Магазин
Мікросхема NSI6622AD оригінал ( NSI6622A-DSWR , NSI66 22AD , NS16622AD , NS166 22AD ), sow16
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Піковий струм виходу, джерело | 4 А (кожен канал) |
| Піковий струм виходу, стік | 6 А (кожен канал) |
| Напруга ізоляції | 5700 В (діюче; SOW16, 1 хв за UL1577) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (типово, мін. 100) |
| Живлення вихідної сторони, до | 25 В (UVLO 6 В у версії A) |
| Живлення вхідної сторони | 2,7–5,5 В |
| Затримка поширення | 25 нс (типово; мін. 10, макс. 35) |
| Робоча температура | -40…+125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема L6599AD оригінал, so-16
В наявності
89,77 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SO-16 |
| Робоча частота, до | 500 кГц |
| Струм драйвера, джерело | 300 мА (верхній та нижній ключі) |
| Струм драйвера, стік | 800 мА (верхній та нижній ключі) |
| Vboot, макс. | 618 В (абсолютний максимум; драйвер верхнього ключа на 600 В) |
| Робочий діапазон Vcc | 8,85–16 В (після увімкнення) |
| Поріг увімкнення VccOn | 10,7 В (типово, Vcc зростає) |
| Поріг вимкнення VccOff | 8,15 В (типово, Vcc спадає) |
| Струм спокою | 3,5 мА (типово) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема KA3845D оригінал, DIP8
В наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення Vcc, макс. | 30 В (абсолютний максимум) |
| Вихідний струм Io, макс. | ±1 А (абсолютний максимум) |
| Опорна напруга Vref | 5,00 В (TJ 25 °C, Iref 1 мА) |
| Частота генератора | 52 кГц (Vcc 15 В, RT 10 кОм, CT 3,3 нФ, TJ 25 °C) |
| Робоча частота, до | 500 кГц |
| Поріг UVLO (увімкнення / вимкнення) | 8,5 В / 7,9 В |
| Робочий струм живлення | 14 мА типово |
| Робочий діапазон температур | 0 … +70 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FAN7602B оригінал, so-8
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor (тепер onsemi) |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-8 |
| Робоча частота | 65 кГц |
| Поріг пуску | 11–13 В |
| Поріг вимкнення | 7–9 В |
| Максимальна шпаруватість | 70–80 % |
| Піковий струм виходу | 450 мА (витік) / 600 мА (втік) |
| Абсолютний максимум VCC | 20 В |
| Температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG8026 оригінал , QFN70
В наявності
470,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EGmicro |
| Тип | Контролер DC/AC інвертора (SPWM) і PFC |
| Корпус | QFN70 |
| Драйвери півмосту | 2 шт., 600 V, ±2 А |
| Несуча частота SPWM | 20 кГц |
| Частота синусоїди | 50 або 60 Гц |
| Вихідна напруга PFC | 400 В (регулюється 330–450 В) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG1615 оригінал , LQFP64
В наявності
470,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EGmicro |
| Тип | Контролер резонансного подвійного активного мосту (DAB) |
| Корпус | LQFP64 |
| Драйвери півмосту | 2 шт., 600 V, ±2 А |
| Частота ШІМ | 40–150 кГц |
| Шпаруватість | 50 % (фіксована) |
| Мертвий час | 500 нс, 700 нс, 1 мкс, 1,5 мкс |
| Живлення | 3,3 В і 12 В |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема BTS452R ( BTS452 ) оригінал, TO252-5
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Робоча напруга Vbb(on) | 6–52 В |
| Напруга захисту Vbb(AZ) | 62 В |
| Опір каналу RON | 150 мОм тип., 200 мОм макс. (Tj = 25 °C, IL = 1 А, Vbb = 9–52 В) |
| Струм IL(ISO) | 1,8 А мін., 2,2 А тип. (TC = 85 °C, VON = 0,5 В, на платі) |
| Час вмикання ton | 80 мкс тип. (RL = 47 Ом) |
| Час вимикання toff | 80 мкс тип. (RL = 47 Ом) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | TO252-5L |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ACS102-5T1 ( ACS1025T , ACS102-5T ) оригінал, so-8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга VDRM / VRRM | 500 В (Tj = 125 °C) |
| Напруга обмеження VCL | 600 В (тип.; ICL = 1 мА, tp = 1 мс, Tj = 25 °C) |
| Струм It(rms) | 0,2 А (SO-8, Tamb = 100 °C) |
| Струм керування Igt | 5 мА макс. (VOUT = 12 В, RL = 140 Ом, Tj = 25 °C) |
| Падіння VTM | 1,2 В макс. (IOUT = 0,3 А, tp = 380 мкс, Tj = 25 °C) |
| Діапазон температур переходу | -30…125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Запобіжник керамічний 5×20 мм 30A ( F30A ) з виводами
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номінальний струм | 30 A |
| Розмір корпусу | 5×20 мм |
| Виводи | є |
HGQ022N03A ( 022N03A ) оригінальний транзистор, PDFN5x6
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм Id (TC=25 °C, кристал) | 140 А |
| Струм Id (TC=25 °C, корпус) | 100 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 94 А |
| Rds(on) | 1,6 мОм тип., 2,2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=19 А) |
| Vgs(th) | 1,0–2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 52,5 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2758 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 78 Вт (TC=25 °C) |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RUH1H150S оригінал, D2PAK
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 150 А (VGS 10 В, Tc 25 °C; обмеження корпусом 75 А) |
| Струм стоку Id при 100 °C | 106 А (VGS 10 В, Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3,8 мОм тип., 4,5 мОм макс. (VGS 10 В, ID 75 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 87 нКл (VDS 80 В, VGS 10 В, ID 75 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Пряма напруга діода | 1,2 В макс. (ISD 75 А, VGS 0 В) |
| Час відновлення діода trr | 36 нс (ISD 75 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RS8N65F оригінал , TO220F
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 650 В (BVDSS: VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 8 А (TC = 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,95 Ом (VGS = 10 В, ID = 4 А, типове; макс. 1,15) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4 В |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл (VDS = 520 В, ID = 8 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1110 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 35 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | REASUNOS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40P13S оригінал, so-8
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P |
| Напруга Vds | -40 В (VGS = 0 В, ID = -250 мкА) |
| Струм стоку Id | -13 А (TA = 25 °C) |
| Струм стоку Id при 100 °C | -9 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 12 мОм (VGS = -10 В, ID = -12 А, типове; макс. 15) |
| Опір Rds(on) при -4,5 В | 18 мОм (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1,3…-2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл (VDS = -20 В, ID = -12 А, VGS = -10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2800 пФ (f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 2,5 Вт (TA = 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H29D оригінал (40V,290A), D2PAK
В наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 290 А (таблиця граничних значень, TA = 25 °C) |
| Струм стоку Id при 100 °C | 205 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 1,9 мОм (VGS = 10 В, ID = 20 А, типове, макс. 2,4) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,3–2,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА; типове 1,8) |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (ID = 20 А, VDD = 20 В, VGS = 10 В, типове) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 310 Вт (TA = 25 °C) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 55 нс (TJ = 25 °C, IF = 20 А, di/dt = 100 А/мкс) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MT6808D оригінал, DPAK
В наявності
61,57 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 70 В (BVDSS: VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 80 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id при 100 °C | 55 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 7,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 40 А, типове, макс. 8,0) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА; типове 3) |
| Потужність Pd | 112 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4903 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 33 нс (ISD = 40 А, dISD/dt = 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ISA04N65A оригінал, TO220F
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4903B оригінал, D2PAK
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 260 А (TC = 25 °C, обмежено корпусом) |
| Опір Rds(on) | 1,4 мОм (VGS = 10 В, ID = 30 А, типове) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В | 1,6 мОм (VGS = 4,5 В, ID = 20 А, типове) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,5–2,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 179 нКл (VGS = 10 В, VDS = 10 В, ID = 120 А, типове) |
| Вхідна ємність Ciss | 12 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY3908P ( HY3908 ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор G33N60E ( G33N60EF , SiHG33N60E , SiHG33N60EF ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (TJ=25 °C) |
| Струм Id (TC=25 °C) | 33 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 21 А |
| Rds(on) | 0,085 Ом тип., 0,098 Ом макс. (VGS=10 В, ID=16,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл тип. (VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3454 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 278 Вт (TC=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор D50N06 оригінал (50A,60V)( заміна для FQD50N06 ), D-PAK
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | ROUM |
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 66 А |
| Струм Id (100 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 12 мОм тип., 18 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Qg | 51 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2068 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Pd | 88 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST033N08N оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга Vds | 85 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C, кристал) | 208 А |
| Струм Id (25 °C, корпус) | 160 А |
| Струм Id (100 °C) | 131 А |
| Rds(on) | 2,5 мОм тип., 3,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Vgs(th) | 2,2–3,8 В |
| Qg | 130 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 8930 пФ |
| Pd | 227 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRJQ74N60G2F оригінал, TO247
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (Super Junction) |
| Виробник | China Resources Microelectronics (CRM) |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 39 А |
| Струм Id (100 °C) | 25 А |
| Rds(on) | 70 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 23 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.2–4.6 В |
| Qg | 65 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (f 1 МГц) |
| Pd | 318 Вт (Tc 25 °C) |
| trr діода | 125 нс (ISD = 23 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |