Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TSA20N65MR оригінал, TO-3P
258,50 ₴
20 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TSA20N65MR – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) Truesemi у корпусі TO-3P для імпульсних блоків живлення. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 20 А (обмежено температурою переходу) |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 12 А |
| Опір Rds(on) (макс.) | 0.48 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А; типове 0,40 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 … 5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 57 нКл (типове; VDS = 480 В, ID = 20 А, VGS = 10 В; макс. 65 нКл) |
| Вхідна ємність Ciss | 5150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Потужність розсіювання Pd | 192 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (Vsd макс. 1,4 В при Is = 20 А; trr 435 нс, Qrr 4,1 мкКл) |
| Виробник | Truesemi |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
TSA20N65MR – N-канальний польовий транзистор виробництва Truesemi у корпусі TO-3P. Напруга Vds 650 В (при VGS = 0 В, ID = 250 мкА), струм стоку Id 20 А при TC 25 °C (обмежено температурою переходу) і 12 А при TC 100 °C. Опір Rds(on) не більше 0.48 Ом при VGS = 10 В, ID = 10 А (типове значення 0,40 Ом). Порогова напруга Vgs(th) від 3 до 5 В, заряд затвора Qg типове 57 нКл при VDS = 480 В, ID = 20 А, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 5150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Напруга затвор–витік ±30 В, потужність розсіювання 192 Вт при TC 25 °C, температура переходу до 150 °C. Вбудований діод: Vsd не більше 1,4 В при Is = 20 А, trr 435 нс.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з Vds не нижче 650 В, а Id і Rds(on) порівнюйте за однакових умов вимірювання (при тому самому VGS). Параметри порівнюйте за datasheet.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення з високим ККД
- Активна корекція коефіцієнта потужності (PFC) на напівмостовій топології
Чим замінити TSA20N65MR?
У нашому каталозі підтверджених аналогів зараз немає. Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з Vds не нижче 650 В; Id і Rds(on) порівнюйте за однакових умов. Перед заміною порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є у TSA20N65MR вбудований діод?
Так. Vsd не більше 1,4 В при Is = 20 А, trr 435 нс, Qrr 4,1 мкКл (diF/dt = 100 А/мкс).
Який струм дозволяє TSA20N65MR при нагріві?
Id 20 А при TC 25 °C (обмежено температурою переходу) і 12 А при TC 100 °C.
Документація виробника: TSA20N65MR (Truesemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.