Магазин
Демонтаж
Транзистор IXFH12N120 ( IXTH12N120 , IXFH12N120P , 12N120 ) демонтаж, TO247(заміна для STW11NK100Z , W11NK100Z )
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Littelfuse (IXYS) |
| Напруга Vdss | 1200 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм Id25 | 12 А (TC 25 °C) |
| Rds(on) | 1,15 Ом типово (Vgs 10 В, Id 0,5 x Id25) |
| Qg(on) | 103 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3,5–6,5 В |
| Pd | 543 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Діод | швидкий |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA3653B
В наявності
24,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | вихідний каскад вертикальної розгортки з охоронним колом (90°) |
| Напруга живлення VP | 10–40 В |
| Вихідний струм (пік–пік, макс.) | 1,5 А |
| Температура переходу | -25…+150 °C |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
Демонтаж
Мікросхема TDA3592A демонтаж
В наявності
178,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | транскодер SECAM–PAL |
| Напруга живлення | 9,0 / 12,0 / 13,2 В (мін / типове / макс) |
| Струм споживання | 65 / 90 / 115 мА при VP = 12 В |
| Потужність розсіювання, макс. | 1,78 Вт |
| Тепловий опір | 45 К/Вт |
| Робоча температура | -25…+70 °C |
| Корпус | DIL-24 з тепловідводом (SOT101B) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема TDA3561A демонтаж
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | декодер кольору PAL з RGB-матрицею |
| Напруга живлення | 12 В (діапазон 8–13,2 В) |
| Струм споживання | 85 мА при VP = 12 В, Tamb = 25 °C |
| Потужність розсіювання, макс. | 1,7 Вт |
| Тепловий опір | 50 К/Вт |
| Робоча температура | -25…+65 °C |
| Корпус | DIP-28 (SOT117) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA3560
В наявності
235,47 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | колірний декодер PAL |
| Напруга живлення | 12 В (діапазон 8–13,2 В) |
| Струм живлення | 85 мА при VP = 12 В |
| Корпус | DIP-28 (SOT117) |
| Робоча температура | -25…+65 °C |
Мікросхема TDA3530 ( MDA3530 )
В наявності
45,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Мікросхема |
| Позначення | TDA3530 |
| Інше позначення | MDA3530 |
Мікросхема TDA3520 ( A3520D ) ( K174XA16 )
В наявності
45,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Мікросхема |
| Позначення | TDA3520 |
| Інші позначення | A3520D, K174XA16 |
Демонтаж
Мікросхема TDA2822 , DIP16 демонтаж
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP16 |
| Конфігурація | стерео або міст |
| Напруга живлення | 3–15 В (Tamb = 25 °C) |
| Піковий вихідний струм | 1.5 А (граничне значення) |
| Струм спокою | 12 мА макс. (стерео, VS = 6 В) |
| Коефіцієнт підсилення | 36 / 39 / 41 дБ (мін. / тип. / макс., стерео, f = 1 кГц, VS = 6 В) |
| Вхідний опір | 100 кОм мін. (f = 1 кГц) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA2822L , DIP8
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Конфігурація | стерео або міст |
| Напруга живлення | 1.8–12 В |
| Напруга живлення, макс. | 15 В (Ta = 25 °C) |
| Піковий вихідний струм | 1 А (Ta = 25 °C) |
| Струм спокою | 9 мА (VCC = 6 В, Vin = 0) |
| Коефіцієнт підсилення | 40 дБ (VCC = 6 В, f = 1 кГц) |
| Вхідний опір | 100 кОм |
| Потужність розсіювання | 1.0 Вт (DIP-8, Ta = 25 °C) |
Мікросхема TDA2615
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
| Напруга живлення | ±7,5 … ±12 (тип.) … ±21 В |
| Вихідна потужність на канал | 6 Вт (тип.), мін. 5 Вт при VP = ±12 В, RL = 8 Ом, THD = 0,5 % |
| Коефіцієнт гармонік | 0,15 % (тип.), макс. 0,2 % при Po = 4 Вт |
| Загальний струм спокою | 40 мА (тип.) |
| Внутрішнє підсилення | 30 дБ (29 … 31), фіксоване |
| Розділення каналів | 70 дБ (тип.) |
| Тепловий опір кристал-корпус | 6 К/Вт |
Демонтаж
Мікросхема TDA2614 демонтаж
В наявності
34,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
| Напруга живлення | 15 … 24 (тип.) … 42 В |
| Вихідна потужність | 6,5 Вт (тип.), мін. 5 Вт при VP = 24 В, RL = 8 Ом, THD = 0,5 % |
| Вихідна потужність на 4 Ом | 10 Вт (тип.) при THD = 0,5 % |
| Коефіцієнт гармонік | 0,15 % (тип.), макс. 0,2 % при Po = 4 Вт |
| Струм спокою | 20 мА (тип.) |
| Внутрішнє підсилення | 30 дБ (тип.) |
| Тепловий опір кристал-корпус | 8 К/Вт |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA2579
В наявності
189,41 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP-18 (SOT102), 18 виводів |
| Напруга живлення (вивід 10) | 12 В (типове) |
| Напруга живлення, макс. | 13.2 В |
| Струм старту, макс. | 9.7 мА (Tamb = 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 1.2 Вт |
| Робоча температура | -25…+70 °C |
| Температура зберігання | -55…+150 °C |
| Тепловий опір кристал–повітря | 50 К/Вт |
Демонтаж
Мікросхема TDA2545A б/в
В наявності
63,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | DIP16 |
| Напруга живлення | 12 В (10.8–13.2 В) |
| Напруга живлення, максимум | 13.2 В |
| Струм споживання | 45 мА (VP = 12 В, Tamb = 25 °C) |
| Робоча температура | 0…70 °C |
| Температура зберігання | -25…150 °C |
| Діапазон регулювання підсилення ПЧ | 64 дБ |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA2460-2 ( TDA2461 , TDA2461-C1 )
В наявності
127,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Siemens |
| Корпус | DIP-20 |
| Напруга живлення (робоча) | 10.5–15.75 В |
| Напруга живлення, максимум | 16 В |
| Діапазон частот AM | 15–45 МГц |
| Діапазон частот FM | 0.1–12 МГц |
| Робоча температура | 0…70 °C |
| Температура переходу, максимум | 150 °C |
| Температура зберігання | -55…125 °C |
| Тепловий опір (система–повітря) | 58 К/Вт |
Мікросхема TDA2050 ( TDA2050A , TDA2050V , TDA2050L )
В наявності
30,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Hi-Fi підсилювач НЧ класу AB (моно) |
| Корпус | Pentawatt, 5 виводів |
| Напруга живлення Vs | ±4,5…±25 В (Tamb 25 °C) |
| Потужність RMS, 4 Ом | 28 Вт (тип.), 24 Вт (мін.), Vs = ±18 В, d = 0,5 %, f = 1 кГц |
| Потужність RMS, 8 Ом | 18 Вт (тип.), Vs = ±18 В, d = 0,5 %, f = 1 кГц |
| Нелінійні спотворення | 0,03 % (тип.), RL = 4 Ом, f = 1 кГц, Vs = ±18 В |
| Коефіцієнт підсилення | 30,5 дБ (f = 1 кГц) |
| Піковий вихідний струм | 5 А |
| Розсіювана потужність Ptot | 25 Вт (Tcase = 75 °C) |
| Температура переходу та зберігання | -40…150 °C |
Мікросхема TDA2030A ( D2030A , TDA2030L )
В наявності
30,08 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | підсилювач НЧ класу AB (моно) |
| Корпус | Pentawatt, 5 виводів |
| Напруга живлення Vs | ±6…±22 В (Tamb 25 °C) |
| Потужність, 4 Ом | 18 Вт (тип.), 15 Вт (мін.), Vs = ±16 В, d = 0,5 % |
| Потужність, 8 Ом | 12 Вт (тип.), 10 Вт (мін.), Vs = ±16 В, d = 0,5 % |
| Коефіцієнт підсилення | 26 дБ (f = 1 кГц) |
| Струм спокою | 50 мА (тип.), 80 мА (макс.), Vs = ±16 В |
| Піковий вихідний струм | 3,5 А |
| Розсіювана потужність Ptot | 20 Вт (Tcase = 90 °C) |
| Температура переходу та зберігання | -40…+150 °C |
Мікросхема TDA2009A оригінал
В наявності
72,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | стерео підсилювач НЧ класу AB |
| Корпус | Multiwatt11 |
| Напруга живлення Vs | 8…28 В (Tamb 25 °C) |
| Потужність на канал, 4 Ом | 12,5 Вт (тип.), Vs = 24 В, f = 1 кГц, d = 1 % |
| Потужність на канал, 8 Ом | 7 Вт (тип.), Vs = 24 В, f = 1 кГц, d = 1 % |
| Коефіцієнт підсилення | 36 дБ (f = 1 кГц, Vs = 24 В) |
| Струм спокою | 60 мА (тип.), 120 мА (макс.), Vs = 24 В |
| Розсіювана потужність Ptot | 20 Вт (Tcase = 90 °C) |
| Температура переходу та зберігання | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TDA2007 ( TDA2007A ) демонтаж
В наявності
44,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | стереопідсилювач потужності НЧ |
| Корпус | 9-SIP |
| Напруга живлення | 8–26 В (Tamb = 25 °C) |
| Напруга живлення, максимум | 28 В |
| Вихідна потужність (кожен канал) | 6 Вт (Vs = 18 В, RL = 4 Ом, d = 0.5 %, f = 100 Гц–6 кГц, тип.) |
| Струм спокою | 50 мА (Vs = 18 В, тип.) |
| Коефіцієнт підсилення | 36 дБ (f = 1 кГц, Vs = 18 В) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA2004R ( TDA2004 ) оригінал
В наявності
62,98 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Multiwatt11 |
| Живлення робоче | 8–18 В (VS = 14.4 В) |
| Потужність на канал | 6.5 Вт (RL = 4 Ом), 10 Вт (RL = 2 Ом) |
| Струм спокою | 65 мА (тип.) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA2003 ( TDA2003A , TDA2003V , CV203 )
В наявності
30,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | підсилювач потужності НЧ |
| Корпус | Pentawatt, 5 виводів |
| Напруга живлення | 8–18 В (Vs = 14.4 В, Tamb = 25 °C) |
| Напруга живлення DC, максимум | 28 В |
| Вихідна потужність, 4 Ом | 6 Вт (Vs = 14.4 В, d = 10 %, f = 1 кГц, тип.) |
| Вихідна потужність, 2 Ом | 10 Вт (Vs = 14.4 В, d = 10 %, f = 1 кГц, тип.) |
| Струм спокою | 44 мА (Vs = 14.4 В, тип.) |
| Коефіцієнт підсилення | 40 дБ (f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
Мікросхема TDA1904
В наявності
52,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | підсилювач потужності НЧ |
| Корпус | Powerdip (8+8), 16 виводів |
| Напруга живлення | 4–20 В |
| Напруга живлення, максимум | 20 В |
| Вихідна потужність | 4.5 Вт (Vs = 14 В, RL = 4 Ом, d = 10 %, f = 1 кГц, тип.) |
| Струм спокою | 8 мА (Vs = 9 В, тип.) |
| Коефіцієнт підсилення | 40 дБ (Vs = 14 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц, Po = 1 Вт) |
Мікросхема TDA16846P ( TDA16846-2 P )
В наявності
54,99 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер імпульсного БЖ з PFC |
| Виробник | Infineon |
| Корпус | DIP14 |
| VCC, гранична | 17 В (макс., вивід 14) |
| Поріг вимкнення VCC | 15 В (типово, Tj –25…125 °C) |
| Поріг перенапруги VCC | 16,5 В (типово, Tj –25…125 °C) |
| Опорна напруга | 5 В (вивід 9, REF) |
| Струм виводу 13 | 110 мА (макс. при V13 > VCC) |
Діодний міст GBU1510 ( Заміна для GBU15M , GBU15K , GBU1508 , GBU10K ) (1000V,15A)
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Vrrm / Vdc | 1000 В |
| If(av) | 15 А (з радіатором, Tc = +100 °C) / 3,2 А (без радіатора, Tc = +100 °C) |
| Ifsm | 200 А (8,3 мс) |
| Vf | 1,1 В (If = 7,5 А) |
| Ir | 5 мкА |
| Робоча температура переходу | -55…+150 °C |
| Корпус | GBU |
Мікросхема TDA1554Q
В наявності
210,56 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | клас-B підсилювач потужності НЧ, автомобільний |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | DBS17P |
| Напруга живлення, робоча | 6,0–18,0 В (типово 14,4 В) |
| Напруга живлення, неробоча | 30 В (макс.) |
| Load dump | 45 В (макс., 50 мс, tr ≥ 2,5 мс) |
| Потужність, міст | 22 Вт (THD = 10 %, RL = 4 Ом, VP = 14,4 В, f = 1 кГц) |
| Потужність, несиметричний вихід | 11 Вт (THD = 10 %, RL = 2 Ом, VP = 14,4 В, f = 1 кГц) |
| Пік. вихідний струм | 4 А |
| Температура переходу | 150 °C (макс.) |