Магазин

Показано 2233–2256 із 3906Сортовано за останнім

Показати 20 40 80

Мікросхема MIP2E4D , DIP7

В наявності

51,70 ₴
ПараметрЗначення
Напруга на виводі Drain VD макс.700 В
Напруга на виводі Control VC макс.10 В
Вихідний струм ID макс.1.72 А
Вихідний піковий струм IDP макс.2.4 А
Частота генерації fOSC100 кГц (90–110)
Макс. коефіцієнт заповнення69 % (66–72)
Струм спрацювання захисту ILIMIT1.5 А (1.35–1.65)
Опір відкритого каналу RDS(ON)5.8 Ом (тип.), макс. 6.7 Ом
Температура каналу макс.150 °C
КорпусDIP7
На канікулах до 20.11

Мікросхема MIP2C4 , DIP7

В наявності

81,78 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
Напруга стік–джерело, макс.700 В
Струм стоку, макс.1200 мА
Напруга VCC, макс.45 В
Напруга VDD, макс.8 В
Частота генератора100 кГц (типово)
Макс. коефіцієнт заповнення47,5 % (типово)
Поріг захисту за струмом0,70 А (типово)
Опір відкритого каналу8,0 Ом (типово, ID = 100 мА)
Температурний захист140 °C (типово)
КорпусDIP7
На канікулах до 20.11

Мікросхема MIP289 демонтаж, DIP7

В наявності

58,75 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPanasonic
Напруга стік–джерело, макс.700 В
Струм стоку, макс.280 мА
Пиковий струм стоку, макс.420 мА
Частота генератора44 кГц (типово)
Макс. коефіцієнт заповнення68 % (типово)
Поріг захисту за струмом0,255 А (типово)
Опір відкритого каналу31,2 Ом (типово, ID = 25 мА)
Температурний захист140 °C (типово)
КорпусDIP7
СтанДемонтаж б/в
На канікулах до 20.11

Мікросхема MCP602I-SN , so-8

В наявності

26,79 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMicrochip Technology
Кількість підсилювачів2
КорпусSO-8
Напруга живлення2.7–6.0 В
GBWP (типово, 25 °C)2.8 МГц
Швидкість наростання (типово, G=+1, 25 °C)2.3 В/мкс
Струм споживання на підсилювач (типово, IO=0, 25 °C)230 мкА
Діапазон температур (індустріальний)–40…+85 °C
На канікулах до 20.11

Мікросхема MCP601-I/SN , so-8

В наявності

23,97 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMicrochip Technology
Кількість підсилювачів1
КорпусSO-8
Напруга живлення2.7–6.0 В
GBWP (типово, 25 °C)2.8 МГц
Швидкість наростання (типово, G=+1, 25 °C)2.3 В/мкс
Струм споживання на підсилювач (типово, IO=0, 25 °C)230 мкА
Діапазон температур (індустріальний)–40…+85 °C
На канікулах до 20.11

Мікросхема MCP3201-BI , smd

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMicrochip Technology
Тип12-бітний АЦП з інтерфейсом SPI
Розрядність12 біт
КорпусSO-8
Кількість виводів8
Напруга живлення VDD2,7–5,5 В
Макс. частота дискретизації100 тис. вибірок/с (VDD = VREF = 5 В)
Робочий струм IDD300 мкА (тип.), 400 мкА (макс.) при VDD = 5,0 В
Струм очікування IDDS0,5 мкА (тип.), 2 мкА (макс.) при CS = VDD = 5,0 В
DNL±1 МЗР (макс.)
INL±1 МЗР (макс.)
Діапазон температур-40…+85 °C
На канікулах до 20.11

Мікросхема MC44608P75

В наявності

65,33 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникON Semiconductor (onsemi)
ТипШІМ-контролер імпульсного джерела живлення
КорпусDIP8
Корпус (докладно)PDIP-8, суфікс P, CASE 626
Кількість виводів8
Частота перемикання75 кГц
Макс. напруга живлення VCC16 В
Макс. струм живлення ICC30 мА
Макс. напруга на виводі Vi500 В
Рекомендована напруга на виводі Vi400 В
Розсіювана потужність Pd600 мВт при TA = 85 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
На канікулах до 20.11

Мікросхема MC44608P40

В наявності

53,11 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникON Semiconductor (onsemi)
ТипШІМ-контролер імпульсного джерела живлення
КорпусDIP8
Корпус (докладно)PDIP-8, суфікс P, CASE 626
Кількість виводів8
Частота перемикання40 кГц
Макс. напруга живлення VCC16 В
Макс. струм живлення ICC30 мА
Макс. напруга на виводі Vi500 В
Рекомендована напруга на виводі Vi400 В
Розсіювана потужність Pd600 мВт при TA = 85 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
На канікулах до 20.11

Мікросхема MC44603P оригінал ( MC44603AP )

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
КорпусDIP16
Частота перемикання виходудо 250 кГц
Макс. напруга живлення VCC18 В
Макс. струм виходу (пік)750 мА
Опорна напруга Vref2,5 В (2,4–2,6 В), VCC = 10–15 В
Поріг запуску14,5 В (13,6–15,4 В)
Робоча температура−25…+85 °C
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Діодний міст D20XB100

В наявності

133,48 ₴
ПараметрЗначення
Максимальна зворотна напруга Vrrm1000 В
Середній випрямлений струм Io20 А (Tc 110 °C)
Піковий ударний струм Ifsm240 А
Пряма напруга Vf0,98 В (при 10 А)
Робоча температура Tj/Tstg-55…+150 °C
КорпусSIP, 5 виводів
На канікулах до 20.11

Мікросхема MC34119 ( MC34119L ) , so-8

В наявності

24,91 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняНизьковольтний аудіопідсилювач для телефонних апаратів
Напруга живлення2–16 В (робочий діапазон)
Струм спокою2,7 мА (типове)
Вихідна потужністьне менше 250 мВт (Vcc 6 В, RL 32 Ом, THD ≤ 10%)
Коефіцієнт підсилення0–46 дБ
Опір навантаження8–100 Ом
Робоча температура–20…+70 °C (Ta)
КорпусSO-8
На канікулах до 20.11

Мікросхема MC34071P оригінал, DIP8

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
КорпусDIP8
Напруга живлення (VCC–VEE)3,0–44 В
Смуга підсилення (GBW)4,5 МГц (typ), f = 100 кГц, VCC = +15 В, VEE = −15 В
Швидкість наростання13 В/мкс
Напруга зміщення нуля1,0 мВ (typ) / 5,0 мВ (max), RS = 100 Ом
Струм споживання на підсилювач1,9 мА (typ) / 2,5 мА (max), VCC = +15 В, VEE = −15 В
Макс. температура переходу150 °C
СтанОригінал
На канікулах до 20.11

Мікросхема MC34063API ( MC34063AL , MC34063C ) , DIP8

В наявності

18,80 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (ON Semiconductor)
ТипКеруючий чип DC-DC перетворювача
КорпусDIP8
Вхідна напруга3,0…40 В
Макс. напруга живлення VCC40 В
Струм вихідного ключа1,5 А
Частота перетвореннядо 100 кГц
Опорна напруга компаратора1,25 В (VCC = 5,0 В, TA = 25 °C)
Напруга насичення ключа (Дарлінгтон)1,0 В (тип., макс. 1,3 В; ISW = 1,0 А)
Струм споживаннямакс. 4,0 мА
Розсіювана потужність PDIP-81,25 Вт (TA = 25 °C)
Робочий діапазон MC34063A0…+70 °C
На канікулах до 20.11

Мікросхема MC33274ADG , so-14

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (ON Semiconductor)
ТипЧотири операційні підсилювачі
КорпусSO-14
Кількість підсилювачів4
Напруга живлення+3,0…+36 В або ±1,5…±18 В
Макс. VCC–VEE36 В
GBW24 МГц (f = 100 кГц, ±15 В, TA = 25 °C)
Швидкість наростання10 В/мкс (±15 В, TA = 25 °C)
Вхідна напруга зсуву0,1 мВ (тип., макс. 1,0 мВ)
Струм споживання на підсилювач2,15 мА (тип., макс. 2,75 мА)
Вхідний струм зміщення300 нА
Шум18 нВ/√Гц (f = 1,0 кГц)
Робочий діапазон температур-40…+85 °C
На канікулах до 20.11

Мікросхема MC33260 , so-8

В наявності

41,83 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (ON Semiconductor)
ТипКонтролер PFC
КорпусSO-8
Кількість виводів8
Максимальна напруга VCC16 В
Поріг запуску VCC11 В (тип., VCC = 13 В, TJ = 25 °C)
Струм споживання в роботі4,0 мА (тип., макс. 8,0 мА)
Струм драйвера затвора±500 мА (source/sink)
Макс. температура переходу TJ150 °C
Робочий діапазон TA-40…+105 °C
На канікулах до 20.11

Мікросхема MAX4420 , so-8

В наявності

209,62 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMaxim
ПризначенняНеінвертуючий одноканальний драйвер MOSFET, вхід TTL/CMOS
Напруга живлення VDD4.5–18 В
Піковий вихідний струм6 А (VDD = 18 В, TA = 25 °C, мін.)
Вихідний опір1.5 Ом (VDD = 18 В, Iout = 10 мА, TA = 25 °C, типово)
Час наростання25 нс (2500 пФ, VDD = 18 В, TA = 25 °C, типово)
Час спаду25 нс (2500 пФ, VDD = 18 В, TA = 25 °C, типово)
КорпусSO-8
На канікулах до 20.11

Мікросхема MAX232 , smd

В наявності

19,74 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняПодвійний драйвер/приймач EIA-232
Напруга живлення VCC4.5–5.5 В
Струм живлення8 мА (тип.), 10 мА (макс.) при VCC = 5.5 В, TA = 25 °C
Швидкість передачідо 120 кбіт/с
Канали2 драйвери, 2 приймачі
Вхідна напруга приймача±30 В
Захист ESD2000 В (HBM)
Конденсатори charge pump1 мкФ
Робоча температура0–70 °C
Виконанняsmd
На канікулах до 20.11

Мікросхема MAP8800 , so-8

В наявності

32,43 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMagnaChip
ПризначенняКонтролер корекції коефіцієнта потужності (PFC)
Режим роботиРежим напруги, критичний режим провідності (CRM)
ККД схемипонад 85 % (вихідна потужність понад 50 Вт)
КорпусSO-8
На канікулах до 20.11

Мікросхема MA8920 оригінал демонтаж

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникShindengen
ПризначенняІмпульсний модуль живлення (RCC-перетворювач)
Макс. вхідна напруга Vin (піков.)900 В
Макс. вхідний струм Iin (піков.)5 А
Потужність розсіювання Pd (без радіатора)3 Вт (Ta = 25 °C)
Потужність розсіювання Pd (з радіатором)22 Вт (Tc = 100 °C)
Вихідна потужність Po80 Вт (вхід 180–276 В); 40 Вт (вхід 85–276 В), довідкове значення
Споживання на малому навантаженні≤ 0.5 Вт (навантаження 50 мВт, вхід AC 100 В)
ККД≥ 80 % (номінальне навантаження)
Корпус7 виводів, full-mold, крок виводів 2.54 мм
СтанОригінал, демонтаж б/в
На канікулах до 20.11

Мікросхема M52707SP-A демонтаж

В наявності

376,00 ₴
ПараметрЗначення
СтанДемонтаж б/в
На канікулах до 20.11

Мікросхема M52340SP-A демонтаж

В наявності

352,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMitsubishi Electric
ПризначенняОднокристальний процесор сигналу кольорового ТВ (PAL/NTSC)
Живлення (виводи 8 і 24)4.75–5.25 В (номінальна 5.0 В)
Живлення (виводи 9, 20 і 47)7.6–8.4 В (номінальна 8.0 В)
Потужність розсіювання Pd1.4 Вт (Ta 25 °C)
Робоча температура-20…+65 °C
Керуванняшина I2C
Корпус52P4B, 52 виводи
СтанДемонтаж б/в
На канікулах до 20.11

Мікросхема M52313SP демонтаж

В наявності

124,08 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMitsubishi Electric
ПризначенняPLL-обробник відео- та звукової ПЧ (VIF/SIF)
Робоча напруга живлення4.5–5.5 В (номінальна 5.0 В)
Струм споживання Icc36 мА типово (мін. 25, макс. 47; Ta 25 °C, Vcc1 5 В, Vcc2 12 В)
Макс. напруга Vcc17 В
Макс. напруга Vcc214 В
Потужність розсіювання Pd1000 мВт
Робоча температура-20…+75 °C
Корпус20P4B (shrink DIP), 20 виводів
СтанДемонтаж б/в
На канікулах до 20.11

Мікросхема M52309SP-A демонтаж

В наявності

329,00 ₴
ПараметрЗначення
НомерM52309SP-A
СтанДемонтаж б/в
На канікулах до 20.11

Мікросхема LY2117 , DIP8

В наявності

29,61 ₴
ПараметрЗначення
ТипШІМ-контролер flyback з біполярним ключем
ВиробникShenzhen Stronglink Electronics
КорпусDIP8
Макс. вихідна потужність18.0 Вт
Робоча частота62 кГц
Напруга ключа BJT> 720 В
Max Vcc8.7 В
Споживання в черговому режимі< 300 мВт
ЗахистOVP
На канікулах до 20.11