Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-6 (розтягнутий) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SLM341 ( SLM341CK-DG ) оригінал, so-6
123,14 ₴
69 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
69 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SLM341 (SLM341CK-DG) – одноканальний ізольований драйвер затвора IGBT і MOSFET у корпусі SO-6. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-6 (розтягнутий) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ізольований драйвер затвора IGBT/MOSFET |
| Виробник | Sillumin |
| Корпус | SO-6 (розтягнутий) |
| Вихідний струм (джерело/приймач) | 3,0 А / 3,0 А (пік) |
| Напруга ізоляції | 5000 В (діюче) |
| Напруга живлення затвора | 14…40 В |
| Затримка поширення | 140 нс (макс.) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (мін.) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
SLM341 (SLM341CK-DG) – одноканальний ізольований драйвер затвора IGBT і MOSFET, сумісний за виводами з оптопарними драйверами. Виробник – Sillumin. Корпус SO-6 (розтягнутий SO6). Вхід – емульований діод. Максимальний вихідний струм – 3,0 А як джерело і 3,0 А як приймач (пікове значення). Напруга живлення затвора 14…40 В. Напруга ізоляції 5000 В (діюче, 1 хвилина, UL 1577, посилена ізоляція; сертифікати заплановані).
Затримка поширення – до 140 нс, розкид затримок між приладами – до 25 нс, спотворення ширини імпульсу – до 35 нс. Стійкість до синфазних імпульсів CMTI – не менше 150 кВ/мкс. Допустима зворотна напруга на вході – 30 В, температура переходу -40…150 °C. Це оригінал, не демонтаж. Відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- приводи двигунів змінного й безщіткового постійного струму
- інвертори відновлюваної енергетики
- промислове живлення
- побутова техніка
Чим замінити SLM341?
У назві товару вказано SLM341CK-DG – це позначення тієї самої мікросхеми. Інші заміни перевіряйте за даташитом.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи можна поставити SLM341 замість оптопари?
Драйвер сумісний за виводами з оптопарними драйверами. Перед заміною порівняйте розпіновку й живлення 14…40 В зі своєю схемою.
Який струм дає драйвер?
Пікове значення – 3,0 А як джерело і 3,0 А як приймач.
Документація виробника: SLM341CK-DG (Sillumin).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор YGW60N65T1 оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic | 60 А (Tc 100 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,85 В тип. (Ic 60 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Ptot | 312 Вт (Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Qg | 158 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3800 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Luxin-Semi |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RUH1H150R оригінал (заміна для RU1H150R ), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shenzhen Ruichips Semiconductor |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 150 А (TC=25 °C, VGS=10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 106 А (TC=100 °C, VGS=10 В) |
| Rds(on) | 3.2 мОм тип., макс. 4 (VGS=10 В, IDS=75 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, IDS=250 мкА) |
| Qg | 87 нКл тип. (VDS=80 В, VGS=10 В, IDS=75 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Pd | 200 Вт (TC=25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Мікросхема 24C04WP ( ST24C04WP , 24C04WBN6 , AT24C04N ), DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 4K (4096 біт) |
| Організація | 512 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема 24C08WP ( ST24C08WP , M24C08-WMN6TP ) оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 8K (8192 біт) |
| Організація | 1024 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSI6602BD оригінал ( NSI6602B-DSWR , NSI66 02BD , NS16602BD , NS166 02BD ), sow16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Призначення | Ізольований двоканальний драйвер затворів силових транзисторів |
| Піковий струм source | 4 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Піковий струм sink | 6 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Напруга VDDA, VDDB | 9,4–25 В (версія NSI6602B) |
| Напруга VDDI | 3–5,5 В |
| Затримка поширення | 25 нс (типово, VDDA=VDDB=12 В) |
| Напруга ізоляції | 5700 В (діюче), 1 хвилина, UL1577 |
| CMTI | 150 кВ/мкс (типово) |
| Температура | –40…125 °C |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.