Магазин
Транзистор MD20N65 оригінал, TO3P
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Minos |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 12.6 А |
| Опір Rds(on) макс. | 0.46 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 300 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3120 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TSA20N65MR оригінал, TO-3P
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 20 А (обмежено температурою переходу) |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 12 А |
| Опір Rds(on) (макс.) | 0.48 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А; типове 0,40 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 … 5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 57 нКл (типове; VDS = 480 В, ID = 20 А, VGS = 10 В; макс. 65 нКл) |
| Вхідна ємність Ciss | 5150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Потужність розсіювання Pd | 192 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (Vsd макс. 1,4 В при Is = 20 А; trr 435 нс, Qrr 4,1 мкКл) |
| Виробник | Truesemi |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NCS199A3 ( NCS199A3SQT2G , ACPx ) оригінал, SC70-6
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Призначення | двонаправлений підсилювач струму шунта, нуль-дрейф, вихід за напругою |
| Коефіцієнт підсилення | 200 В/В |
| Напруга живлення VS | 2.7–26 В |
| Синфазна напруга на входах | -0.3…26 В |
| Напруга зміщення | ±150 мкВ (макс.) |
| Струм споживання | 65 мкА (тип.) |
| Температура навколишнього середовища | -40…125 °C |
| Корпус | SC70-6 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор RU75N08R ( RU75N08 ) оригінал демонтаж (заміна для LTP75N08 , WFP75N08 ), TO220
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 75 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 80 А (VGS = 10 В; обмеження корпусу 75 А) |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 76 А (VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) (макс.) | 11 мОм (VGS = 10 В, ID = 40 А; типове 8 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 … 4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА; типове 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл (VDS = 60 В, VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3400 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±25 В |
| Потужність розсіювання Pd | 176 Вт (TC 25 °C; 88 Вт при TC 100 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Виробник | Ruichips |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор CJT03P10 ( T03P10 ) оригінал, sot223
В наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга Vds | -100 В (VGS = 0 В, ID = -250 мкА) |
| Струм стоку Id | -3 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) (макс.) | 190 мОм (VGS = -10 В, ID = -3 А; типове 153 мОм) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В (макс.) | 210 мОм (VGS = -4,5 В, ID = -1 А; типове 166 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1 … -3 В (VDS = VGS, ID = -250 мкА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Потужність розсіювання Pd | 3.1 Вт (Ta 25 °C, плата 1 дюйм² з міддю 2 унції) |
| Вхідна ємність Ciss | 1419 пФ (f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Виробник | JSCJ |
| Корпус | SOT-223 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHF12N65 оригінал (заміна для HF12N65 , PJF12N65M , F12N65M ) , TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | FeiHong |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (ID 250 мкА, VGS 0 В) |
| Струм Id | 12 А (TC 25 °C), 7 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 0.75 Ом макс. (VGS 10 В, ID 6 А) |
| Потужність Pd | 54 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1850 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JVC085T ( VC085T ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | JieJie Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга стік-витік Vds | 80 В |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В) | 126 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 79 А |
| Rds(on) | 4,5 мОм тип., 5,7 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0 / 3,0 / 4,0 В (мін. / тип. / макс.; Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 51 нКл (Vgs 0–10 В, Vds 40 В, Id 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3503 пФ |
| Потужність розсіювання Pd | 173 Вт (Tc 25 °C), 69 Вт (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 57 нс (If 15 А, dIf/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TF8N50 ( AOTF8N50 ) оригінал, TO220F
В наявності
54,99 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, високовольтний |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor (AOS) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (600 В при Tj 150 °C) |
| Струм Id | 9 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В, TO-220F) |
| Струм Id (100 °C) | 6 А (Tc = 100 °C, TO-220F) |
| Rds(on) | 0,85 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4 А) |
| Потужність Pd | 38,5 Вт (Tc = 25 °C, TO-220F) |
| Вхідна ємність Ciss | 868 пФ |
| Vgs | ±30 В макс. |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP65NF06 ( P65NF06 ) оригінал, TO220
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, STripFET II |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0) |
| Струм Id | 60 А (Tc = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 42 А (Tc = 100 °C) |
| Rds(on) | 14 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 30 А) |
| Потужність Ptot | 110 Вт (Tc = 25 °C) |
| Vgs | ±20 В макс. |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST80N65HM ( OST80N65HMF ) оригінал, TO247
В наявності
319,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 114 А |
| Струм Ic при 100 °C | 80 А |
| Vce(sat) | 1.6 В (Vge 15 В, Ic 80 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd | 395 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 172 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 8854 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF1010E (заміна для IRF1010N ) оригінал (60V,84A), TO220
В наявності
69,56 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, HEXFET 5-го покоління |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 84 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 59 А (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 12 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3210 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs | ±20 В макс. |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4306W ( HY4306 ) оригінал, TO247
В наявності
169,67 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 60 В (TC 25 °C) |
| Струм Id | 230 А (TC 25 °C), 155 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.8 мОм макс. (VGS 10 В, IDS 115 А) |
| Потужність Pd | 326 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 7406 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247A-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GP029NE4SL ( HGP029NE4SL ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hunteck |
| Тип | MOSFET N-канал, логічний рівень |
| Напруга Vds | 45 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id | 129 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм макс. (VGS 10 В, ID 20 А) |
| Потужність Pd | 176 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3322 пФ |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP06N06N оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | InPower Semiconductor (IPS) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 60 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 120 А, обмежено кремнієм |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 76 А |
| Опір Rds(on) | 4,5 мОм тип., 6 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 40 А) |
| Заряд затвора Qg | 76,7 нКл тип. (ID = 60 А, VDD = 48 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3238 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDP8880 оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 30 В (Vgs = 0 В) |
| Струм Id безперервний | 54 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) макс. | 11,6 мОм (Vgs 10 В, Id 40 А) |
| Rds(on) макс. при 4,5 В | 14,5 мОм (Vgs 4,5 В, Id 40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,2–2,5 В (Vgs = Vds, Id 250 мкА) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Температура Tj і Tstg | від -55 до 175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 2,73 °C/Вт (TO-220) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Fairchild Semiconductor (тепер onsemi) |
| Вхідна ємність Ciss | 1240 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FDA16N50 ( 16N50 ) оригінал демонтаж (500V,16A) , TO-3P
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 16,5 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 9,9 А |
| Опір Rds(on) | 0,38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8,3 А) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 205 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
CS2698 оригінальний транзистор, TO-3P
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 15 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 9,5 А |
| Опір Rds(on) | 0,3 Ом тип., 0,4 Ом макс. (VGS 10 В, ID 7,5 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл (ID 15 А, VDD 250 В, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 180 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS25N50 оригінал, TO220
В наявності
131,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 500 В при VGS 0 В, ID 250 мкА |
| Струм стоку Id (25 °C) | 25 А при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15,7 А при Tc 100 °C |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,21 Ом (тип.), 0,27 Ом (макс.) при VGS 10 В, ID 12,5 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В при ID 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 64 нКл при ID 25 А, VDD 400 В, VGS 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3487 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Пряма напруга діода | 1,5 В (макс.) при IS 25 А, VGS 0 В |
| Час зворотного відновлення діода trr | 490 нс при IS 25 А, Tj 25 °C, dIF/dt 100 А/мкс |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS20N60 оригінал, TO-3P
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 600 В при VGS 0 В, ID 250 мкА |
| Струм стоку Id (25 °C) | 20 А при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id (100 °C) | 14 А при Tc 100 °C |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,36 Ом (тип.), 0,45 Ом (макс.) при VGS 10 В, ID 10 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В при ID 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 61 нКл при ID 20 А, VDD 300 В, VGS 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Пряма напруга діода | 1,5 В (макс.) при IS 20 А, VGS 0 В |
| Час зворотного відновлення діода trr | 425 нс при IS 20 А, Tj 25 °C, dIF/dt 100 А/мкс |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SK3522 оригінал демонтаж, TO247
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id | 21 А при Tc 25 °C |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,20 Ом (тип.), 0,26 Ом (макс.) при VGS 10 В, ID 10,5 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0–5,0 В при ID 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл (тип.), 81 нКл (макс.) при VCC 300 В, ID 21 А, VGS 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2280 пФ |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 0,7 мкс при IF 21 А, VGS 0 В, -di/dt 100 А/мкс, Tch 25 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема TDA7851A оригінал демонтаж
В наявності
423,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Призначення | 4-канальний мостовий підсилювач класу AB |
| Корпус | Flexiwatt27 |
| Потужність на канал, 4 Ом | 4 x 28 Вт (VS 14.4 В, 1 кГц, THD 10 %) |
| Максимальна потужність, 4 Ом / 2 Ом | 4 x 48 / 4 x 72 Вт |
| Напруга живлення VS | 8–18 В |
| Коефіцієнт підсилення | 26 дБ |
| Піковий вихідний струм | 10 А (неповторюваний, 100 мкс) |
| Струм спокою | 150 мА (VS 14.4 В, RL = ∞, типово) |
| Розсіювана потужність | 85 Вт (Tcase 70 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема SLM2106 оригінал, SOIC-8
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Драйвер MOSFET і IGBT, верхній і нижній ключі |
| Напруга зсуву VOFFSET, макс. | 600 В |
| Напруга живлення Vcc (рекомендована) | 10–20 В |
| Піковий струм виходу, джерело | 450 мА (типово) |
| Піковий струм виходу, стік | 950 мА (типово) |
| Затримка вмикання | 160 нс (типово) |
| Затримка вимикання | 220 нс (типово) |
| Робоча температура | -40…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SGM48000XS8G ( 48000XS8 , SGM48000XS8 , SGM48000 ) , sop-8
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SG Micro Corp |
| Призначення | двоканальний low-side драйвер силових MOSFET |
| Струм виходу (втікає/витікає) | 2 А (типове значення) |
| Час наростання | 12 нс |
| Час спаду | 13 нс |
| Напруга живлення VCC | 4.5…26.5 В |
| Максимальна напруга VCC | 28 В |
| Робочий діапазон температур | -40…+125 °C |
| Розсіювана потужність SOIC-8 | 0.94 Вт при TA = +25 °C |
| Тепловий опір SOIC-8 (JA) | 132 °C/Вт |
| Логіка входів | обидва канали неінвертуючі |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема PM8834 ( PM8834TR ) оригінал, so-8
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SO-8 |
| Струм виходу, джерело | 4 А (кожен вихід, незалежно) |
| Струм виходу, стік | 4 А (кожен вихід, незалежно) |
| Напруга живлення Vcc | 5–18 В |
| Напруга на виводах, макс. | 19 В (абсолютний максимум) |
| Поріг UVLO, увімкнення | 4,4–4,6 В (Vcc зростає) |
| Струм живлення | 3,5 мА (Vcc 10 В, TJ 25 °C, виходи розімкнуті) |
| Час наростання | 10 нс (типово, Vcc 10 В, навантаження 2,5 нФ; макс. 20) |
| Затримка поширення | 25–30 нс (типово, Vcc 10 В, навантаження 2,5 нФ) |
| Робоча температура переходу | -40…+125 °C |
| Стан | Оригінал |