Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STD13N60M2 ( ST13N60M2 , 13N60M2 ) оригінал, D-PAK
117,50 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STD13N60M2 – оригінальний N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics (MDmesh M2) у корпусі D-PAK на 600 В.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Серія | MDmesh M2 |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (25 °C) | 11 А при TC = 25 °C |
| Струм Id (100 °C) | 7 А при TC = 100 °C |
| Rds(on) | 350 мОм тип., 380 мОм макс. при VGS = 10 В, ID = 5,5 А |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 580 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 110 Вт при TC = 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
STD13N60M2 – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics серії MDmesh M2 у корпусі DPAK (TO-252). Напруга Vds – 600 В (мін., при VGS = 0 В, ID = 1 мА); 650 В при Tj max. Струм стоку Id – 11 А при TC = 25 °C і 7 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 350 мОм типово, 380 мОм макс. при VGS = 10 В, ID = 5,5 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2 В мін., 3 В тип., 4 В макс. при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Заряд затвора Qg – 17 нКл при VDD = 480 В, ID = 11 А, VGS = 0–10 В. Вхідна ємність Ciss типово 580 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц). Напруга затвор–витік Vgs – ±25 В. Потужність розсіювання – 110 Вт при TC = 25 °C, температура переходу – до 150 °C. Пряма напруга діода Vsd – 1,6 В макс. при ISD = 11 А, VGS = 0 В.
Це оригінал, не демонтаж. Затвор захищений стабілітронами (Zener-protected), кожен транзистор серії проходить 100 % перевірку на лавинний пробій. Для заміни порівнюйте тип каналу, Vds, Id, Rds(on), заряд затвора й корпус DPAK. Відправка з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні перетворювачі та ключові схеми
Чим замінити STD13N60M2?
У нашому каталозі зараз немає транзисторів, які ми можемо назвати аналогом за правилом підбору. Шукайте заміну за datasheet: той самий канал і корпус DPAK, Vds не нижче, Id та Rds(on) не гірші.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для чого застосовують STD13N60M2?
Для імпульсних перетворювачів та ключових схем. Транзистор розрахований на 600 В, тому підходить для високовольтних каскадів.
Що означає Zener-protected у STD13N60M2?
Затвор захищений вбудованими стабілітронами. Напруга затвор–витік Vgs – ±25 В.
Документація виробника: STD13N60M2, DS9632 Rev 6.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.