Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STD14NM50N ( ST14NM50N ) оригінал (550V,12A,0.32R) , D-PAK(заміна для 50S500CE IPD50R500CE )
164,50 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STD14NM50N (ST14NM50N) – N-канальний MOSFET STMicroelectronics серії MDmesh II для імпульсних перетворювачів. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, MDmesh II |
| Напруга Vds | 500 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В; TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 8 А |
| Опір Rds(on) | 285 мОм тип., 320 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 6 А; TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В мін. / тип. / макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл (VDD = 400 В, ID = 12 А, VGS 0–10 В) |
| Потужність Pd | 90 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 252 нс (ISD = 12 А, di/dt = 100 А/мкс, VDD = 60 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
STD14NM50N (ST14NM50N) – N-канальний MOSFET STMicroelectronics серії MDmesh II у корпусі DPAK. Напруга Vds 500 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В; TC 25 °C), струм стоку Id 12 А при TC 25 °C і 8 А при TC 100 °C. Опір Rds(on) 285 мОм типово, 320 мОм максимум (VGS = 10 В, ID = 6 А; TC 25 °C). Заряд затвора Qg 27 нКл (VDD = 400 В, ID = 12 А, VGS 0–10 В), потужність Pd 90 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C.
Параметри наведено за документом STMicroelectronics на близький варіант STD14NM50NAG (автомобільний клас AEC-Q101). Оригінал, не демонтаж. У назві товару вказано, що STD14NM50N може замінити 50S500CE та IPD50R500CE; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Підбираючи заміну, дивіться на напругу, струм, Rds(on), заряд затвора та корпус. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Імпульсні перетворювачі (switching applications)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити STD14NM50N?
За назвою товару STD14NM50N може замінити 50S500CE та IPD50R500CE. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Як перевірити транзистор мультиметром?
Витягніть деталь зі схеми та перевірте діод між стоком і витоком, а також відсутність пробою між затвором, стоком і витоком.
Яка напруга драйвера потрібна для цього MOSFET?
Rds(on) у документі нормується при VGS = 10 В, тому драйвер затвора розраховуйте на цю напругу.
Документація виробника: STD14NM50NAG, DS12786 Rev 3.
Параметри наведено за документом STMicroelectronics на близький варіант STD14NM50NAG.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема SPC7011F , so-8 ( FA5695N )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | контролер PFC |
| Корпус | SO-8 |
| Режим роботи | критичний режим (critical conduction mode) |
| Напруга живлення, рекомендована | 10–26 В, типово 12 |
| Напруга живлення, максимум | 28 В (Ta 25 °C) |
| Поріг вмикання UVLO | 13 В (FA5695, типово) |
| Поріг вимкнення UVLO | 9 В (FA5695) |
| Струм старту | 80 мкА (максимум) |
| Робочий струм | 2 мА (типово) |
| Піковий струм виходу | 1000 / 1000 мА (джерело/стік) |
| Робоча температура | -40…+105 °C |
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.