявності
25,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Кількість каналів | 4 ОП |
| Корпус | SO-14 |
| Напруга живлення (рекомендована) | 4.5–40 В |
| Робочий діапазон температур | 0–70 °C |
| Струм споживання на один ОП | 1.4 мА (тип.), 2.5 мА (макс.) |
| Вхідний струм зсуву Ib | 65 пА (тип.), 200 пА (макс.) |
| Напруга зміщення нуля Vos | 3 мВ (тип.), 10 мВ (макс.) |
| CMRR | 70 дБ (мін.), 100 дБ (тип.) |
| Густина шуму напруги | 37 нВ/√Гц при f = 1 кГц |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TL082CN ( TL082CP ) , DIP8
В наявності
14,57 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Кількість каналів | 2 ОП |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення (рекомендована) | 4.5–40 В |
| Робочий діапазон температур | 0–70 °C |
| Струм споживання на один ОП | 1.4 мА (тип.), 2.5 мА (макс.) |
| Вхідний струм зсуву Ib | 65 пА (тип.), 200 пА (макс.) |
| Напруга зміщення нуля Vos | 3 мВ (тип.), 10 мВ (макс.) |
| CMRR | 70 дБ (мін.), 100 дБ (тип.) |
| Густина шуму напруги | 37 нВ/√Гц при f = 1 кГц |
Мікросхема TL082CDT , smd
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Кількість підсилювачів у корпусі | 2 |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга зміщення нуля Vos (тип. / макс.) | 3 / 10 мВ |
| Вхідний струм зміщення Ib (тип. / макс.) | 65 / 200 пА |
| Добуток підсилення на смугу GBW (тип.) | 5.25 МГц |
| Швидкість наростання SR (мін. / тип.) | 8 / 20 В/мкс |
| Струм споживання на один підсилювач (тип. / макс.) | 1.4 / 2.5 мА |
| Напруга живлення, абсолютний максимум | 42 В |
Мікросхема TL081CP оригінал, DIP8
В наявності
38,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Кількість підсилювачів у корпусі | 1 |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга зміщення нуля Vos (тип. / макс.) | 3 / 10 мВ |
| Вхідний струм зміщення Ib (тип. / макс.) | 65 / 200 пА |
| Добуток підсилення на смугу GBW (тип.) | 5.25 МГц |
| Швидкість наростання SR (мін. / тип.) | 8 / 20 В/мкс |
| Струм споживання на один підсилювач (тип. / макс.) | 1.4 / 2.5 мА |
| Напруга живлення, абсолютний максимум | 42 В |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TL074CN , DIP14
В наявності
15,51 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Кількість підсилювачів у корпусі | 4 |
| Корпус | DIP14 |
| Напруга зміщення нуля Vos (тип. / макс.) | 3 / 10 мВ |
| Вхідний струм зміщення Ib (тип. / макс.) | 65 / 200 пА |
| Добуток підсилення на смугу GBW (тип.) | 5.25 МГц |
| Швидкість наростання SR (мін. / тип.) | 8 / 20 В/мкс |
| Струм споживання на один підсилювач (тип. / макс.) | 1.4 / 2.5 мА |
| Напруга живлення, абсолютний максимум | 42 В |
Мікросхема TL071CP ( TL071CN ) , DIP8
В наявності
44,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Кількість підсилювачів | 1 |
| Корпус | DIP8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Напруга живлення (рекомендована) | 4.5…40 В |
| Напруга живлення (макс.) | 42 В |
| Струм споживання на підсилювач | 1.4 мА (тип.), 2.5 мА (макс.) при Vs ±15 В, Ta 25 °C |
| Шум по напрузі | 37 нВ/√Гц при f 1 кГц |
| Напруга зсуву входу | 3 мВ (тип.), 10 мВ (макс.) при Rs 50 Ом, Ta 25 °C |
| Робочий діапазон температур | 0…70 °C |
Мікросхема TL061CP , DIP8
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Кількість підсилювачів | 1 |
| Корпус | DIP8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Напруга живлення (рекомендована) | ±5…±15 В |
| Напруга живлення (макс.) | ±18 В |
| Струм споживання на підсилювач | 200 мкА (тип.), 250 мкА (макс.) при Vcc ±15 В, Ta 25 °C |
| Смуга одиничного підсилення | 1 МГц (тип.) при RL 10 кОм, Ta 25 °C |
| Робочий діапазон температур | 0…70 °C |
Мікросхема THX203H , DIP8 ( CR6203 , RM6203 , PD223 , SDC603 , SH604 )
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | THX (TongHuaXin) |
| Напруга ключа | 700 В (мін., Ioc = 10 мА) |
| Вихідна потужність | 12 Вт безперервно, 18 Вт пікова |
| Обмеження струму | 580 мА (Tj = 0–100 °C) |
| Піковий струм ключа | 800 мА (гранично допустимий) |
| Робоча напруга VCC | 4,8–9,0 В |
| Частота генератора | 61 кГц (Ct = 680 пФ, Vcc = 5,5–7,5 В, Ta = 25 °C) |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема THX202H ( SW2603 )
В наявності
51,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | THX Micro-elec. |
| Вихідна потужність | 5 Вт (вхід 85–265 В AC) / до 8 Вт (вузький вхід) |
| Напруга ключа | 700 В (мін., Ioc = 10 мА) |
| Падіння на ключі | 1 В (макс., Ioc = 250 мА) |
| Піковий струм ключа | 300 мА |
| Обмеження струму | 270 мА (тип.; 250–290 мА) |
| Робоча напруга VCC | 4,8–9,0 В |
| Напруга запуску VCC | 8,8 В (мін. 8,6, макс. 9,0) |
| Частота генератора | 66 кГц (Ct = 330 пФ, Vcc = 5,5–7,5 В, Ta = 25 °C) |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема THX201 ( THX201H ) , DIP8
В наявності
20,21 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | THX Micro-elec. |
| Вихідна потужність | 18 Вт (безперервна, вхід 85–265 В AC, із зовнішнім транзистором 13003) |
| Напруга запуску VCC | 8,8 В (мін. 8,6, макс. 9,0) |
| Робоча напруга VCC | 4,8–9,0 В |
| Макс. напруга VCC | 16 В |
| Опорна напруга | 2,5 В (Io = 1,0 мА, Ta = 25 °C) |
| Частота генератора | 61 кГц (Ct = 680 пФ, Vcc = 5,5–7,5 В, Ta = 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 57 % (тип.) |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема TEA5101B оригінал ( TEA5101A )
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Смуга пропускання | 10 МГц (тип.) |
| Час наростання і спаду | 50 нс (тип.) |
| Напруга живлення VDD | 200 В (тип.; макс. 220; Tamb 25 °C) |
| Напруга живлення VCC | 12 В (тип.; макс. 15) |
| Розсіювана потужність | 3.5 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | 0…70 °C |
| Корпус | MULTIWATT15 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TEA2261 оригінал ( Заміна для TEA2260 )
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP16 Batwing |
| Вихідний струм (втікаючий) | 1.2 А, піковий |
| Вихідний струм (витікаючий) | 2.0 А, піковий |
| VCC(start) | 10.3 В при Tamb 25 °C |
| VCC(stop) | 7.4 В при Tamb 25 °C |
| Поріг OVP VCC | 15.7 В |
| Опорна напруга | 2.49 В |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TEA2025B ( KA2206N , TA7769P , S1A2206D01 , S1A2206001 )
В наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | PowerDIP16 (12+2+2) |
| Напруга живлення Vs | 3–12 В |
| Макс. Vs | 15 В |
| Струм спокою Iq | 35 мА тип. при Vs 9 В, стерео |
| Потужність на канал | 2.3 Вт при Vs 9 В, RL 4 Ом, d 10 % |
| Підсилення стерео | 45 дБ |
| Підсилення міст | 51 дБ |
| Піковий струм Io | 1.5 А |
| Tj макс. | 150 °C |
Мікросхема TEA1751T , so-16
В наявності
85,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Тип | Комбінований контролер PFC та flyback-перетворювача з HV-стартом |
| Корпус | SO-16 |
| Корпус (докладно) | SO16, 16 виводів, ширина корпусу 3,9 мм (SOT109-1) |
| Потужність блока живлення | до 250 Вт |
| Мережева напруга живлення | 70–276 В (AC) |
| Макс. напруга на виводі HV | 650 В (граничне значення) |
| Напруга старту | 15 В (typ.; 14–16 В; Tamb 25 °C, VCC 20 В) |
| Макс. частота перемикання PFC | 125 кГц (typ.; 100–150 кГц; Tamb 25 °C) |
| Струм стоку виходу PFCDRIVER | 0.7 А (typ.; VPFCDRIVER = 2 В) |
| Розсіювана потужність | 0.6 Вт (Tamb < 75 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема TEA1733 оригінал ( TEA1733T , TEA1733L , TEA1733AT ) , so-8
В наявності
112,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Тип | ШІМ-контролер flyback-блока живлення |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SO8, 8 виводів, ширина корпусу 3,9 мм (SOT96-1) |
| Потужність блока живлення | до 75 Вт |
| Діапазон напруги живлення VCC | 12–30 В |
| Макс. напруга VCC | 30 В (постійно, граничне значення) |
| Напруга старту | 20.6 В (typ.; 18,6–22,6 В; Tamb 25 °C, VCC 20 В) |
| Поріг UVLO | 12.2 В (typ.; 11,2–13,2 В; Tamb 25 °C) |
| Частота генератора | 91.5 кГц (typ.; 85,5–97,5 кГц; Tamb 25 °C) |
| Струм споживання при старті | 10 мкА (typ.) |
| Робочий струм споживання | 0.55 мА (typ.; 0,45–0,65 мА; без навантаження) |
| Струм стоку виходу DRIVER | 0.3 А (typ.; VDRIVER = 2 В) |
| Розсіювана потужність | 0.5 Вт (Tamb < 75 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TEA1716T оригінал, so-24
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Тип | Контролер PFC та напівмостового резонансного (LLC) перетворювача |
| Корпус | SOP-24 |
| Корпус (докладно) | SO24, 24 виводи, ширина корпусу 7,5 мм (SOT137-1) |
| Мережева напруга живлення | 70–276 В (AC) |
| Потужність блока живлення | 90–500 Вт |
| Макс. частота напівмоста | 500 кГц |
| Макс. частота PFC | 125 кГц (typ.; мін. 100, макс. 150; Tamb 25 °C, VSUPIC 20 В) |
| Напруга старту на SUPIC | 20 В (typ.; 19–21 В; Tamb 25 °C) |
| Напруга старту на SUPIC без HV | 15 В (typ.; 14,1–15,9 В) |
| Макс. напруга на виводі SUPHV | 630 В (постійно, граничне значення) |
| Струм стоку виходу GATEPFC | 0.6 А (typ.; VGATEPFC = 2 В) |
| Розсіювана потужність | 0.8 Вт (Tamb < 75 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TEA1623PH , DIP16
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | DIP16 |
| Макс. напруга VCC | 40 В |
| VCC(start) | 9.5 В |
| VCC(stop) | 7.5 В |
| Напруга DRAIN | 650 В при Tj > 0 °C |
| RDSon | 6.5 Ом тип. при ISOURCE = -0.5 A, Tj = 25 °C |
| Частота генератора | 10–200 кГц |
| Ptot | 1.7 Вт при Tamb < 50 °C |
| Tj макс. | 145 °C |