Магазин
Мікросхема OB2202CP, so-8
В наявності
66,74 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення VCC | 11–28 В (рекомендовані умови роботи) |
| Поріг UVLO (запуск) | 15,8 В (TA 25 °C, VCC 18 В) |
| Поріг UVLO (вимкнення) | 8,8 В (TA 25 °C, VCC 18 В) |
| Обмеження VCC | 34 В (I(VCC) = 5 мА) |
| Максимальна частота (QR clamp) | 130 кГц (TA 25 °C) |
| Поріг обмеження струму | 0,60 В (TA 25 °C) |
| Обмеження напруги GATE | 16,5 В (VCC = 20 В) |
| Температура переходу (Absolute Maximum Ratings) | -40…150 °C |
Мікросхема OB2201CP ( OB2201LCP ), so-8
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Квазірезонансний ШІМ-контролер флайбек |
| Виробник | On-Bright |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення VCC | 12–28 В |
| UVLO вимкнення / старт | 9.0 / 16 В |
| Піковий струм драйвера затвора | 800 мА |
| Макс. частота в режимі QR | 90 кГц |
| Поріг обмеження струму CS | 0.45 В |
| Робоча температура | -20…+85 °C |
Мікросхема NS8258 , tssop-24
В наявності
84,13 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Стерео підсилювач AB/D з підвищувальним DC/DC |
| Виробник | Nsiway (Shenzhen Nsiway Technology) |
| Корпус | eTSSOP-24 |
| Напруга батареї | 3.0–5.25 В |
| Вихід перетворювача | 5.0 В |
| Вихідний струм перетворювача | 2 А |
| Частота перетворювача (Ta 25 °C, VBAT 3.7 В) | 800 кГц |
| Потужність (THD 10 %, 4 Ом, 1 кГц) | 3.0 Вт |
| ККД перетворювача (Vin 3.3 В, Iout 1000 мА) | 94 % |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
Мікросхема NS4263 smd
В наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Стерео підсилювач НЧ клас AB/D |
| Виробник | Nsiway (Shenzhen Nsiway Technology) |
| Напруга живлення | 3.0–5.5 В |
| Потужність на канал (клас D, THD 10 %, 4 Ом, VDD 5 В) | 3.0 Вт |
| Потужність на канал (клас D, THD 10 %, 8 Ом, VDD 5 В) | 1.8 Вт |
| ККД (клас D, Po 0.5 Вт, 8 Ом, VDD 3.6 В) | 90 % |
| Частота модуляції | 450 кГц |
| Корпуси за документом | SOP16, TSSOP20 |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
Мікросхема NR891D ( NR8910 ) , DIP8
В наявності
82,25 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга Vin | VO+3…18 В, не менше 4.5 В (Ta -40…+85 °C) |
| Макс. вхідна напруга | 20 В (абсолютний максимум) |
| Вихідна напруга Vout | 0.8…14 В |
| Вихідний струм Io | 2.0 А (макс. робочий) |
| Опорна напруга Vref | 0.8 В (0.784–0.816), Ta 25 °C, Vin 12 В, Vo 3.3 В, Io 1.0 А |
| Частота перетворення | 500 кГц (400–600), Ta 25 °C, Vin 12 В, Vo 3.3 В, Io 1.0 А |
| ККД | 90 % (Ta 25 °C, Vin 12 В, Vo 3.3 В, Io 1.0 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 1.5 Вт (плата 70 × 60 мм, мідь 1310 мм²) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Температура зберігання | -40…+150 °C |
Мікросхема NN5198K оригінал
В наявності
227,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Matsushita (Panasonic) |
| Корпус | SDIP52 |
| Напруга живлення Vcc1 | 8.5–9.5 В |
| Напруга живлення Vcc3, Vcc4 | 4.7–5.3 В |
| Струм виводу 41 (I41) | 7–20 мА |
| Макс. напруга Vcc1 | 10.5 В (Ta 25 °C) |
| Макс. напруга Vcc3 | 6.0 В (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 1830 мВт (Ta 70 °C) |
| Робоча температура | -20…+70 °C |
| Температура зберігання | -55…+125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NJW1136L , SDIP32
В наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | New Japan Radio |
| Корпус | SDIP32 |
| Інтерфейс керування | I2C |
| Технологія | Bi-CMOS |
| Канали виходу | 3 (лівий, правий, сабвуфер) або 2 (лівий, правий) |
| Робоча напруга живлення V+ | 8,0–13,0 В, тип. 9,0 В |
| Напруга живлення V+, макс. | 15 В (абсолютний максимум, Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 700 мВт (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -20…+75 °C |
Мікросхема NJM4560D , DIP8
В наявності
40,89 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Здвоєний операційний підсилювач |
| Виробник | New Japan Radio |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення (рекомендована) | ±4…±18 В |
| Напруга живлення, макс. | ±18 В (Ta 25 °C) |
| Добуток підсилення на смугу GB | 10 МГц (тип.) |
| Швидкість наростання SR | 4 В/мкс (тип.) |
| Коефіцієнт підсилення AV | 100 дБ (тип.) |
| Напруга зміщення нуля VIO | 0,5 мВ (тип.) |
| Вхідний струм зміщення IB | 40 нА (тип.) |
| Струм споживання | 4,3 мА (тип., ±15 В) |
| Розсіювана потужність | 500 мВт (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | –40…+85 °C |
Мікросхема NJM4558L , SIP-8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Здвоєний операційний підсилювач |
| Виробник | Nisshinbo Micro Devices (NJR) |
| Корпус | SIP8 |
| Робоча напруга живлення | ±4…±18 В |
| Коефіцієнт підсилення без ОЗЗ | 100 дБ (типове) |
| Вхідний опір | 5 МОм (типове) |
| Швидкість наростання | 1 В/мкс (типове; ±15 В, Ta 25 °C) |
| Добуток підсилення на смугу | 3 МГц (типове; ±15 В, Ta 25 °C) |
| Струм споживання | 3,5 мА (тип.), 5,7 мА (макс.); ±15 В, Ta 25 °C |
| Напруга зміщення нуля | 0,5 мВ (тип.), 6 мВ (макс.); Rs ≤ 10 кОм, ±15 В, Ta 25 °C |
| Розсіювана потужність (SIP8) | 800 мВт (лише мікросхема, Ta 25 °C) |
Мікросхема NE556N , DIP
В наявності
15,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | DIP14 |
| Напруга живлення | 4,5–16 В |
| Максимальна напруга живлення | 18 В |
| Вихідний струм | до 200 мА на кожен таймер |
| Струм споживання (VCC = 5 В) | 6 мА тип., 12 мА макс. |
| Струм споживання (VCC = 15 В) | 20 мА тип., 30 мА макс. |
| Робоча температура | 0…70 °C |
Мікросхема NE556D ( NE556 ) , smd
В наявності
21,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | SO-14 |
| Напруга живлення | 4,5–16 В |
| Максимальна напруга живлення | 18 В |
| Вихідний струм | до 200 мА на кожен таймер |
| Струм споживання (VCC = 5 В) | 6 мА тип., 12 мА макс. |
| Струм споживання (VCC = 15 В) | 20 мА тип., 30 мА макс. |
Мікросхема NE555 ( NE555P )( заміна для NE555N , HA17555 ) , DIP8
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | DIP8 (PDIP, 8 виводів, корпус P) |
| Напруга живлення | 4,5–16 В |
| Максимальна напруга живлення | 18 В |
| Вихідний струм | до 200 мА |
| Робоча температура | 0…70 °C |
| Струм споживання (VCC = 5 В) | 3 мА тип., 6 мА макс. |
Мікросхема NE5534P , DIP8
В наявності
17,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | одноканальний малошумний операційний підсилювач |
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | DIP8 |
| Кількість підсилювачів | 1 |
| Діапазон напруг живлення | ±3…±20 В |
| Напруга живлення (рекомендована) | ±5…±15 В |
| Шум вхідний, Vn | 3.5 нВ/√Гц (typ, f = 1 кГц) |
| Смуга одиничного підсилення | 10 МГц (typ, AVD = 30 дБ, CC = 22 пФ) |
| Швидкість наростання | 13 В/мкс (typ, CC = 0) |
| CMRR | 100 дБ (typ) |
| Tj max | 150 °C |
Мікросхема NE5532P, DIP8
В наявності
26,79 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | подвійний малошумний операційний підсилювач |
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | DIP8 |
| Кількість підсилювачів | 2 |
| Напруга живлення (рекомендована) | ±5…±15 В |
| Напруга живлення (макс.) | ±18 В |
| Шум вхідний, Vn | 5 нВ/√Гц (typ, f = 1 кГц) |
| CMRR | 100 дБ (typ, VCC± = ±15 В, TA = 25 °C) |
| Струм споживання (на корпус) | 6 мА (typ, VO = 0, без навантаження, VCC± = ±15 В) |
| Tj max | 150 °C |
Мікросхема NE5532 ( NE5532DR , N5532 ) , so-8
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | подвійний малошумний операційний підсилювач |
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість підсилювачів | 2 |
| Напруга живлення (рекомендована) | ±5…±15 В |
| Напруга живлення (макс.) | ±18 В |
| Шум вхідний, Vn | 5 нВ/√Гц (typ, f = 1 кГц) |
| CMRR | 100 дБ (typ, VCC± = ±15 В, TA = 25 °C) |
| Струм споживання (на корпус) | 6 мА (typ, VO = 0, без навантаження, VCC± = ±15 В) |
| Tj max | 150 °C |
Мікросхема NCP1654 ( NCP1654BD65R2G , 54B65 ) оригінал, so-8
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Призначення | Контролер PFC, режим CCM |
| Корпус | SO-8 |
| Маркування | 54B65 |
| Частота перемикання | 65 кГц (мін 58, макс 72) |
| Опорна напруга VREF | 2,5 В (мін 2,425, макс 2,575) |
| Пороги UVLO (вкл. / викл.) | 10,5 / 9,0 В |
| Струм старту | не більше 75 мкА при VCC = 9,4 В |
| Поріг OVP | 105 % від VREF |
| Макс. струм виходу DRV | 1,5 А (абсолютний максимум) |
| Температура переходу | -40…+125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NCP1653A ( 1653A , NCP1653AD , NCP1653ADR2 , NCP1653ADR2G ) , so-8
В наявності
62,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Призначення | Контролер PFC, режим CCM |
| Корпус | SO-8 |
| Маркування | 1653A |
| Частота перемикання | 67 кГц (мін 60,3, макс 73,7), VCC = 15 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | не менше 94 % при VM = 0 В |
| Діапазон VCC | 8,75–18 В |
| Поріг UVLO (вкл. / викл.) | 13,25 / 8,7 В |
| Макс. струм виходу Drv | 1,5 А (абсолютний максимум) |
| OVP | 107 % номінального вихідного рівня |
| Температура переходу | -40…+125 °C |
Мікросхема NCP1653 , DIP8
В наявності
62,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Призначення | Контролер PFC, режим CCM |
| Корпус | DIP8 |
| Частота перемикання | 102 кГц (мін 90, макс 110), VCC = 15 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | не менше 94 % при VM = 0 В |
| Діапазон VCC | 8,75–18 В |
| Поріг UVLO (вкл. / викл.) | 13,25 / 8,7 В |
| Макс. струм виходу Drv | 1,5 А (абсолютний максимум) |
| OVP | 107 % номінального вихідного рівня |
| Температура переходу | -40…+125 °C |
Мікросхема NCP1608B ( NCP1608BD ) оригінал (заміна для LTA1008 ) , so-8
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Контролер ККМ (PFC), режим CrM |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення VCC, макс. | 20 В (абсолютний максимум) |
| Поріг увімкнення VCC | 12 В (тип.) |
| Поріг вимкнення VCC | 9,5 В (тип.) |
| Опорна напруга Vref | 2,500 В (TJ 25 °C) |
| Поріг струмового захисту VILIM | 0,5 В |
| Струм драйвера затвора | 500 мА (витік) / 800 мА (стік) |
| Розсіювана потужність | 450 мВт (TA 70 °C) |
| Температура переходу | –55…+125 °C |
| Маркування | 1608B |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NCP1607B , so-8
В наявності
65,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Контролер ККМ (PFC), режим CRM |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення VCC, макс. | 20 В (абсолютний максимум) |
| Поріг увімкнення VCC | 11,8 В (тип.) |
| Поріг вимкнення VCC | 9,5 В (тип.) |
| Опорна напруга Vref | 2,50 В (TJ 25 °C) |
| Поріг струмового захисту Vcs(limit) | 0,5 В |
| Струм драйвера затвора | 500 мА (витік) / 800 мА (стік) |
| Температура переходу | –40…+125 °C |
| Маркування | 1607B |
Мікросхема NCP1606B ( 1606B маркування) , so-8
В наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер ККМ (PFC), режим CRM |
| Потужність | до 300 Вт |
| VCC, макс. | 20 В |
| Поріг увімкнення VCC | 12,0 В |
| Поріг вимкнення VCC | 9,5 В |
| Струм споживання | 2,1 мА |
| Опорна напруга Vref | 2,50 В |
| Vcs(limit), NCP1606B | 0,5 В |
| Струм драйвера затвора | -500 / +800 мА |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема NCP1529ASNT1G (маркування DXJxxx) , TSOP-5
В наявності
31,49 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Синхронний понижувальний DC-DC перетворювач |
| Вхідна напруга Vin | 2.7–5.5 В |
| Вихідна напруга | 0.9–3.9 В |
| Макс. вихідний струм | 1 А |
| Частота перемикання | 1.7 МГц |
| Опорна напруга зворотного зв'язку | 0.6 В |
| Струм спокою | 28 мкА |
| Струм у режимі вимкнення | 0.3 мкА |
| ККД | до 96 % |
| Піковий струм захисту від КЗ | 1.6 А |
| Корпус | SOT23-5 |
| Маркування | DXJ |
Мікросхема NCP1396AG ( NCP1396AD ) , smd
В наявності
95,41 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер резонансного режиму з високовольтним драйвером напівмоста |
| Діапазон частоти | 50–500 кГц |
| Напруга шини для драйвера | 600 В |
| Макс. Vcc | 20 В |
| Поріг вмикання VCC(on), версія A | 13.4 В |
| Мін. робоча напруга VCC(min) | 9.5 В |
| Струм старту | 300 мкА |
| Піковий струм драйвера (стік / джерело) | 1 / 0.5 А |
| Мертвий час | 100 нс – 2 мкс |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема NCP1392B ( 1392B ) , so-8
В наявності
113,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Макс. напруга моста | 600 В |
| Робоча частота | 25–480 кГц |
| Піковий струм драйвера (стік / джерело) | 1 / 0.5 А |
| Мертвий час (версія B) | 0.6 мкс |
| Внутрішнє обмеження VCC | 16 В |
| Поріг вмикання VCC(on) | 11 В |
| Струм старту | 50 мкА |
| Корпус | SO-8 |