Магазин

Показано 1825–1848 із 3906Сортовано за останнім

Показати 20 40 80

Мікросхема TDA7564B оригінал демонтаж

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусFlexiwatt25
Потужність на 4 Ом4 x 28 Вт (VS 14,4 В, 1 кГц, THD 10 %)
Макс. потужність4 x 50 Вт (VS 15,2 В, 4 Ом)
Напруга живлення8–18 В
Піковий вихідний струм8 А (неповторюваний, t = 100 мс)
Струм спокою170 мА, макс. 300 мА (VS 14,4 В, RL 4 Ом)
Підсилення26 та 12 дБ (по I2C)
Потужність розсіювання85 Вт (Tcase 70 °C)
КеруванняI2C
СтанОригінал, демонтаж б/в
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7560 демонтаж ( CLEA-0041 , C1EA-0041 , CLEA-004L )

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Вихідна потужність на 4 Ом4 x 30 Вт (14,4 В, 1 кГц, THD 10 %)
Вихідна потужність на 2 Ом4 x 55 Вт (14,4 В, 1 кГц, THD 10 %)
Коефіцієнт підсилення26 дБ
Струм спокою200 мА (VS 14,4 В, Play)
КорпусFlexiwatt25
ВиробникSTMicroelectronics
СтанДемонтаж б/в
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7496LK оригінал ( заміна для SA7496LS ), so-20

В наявності

88,36 ₴
ПараметрЗначення
Кількість каналів2 (стерео, клас AB)
Вихідна потужність2 Вт (THD 10 %, RL 8 Ом, VSS 14 В)
Напруга живлення10–18 В (TA 25 °C)
Струм спокою25 мА (VSS 14 В, TA 25 °C)
Коефіцієнт підсилення30 дБ
КорпусSO-20
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7495

В наявності

133,95 ₴
ПараметрЗначення
Призначеннястереопідсилювач 11 + 11 Вт класу AB з DC-регулюванням гучності
Вихідна потужність на канал11 Вт (THD 10 %, VS 28 В, RL 8 Ом)
Напруга живлення11–35 В
Струм спокою70 мА (VS 20 В, RL 8 Ом, Tamb 25 °C)
КорпусMULTIWATT15
ВиробникSTMicroelectronics
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7494

В наявності

120,79 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMULTIWATT15
Вихідна потужність10 Вт (THD 10 %, VCC 28 В, RL 8 Ом, тип.)
Напруга живлення11–35 В
Струм спокою22 мА (тип.; VS 21 В, RL 8 Ом)
Макс. вхідна напруга8 Vpp
Входи3 комутовані входи
Розсіювана потужність16 Вт (Tamb 70 °C)
Робоча температура-20–85 °C
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7449 , DIP

В наявності

98,70 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусDIP
Напруга живлення6–10.2 В (тип. 9 В)
Струм споживання7 мА (тип.; VS 9 В, RL 10 кОм)
Входи2 стереовходи з мультиплексором
Регулювання гучності-47–0 дБ (крок 1 дБ)
Регулювання низьких і високих±14 дБ (крок 2 дБ)
Відношення сигнал/шум106 дБ (Vout 1 В rms)
Робоча температура0–70 °C
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7394

В наявності

271,66 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMULTIWATT15
Макс. вихідна потужність2 × 30 Вт (EIAJ, VS 13.2 В, RL 4 Ом)
Потужність на канал22 Вт (THD 10 %, VS 14.4 В, RL 4 Ом, тип.)
Коефіцієнт підсилення40 дБ (VS 13.2 В, f 1 кГц, RL 4 Ом)
Струм спокою90 мА (тип.)
Напруга живлення, макс.18 В
Макс. температура переходу150 °C
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7388 (Заміна для TDA7386 , TB2903HQ , TB2904HQ , TB2906H )

В наявності

150,40 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусFlexiwatt25
Кількість виводів25
Макс. вихідна потужність4 × 45 Вт, RL 4 Ом
Вихідна потужність на канал26 Вт (мін. 22 Вт); VS 14.4 В, f 1 кГц, RL 4 Ом, Tamb 25 °C, THD 10 %
Коефіцієнт підсилення26 дБ (мін. 25, макс. 27)
Робоча напруга живлення18 В (макс.)
Напруга живлення DC28 В (макс.)
Розсіювана потужність80 Вт при Tcase 70 °C
Макс. температура переходу150 °C
На канікулах до 20.11

Транзистор PDP6980-5 ( DP6980-5 ) оригінал, TO220

В наявності

237,82 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
КорпусTO-220
ВиробникPotens Semiconductor
Напруга Vds (VGS=0 В, ID=250 мкА)65 В
Струм стоку Id (TC 25 °C)180 А
Струм стоку Id (TC 100 °C)113 А
Rds(on) (VGS=10 В, ID=20 А)1.7 мОм (тип.), 2.2 мОм (макс.)
Rds(on) (VGS=4.5 В, ID=15 А)2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.)
Порогова напруга Vgs(th)1–2.5 В (тип. 1.5 В)
Заряд затвора Qg130 нКл (тип.), 260 нКл (макс.)
Вхідна ємність Ciss9040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C)278 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7385

В наявності

85,07 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусFlexiwatt25
Кількість виводів25
Вихідна потужність на канал23 Вт (тип.), 21 Вт (мін.); Vs = 14.4 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц, THD = 10 %
Підсилення за напругою26 дБ (25–27)
Робоча напруга живлення18 В (макс.)
Макс. постійна напруга живлення28 В
Струм спокою180 мА (тип.), 300 мА (макс.) при Vs = 14.4 В
Розсіювана потужність80 Вт при Tcase = 70 °C
Макс. температура переходу150 °C
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7377 оригінал ( заміна для YD7377 )

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMULTIWATT15
Кількість виводів15
Вихідна потужність (міст)20 Вт (тип.), 18 Вт (мін.); 2 канали, Vs = 14.4 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц, THD = 10 %
Вихідна потужність (звичайний вихід)6 Вт (тип.), 5.5 Вт (мін.); 4 канали, Vs = 14.4 В, RL = 4 Ом, THD = 10 %
Напруга живлення Vs8–18 В
Макс. постійна напруга живлення28 В
Струм спокою150 мА при Vs = 14.4 В
Розсіювана потужність36 Вт при Tcase = 85 °C
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7365

В наявності

110,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMULTIWATT15
Напруга живлення Vs8–18 В
Макс. постійна напруга28 В
Потужність на канал6 Вт типово, 5.5 Вт мінімум (Vs = 14.4 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц, THD = 10 %)
Потужність при 2 Ом9 Вт типово (Vs = 14.4 В, THD = 10 %)
Підсилення40 дБ (39–41)
Струм спокою80 мА типово (Vs = 14.4 В)
Розсіювана потужність32 Вт (Tcase = 85 °C)
Тепловий опір кристал–корпус2 °C/Вт максимум
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7313ND ( TDA7313D )( заміна для SC7313S ) , so-28

В наявності

111,86 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусSOP-28
Напруга живлення Vs6–10 В (типово 9 В)
Макс. напруга живлення10.2 В (абсолютний максимум)
Макс. вхідний сигнал2 Vrms (мін.)
THD0.01 % типово, 0.1 % максимум (V = 1 Vrms, f = 1 кГц)
Відношення сигнал/шум106 дБ (типово)
Розділення каналів103 дБ (типово, f = 1 кГц)
Регулювання гучностівід -78.75 до 0 дБ, крок 1.25 дБ
Регулювання тембрувід -14 до +14 дБ, крок 2 дБ
Робоча температуравід -40 до 85 °C
На канікулах до 20.11

Мікросхема PAL007C демонтаж ( Заміна для PAL007E )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Призначенняпідсилювач потужності
Кількість каналів4 (OUT1–OUT4)
Кількість виводів25 (виводи 1–25 та TAB)
Захистивід перенапруги, перегріву, короткого замикання, обмеження струму, детектор зсуву
СтанДемонтаж б/в
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7294 оригінал

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMULTIWATT15
Напруга живлення±10…±40 В (Vs ±35 В, RL 8 Ом, Tamb 25 °C)
Напруга живлення, макс. допустима±50 В (без сигналу)
Вихідна потужність (RMS)70 Вт, мін. 60 Вт (THD 0,5 %, Vs ±35 В, RL 8 Ом)
Музична потужність100 Вт (THD 10 %, RL 8 Ом, Vs ±38 В, t = 1 с)
Нелінійні спотворення0,005 % (Po 5 Вт, f 1 кГц, Vs ±35 В, RL 8 Ом)
Струм спокою30 мА, 20…65 мА (Vs ±35 В, RL 8 Ом)
Піковий вихідний струм10 А
Розсіювана потужність50 Вт (Tcase 70 °C)
Тепловий опір перехід–корпус1,5 °C/Вт
Робоча температура0…70 °C
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7293 оригінал

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMULTIWATT15
Напруга живлення±12…±50 В (Tamb 25 °C)
Напруга живлення, макс. допустима±60 В (без сигналу)
Вихідна потужність100 Вт (THD 10 %, RL 8 Ом, Vs ±40 В)
Нелінійні спотворення0,005 % (Po 5 Вт, f 1 кГц, Vs ±40 В, RL 8 Ом)
Струм спокою50 мА, макс. 100 мА (Vs ±40 В, RL 8 Ом)
Піковий вихідний струм10 А
Розсіювана потужність50 Вт (Tcase 70 °C)
Тепловий опір перехід–корпусне більше 1,5 °C/Вт
Робоча температура0…70 °C
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7269 оригінал

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMultiwatt11
Вихідна потужність на канал10 Вт (THD 10 %, RL 8 Ом, Vs ±14 В)
Напруга живленнядо ±20 В (роздільне живлення)
Напруга живлення, макс. допустима±22 В (абсолютний максимум)
Нелінійні спотворення0,03 % (Po 1 Вт, RL 8 Ом, f 1 кГц, Vs ±14 В)
Робоча температура0…70 °C
Температура переходу, макс.150 °C
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7267A , DIP16

В наявності

39,95 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусDIP16 (PowerDIP 8+8), 16 виводів
Напруга живлення5 … 18 В
Напруга живлення, макс.18 В
Вихідна потужність (THD 10 %, Vs 14,5 В, RL 8 Ом)3 Вт
Підсилення (Vs 14,5 В, RL 8 Ом)32 дБ
Струм спокою23 мА (макс. 35 мА)
Піковий вихідний струм1,5 А
Робоча температура0 … 70 °C
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7266SA

В наявності

149,46 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусClipwatt15
Напруга живлення3 … 18 В (типово 11 В)
Напруга живлення, макс.20 В
Потужність на канал (THD 10 %, Vcc 11 В, RL 8 Ом)7 Вт (мін. 6,3 Вт)
Підсилення (f 1 кГц)26 дБ
Струм спокою50 мА (макс. 65 мА)
Піковий вихідний струм2 А
Робоча температура0 … 70 °C
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7264

В наявності

101,05 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMultiwatt8
Напруга живлення Vs±5 … ±22,5 В
Напруга живлення, абс. макс.±25 В (DC)
Потужність на канал (RL = 4 Ом, Vs = ±16 В, THD = 10 %)25 Вт
Підсилення Gv (f = 1 кГц)30 дБ
Струм спокою Iq80 мА (тип.), 130 мА (макс.)
Вихідний струм, пік4,5 А
Температура переходу, макс.150 °C
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7262

В наявності

170,14 ₴
ПараметрЗначення
Типстерео підсилювач класу AB зі stand-by
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга живлення Vs8–32 В
Напруга живлення, абс. макс.35 В
Вихідна потужність на канал20 Вт (THD = 10 %, RL = 4 Ом, Vs = 28 В)
Підсилення Gv36 дБ (f = 1 кГц)
Розсіювана потужність Ptot30 Вт (Tcase 70 °C)
Температура переходу, макс.150 °C
КорпусMultiwatt11
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7261

В наявності

182,83 ₴
ПараметрЗначення
Типмоно підсилювач класу AB, розщеплене живлення, mute і stand-by
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга живлення Vs±5…±22,5 В
Напруга живлення, абс. макс.50 В (DC)
Вихідна потужність Po25 Вт (THD = 10 %, RL = 8 Ом, Vs = ±20 В)
Підсилення Gv30 дБ (замкнена петля)
Розсіювана потужність Ptot30 Вт (Tcase 70 °C)
Температура переходу, макс.150 °C
КорпусMultiwatt8
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7245A , DIP18

В наявності

88,36 ₴
ПараметрЗначення
Типпідсилювач потужності НЧ з режимом stand-by
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга живлення Vs12–30 В
Напруга живлення, абс. макс.30 В
Музична потужність16 Вт (RL = 4 Ом, d = 10 %)
Підсилення Gv40 дБ (f = 1 кГц)
Струм спокою Id24 мА тип., 35 мА макс. (Vs = 28 В)
Температура переходу, макс.150 °C
КорпусPowerdip 9+9 (DIP18), 18 виводів
На канікулах до 20.11

Мікросхема TDA7056B

В наявності

42,30 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникNXP Semiconductors
Напруга живлення Vp4,5 – 18 В
Вихідна потужність Po (16 Ом)3,5 Вт (мін. 3 Вт), Vp 12 В, THD 10 %
Вихідна потужність Po (8 Ом)5,5 Вт (мін. 5 Вт), Vp 12 В, THD 10 %
Максимальне підсилення Gv40,5 дБ, Vp 12 В
Діапазон регулювання підсилення73,5 дБ (мін. 68 дБ)
Струм спокою Iq(tot)9,2 мА (макс. 13 мА), Vp 12 В
THD0,3 % (макс. 1 %), Po 0,5 Вт
КорпусSIL-9 (SOT110B)
На канікулах до 20.11