Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PDP6980-5 ( DP6980-5 ) оригінал, TO220
237,82 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
PDP6980-5 (DP6980-5) – N-канальний польовий транзистор Potens Semiconductor на 65 В у корпусі TO-220. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Potens Semiconductor |
| Напруга Vds (VGS=0 В, ID=250 мкА) | 65 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 180 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 113 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=20 А) | 1.7 мОм (тип.), 2.2 мОм (макс.) |
| Rds(on) (VGS=4.5 В, ID=15 А) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–2.5 В (тип. 1.5 В) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (тип.), 260 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 9040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 278 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
PDP6980-5 (DP6980-5) – N-канальний MOSFET виробництва Potens Semiconductor у корпусі TO-220. Напруга Vds – 65 В при Vgs 0 В і Id 250 мкА. Струм стоку Id – 180 А при TC 25 °C і 113 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) при Vgs 10 В і Id 20 А – 1.7 мОм типово, 2.2 мОм максимум; при Vgs 4.5 В і Id 15 А – 2.8 мОм типово, 3.7 мОм максимум. Порогова напруга Vgs(th) – від 1 до 2.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Потужність розсіювання – 278 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Заряд затвора Qg – 130 нКл типово при Vds 52 В, Vgs 10 В, Id 10 А. Вхідна ємність Ciss типово 9040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц).
Стан: оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал, Vds, Id, Rds(on) при тому самому Vgs, корпус і Qg: великий заряд затвора вимагає потужнішого драйвера. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Мережеве обладнання
- Комутатори навантаження
- LED-застосування
- Швидкі зарядні пристрої
Чим замінити PDP6980-5?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з такою самою або вищою напругою Vds, достатнім струмом Id і низьким Rds(on) при Vgs 10 В. Готових аналогів з перевіреними параметрами в нашому каталозі зараз немає.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Це те саме, що DP6980-5?
Так, у назві товару DP6980-5 вказано як друге позначення цієї деталі.
Чи можна керувати транзистором напругою 4.5 В на затворі?
Для Vgs 4.5 В і Id 15 А даташит дає Rds(on) 2.8 мОм типово і 3.7 мОм максимум. Опір вищий, ніж при Vgs 10 В, тому нагрів буде більшим.
Документація виробника: PDP6980-5 (Potens semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.