Магазин
Мікросхема PF7708BS , so-8
В наявності
202,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | PowerForest |
| Призначення | одноканальний boost-драйвер світлодіодної підсвітки (WLED) з вбудованим ключем димінгу |
| Вхідна напруга | 9–30 В |
| Опорна напруга зворотного зв'язку | 300 мВ |
| Струм драйвера затвора | 1000 / -1500 мА (вихід драйвера MOSFET, джерело / стік) |
| Тип керування | струмовий режим ШІМ, ШІМ-димінг |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема PAM8403 , so-16
В наявності
16,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Стерео підсилювач звуку класу D без вихідного фільтра |
| Вихідна потужність на канал | 3 Вт (THD+N 10 %, навантаження 4 Ом, живлення 5 В) |
| Напруга живлення (рекомендована) | 2,5–5,5 В (TA +25 °C) |
| ККД | до 90 % |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 °C (рекомендовані умови) |
| Діапазон температур переходу | -40…+125 °C (рекомендовані умови) |
| Корпус | SO-16 |
| Кількість виводів | 16 |
| Захист | від короткого замикання та перегріву (thermal shutdown) |
Мікросхема PAM2312 , sot23-5
В наявності
23,03 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Понижуючий DC-DC, 1 А, ШІМ/PSM |
| Вхідна напруга | 2.5–5.5 В |
| Вихідна напруга | 0.6 В до Vin |
| Вихідний струм | до 1 А |
| Частота перетворення | 1.5 МГц (1.2–1.8 МГц, Ta 25 °C, Vin 3.6 В) |
| ККД | до 96 % |
| Струм спокою | 40 мкА (тип.) |
| Струм у режимі shutdown | менше 1 мкА |
| Опорна напруга FB | 0.588–0.612 В (Ta 25 °C, Vin 3.6 В) |
| Макс. вхідна напруга | 6.0 В (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Корпус | SOT23-5 |
Демонтаж
Мікросхема OZ9938GN оригінал, so-16
В наявності
81,78 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | O2Micro |
| Корпус | SO-16 |
| Напруга живлення VDDA (рекомендована) | 4.5–5.5 В |
| Макс. напруга VDDA (абсолютна) | 7.0 В |
| Робоча частота | 20–150 кГц |
| Діапазон аналогового димування | 0.7–2.1 В |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Температура зберігання | -55…150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 86 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор K75EES5 ( IKW75N65ES5 ) оригінал демонтаж б/в (заміна для K75EEL5 , IKW75N65EL5 , G75EH5 , IGW75N65H5 ), TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з діодом (TRENCHSTOP 5, RAPID 1) |
| Напруга Vces | 650 В при Tvj 25 °C |
| Номінальний струм Ic | 75 А |
| Vce(sat) | 1,42 В (тип.), 1,75 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 75 А, Tvj 25 °C |
| Vge(th) | 3,2–4,8 В (тип. 4,0 В) при Ic 0,75 мА, Vce = Vge |
| Заряд затвора Qg | 164 нКл при Vcc 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В |
| Потужність Ptot | 395 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0,38 К/Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |