Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF20N50F оригінал, TO220F(20A,500V,0.2R)
133,48 ₴
24 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SVF20N50F – N-канальний польовий транзистор на 500 В і 20 А в ізольованому корпусі TO-220F-3L. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (BVDSS мін., VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 12.6 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0.20 Ом тип., 0.27 Ом макс. (VGS=10 В, ID=10 А) |
| Заряд затвора Qg | 49.5 нКл тип. (VDS=400 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2687.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VGS=VDS, ID=250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 72 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
SVF20N50F – N-канальний MOSFET виробництва Silan (Hangzhou Silan Microelectronics) у корпусі TO-220F-3L. За даташитом SVF20N50F/PN Rev 1.6 напруга Vds (мінімум BVDSS) – 500 В при VGS=0 В, ID=250 мкА. Струм стоку Id – 20 А при Tc 25 °C і 12.6 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.20 Ом типово (максимум 0.27 Ом) при VGS=10 В, ID=10 А. Заряд затвора Qg – 49.5 нКл типово при VDS=400 В, ID=20 А, VGS=10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2687.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В. Потужність розсіювання Pd – 72 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 150 °C. Вбудований діод є: VSD максимум 1.4 В при IS=20 А.
Це оригінал, не демонтаж. Для заміни шукайте N-канальний транзистор у корпусі TO-220F з Vds не нижче 500 В, струмом не менше 20 А і Rds(on) не гіршим за 0.27 Ом при VGS=10 В. Виробник вказує версію тієї ж серії SVF20N50PN у корпусі TO-3P: це інший корпус, тому без перевірки розпіновки й кріплення вона не підійде. Порівнюйте параметри з даташитом вашого виробу.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення AC-DC
- Перетворювачі DC-DC
- Мостові драйвери двигунів з ШІМ
Чим замінити SVF20N50F?
Підходить N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 500 В, струмом не менше 20 А і Rds(on) не гірше 0.27 Ом при VGS=10 В. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим SVF20N50F відрізняється від SVF20N50PN?
Це одна серія, але SVF20N50PN – у корпусі TO-3P, а SVF20N50F – у TO-220F-3L. Потужність розсіювання Pd для SVF20N50F – 72 Вт при Tc 25 °C.
Чи є у транзисторі вбудований діод?
Так. VSD максимум 1.4 В при IS=20 А, trr типово 570.3 нс при IS=20 А, dIF/dt=100 А/мкс.
Документація виробника: SVF20N50F/PN Rev 1.6.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.