Магазин

Показано 2209–2232 із 6336Сортовано за останнім

Показати 20 40 80

Мікросхема MP2305DS , so-8

В наявності

32,90 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems
Типсинхронний понижувальний DC/DC перетворювач
Вхідна напруга (робоча)4,75–23 В
Вхідна напруга макс.26 В
Вихідний струм2 А безперервний
Вихідна напруга0,923–20 В
Опір ключів (кожного)130 мОм
Частота перетворення340 кГц
КорпусSO-8

Мікросхема MP1582EN , so-8 = є аналог

В наявності

52,17 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ТипМікросхема
КорпусSO-8

Мікросхема MP1484EN , so-8 ( Заміна для RT8250 , RT8290A )

В наявності

42,30 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Типсинхронний понижувальний DC/DC
ВиробникMonolithic Power Systems
Вхідна напруга4,75–18 В
Вхідна напруга макс.20 В (Absolute Maximum Ratings)
Вихідний струм3 А, безперервний
Вихідна напруга0,925–15 В, регульована
Опір ключів85 мОм (верхній і нижній MOSFET)
Частота перетворення340 кГц, фіксована
Тепловий опір перехід–середовище50 °C/Вт (SOIC8N з відкритою площадкою)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусESOP-8
Корпус (докладно)so-8 (SOIC8N, Exposed Pad)

Мікросхема MP1482DS оригінал ( заміна для MP1482DN , VP2128 ) , so-8

В наявності

32,90 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Типсинхронний понижувальний DC/DC
ВиробникMonolithic Power Systems
Вхідна напруга4,75–18 В
Вхідна напруга макс.20 В (Absolute Maximum Ratings)
Вихідний струм2 А, безперервний
Вихідна напруга0,923–15 В, регульована
Опір ключів130 мОм (верхній і нижній MOSFET)
Частота перетворення340 кГц, фіксована
Потужність розсіювання1,38 Вт (SOIC8)
Тепловий опір перехід–середовище90 °C/Вт (SOIC8)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусSO-8
СтанОригінал

Мікросхема MP1471A ( MP1471AGJ , xAGMx ) , sot23-6

В наявності

31,02 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Типсинхронний понижувальний DC/DC
ВиробникMonolithic Power Systems
Вхідна напруга4,5–16 В
Вихідний струм3 А, безперервний
Опір верхнього ключа110 мОм (VBST-SW=5 В, VIN=12 В, TA=25 °C)
Опір нижнього ключа57 мОм (VCC=5 В, VIN=12 В, TA=25 °C)
Частота перетворення500 кГц (мін. 410, макс. 590; VFB=0,75 В)
КорпусSOT23-6

Мікросхема MP1410ES , so-8 ( ZA3020LV )

В наявності

44,65 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems
Призначеннязнижувальний DC/DC з вбудованим MOSFET
КорпусSO-8
Вхідна напруга (робоча)4,75–15 В
Вхідна напруга макс.16 В
Вихідний струм2 А
Вихідна напруга1,22–13 В
Rds(on) верхнього ключа0,22 Ом (VEN=5 В, VIN=12 В, TA=25 °C)
Частота перетворення380 кГц
Обмеження струму2,95 А
Макс. температура переходу150 °C

Мікросхема MP1048EY , so-28

В наявності

117,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems
Призначенняконтролер інвертора до 6 ламп CCFL, повний міст
КорпусSOP-28
Вхідна напруга VPRR, VPRL (робоча)10–22 В
Макс. вхідна напруга24 В
Робоча частота20–100 кГц (тип. 60 кГц)
Макс. робоча частота150 кГц
Робоча температура-20…85 °C
Макс. температура переходу150 °C
Розсіювана потужність0.6 Вт

Мікросхема MP1038EY

В наявності

110,45 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникMonolithic Power Systems
Призначенняконтролер інвертора CCFL, повний міст
КорпусSOP-28
Вхідна напруга VPRR, VPRL (робоча)10–32 В
Макс. вхідна напруга35 В
Робоча частота20–100 кГц (тип. 60 кГц)
Макс. робоча частота150 кГц
Робоча температура-20…85 °C
Макс. температура переходу150 °C
Розсіювана потужність0.6 Вт

Транзистор 110N7F6 ( STP110N7F6 ) оригінал (68V,110A) , TO220

В наявності

69,09 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Тип каналуN
СеріяSTripFET F6
Напруга Vds68 В
Струм Id (25 °C)110 А
Струм Id (100 °C)80 А
Rds(on) при Vgs 10 В0,0065 Ом (макс.), 0,0055 Ом (тип.)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В
Заряд затвора Qg100 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5850 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd176 Вт
Макс. температура Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Мікросхема MP1006ES , so-16

В наявності

84,60 ₴
На канікулах до 20.11

Мікросхема MN1380R

В наявності

18,80 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic (Matsushita)
КорпусM type, 3 виводи
Тип виходуКМОП
Напруга спрацювання (ранг R)4.0–4.3 В
Гістерезис100–300 мВ (ранги L–U)
Струм споживання1 мкА (тип.), 5 мкА (макс.) при VDD = 5 В
Напруга живлення VDD1.5–6.0 В (рекомендована)
Макс. напруга VDD7.0 В (абсолютний максимум)
Робоча температура-20…70 °C
Температура зберігання-55…125 °C

Мікросхема MN1280N

В наявності

18,80 ₴
На канікулах до 20.11

Мікросхема MN1220 демонтаж

В наявності

47,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема ML4824IP1 , DIP16

В наявності

138,65 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor
КорпусDIP16
Частота ШІМfPWM = fPFC (версія -1)
Макс. частота ШІМ250 кГц
Опорна напруга VREF (pin 14)7.5 В
Піковий струм виходів PFC OUT і PWM OUT500 мА (абсолютний максимум)
Макс. температура переходу150 °C
Робочий діапазон температур-40…85 °C

Мікросхема ML4800CS демонтаж, so-16

В наявності

86,95 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
КорпусSO-16
ВиробникFairchild Semiconductor
Макс. напруга живлення VCC18 В (абсолютний максимум)
Струм запуску200 мкА типово, VCC = 12 В
Частота генератора76 кГц, TA = 25 °C, VCC = 15 В, RT = 52,3 кОм, CT = 470 пФ
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема MIX2018A ( MIX2018E ) , so-8

В наявності

25,85 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникMixinno
Потужність класу D5.0 Вт (VDD 5.0 В, RL 2 Ом, THD+N 10 %)
Потужність класу F4.9 Вт (VDD 5.0 В, RL 2 Ом, THD+N 10 %)
Напруга живлення VDD2.5–5.0 В
Макс. VDD5.25 В
ККДдо 90 %
Струм вимкненняменше 1 мкА
Макс. Tj125 °C
КорпусSO-8

Мікросхема MIP414S оригінал ( MIP414 ) , DIP7

В наявності

187,53 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
Макс. напруга стоку VD700 В
Пробивна напруга VDSS (мін.)700 В
Піковий струм стоку IDP2.4 А
Rds(on)4.9 Ом (тип.), 6.7 Ом (макс.) при VCC 15 В, ID 300 мА, VFB 3 В
Поріг ILIMIT (мін./тип./макс.)1.215 / 1.350 / 1.485 А
Макс. напруга VCC45 В
Макс. температура каналу Tch150 °C
КорпусDIP7
СтанОригінал

Мікросхема MIP411 , DIP8

В наявності

91,65 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
Макс. напруга стоку VD700 В
Пробивна напруга VDSS (мін.)700 В
Піковий струм стоку IDP0.82 А
Rds(on)13.6 Ом (тип.), 16.6 Ом (макс.) при VCC 15 В, ID 100 мА, VFB 3 В
Поріг ILIMIT (мін./тип./макс.)0.405 / 0.450 / 0.495 А
Макс. напруга VCC45 В
Макс. температура каналу Tch150 °C
КорпусDIP8

Мікросхема MIP3E3SMY , TO220-3

В наявності

120,32 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
КорпусTO-220-A1
Макс. напруга стоку VD700 В
Макс. струм стоку ID1.1 А
Піковий струм IDP1.7 А
Rds(on)6.0 Ом (тип.), 7.5 Ом (макс.) при ID 0.2 А, TC 25 °C ±3 °C
Поріг захисту ILIMIT0.9 / 1.0 / 1.1 А (мін./тип./макс.)
Частота fOSC100 кГц (90–110 кГц)
Макс. напруга керування VC8 В

Мікросхема MIP2G4 , DIP

В наявності

70,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
Напруга стік–витік VDSS700 В
Поріг захисту ILIMIT1.0 А
ILIMIT min0.75 А
Частота fosc100 кГц
Вихідна потужністьдо 20 Вт
КорпусDIP8
Корпус (докладно)DIP8-A1(CF)

Мікросхема MIP2F5 , DIP

В наявності

131,60 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
КорпусDIP7
Напруга стік–витік VDSS700 В (VCC = 27 В, ID = 100 мкА)
Піковий струм IDP4.0 А
Струм захисту ILIMIT1.0 А
Rds(on)3.0 Ом (тип.), 3.8 Ом (макс.) при ID = 100 мА, Tc = 25 °C
Частота fOSC100 кГц
Живлення VCC (макс.)45 В

Мікросхема MIP2F4 , DIP7

В наявності

48,88 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
КорпусDIP7
Напруга VDSS700 В
Піковий струм IDP1.5 А
Струм захисту ILIMIT0.70 А
Rds(on) типове7 Ом
Частота fOSC100 кГц
Напруга живлення VCC45 В (макс.)

Мікросхема MIP2F3 , DIP

В наявності

62,51 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
КорпусDIP7
Напруга VDSS700 В
Піковий струм IDP1 А
Струм захисту ILIMIT0.50 А
Rds(on) типове10 Ом
Частота fOSC100 кГц
Напруга живлення VCC45 В (макс.)

Мікросхема MIP2F2 , DIP7

В наявності

23,97 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
КорпусDIP7
Напруга VDSS700 В
Піковий струм IDP0.65 А
Струм захисту ILIMIT0.350 А
Rds(on) типове20 Ом
Частота fOSC100 кГц
Напруга живлення VCC45 В (макс.)