Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK100E08N1 ( K100E08N1 ) оригінал , TO220
164,50 ₴
56 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TK100E08N1 (K100E08N1) – N-канальний польовий транзистор Toshiba на 80 В у корпусі TO-220, з вбудованим діодом. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм Id | 100 А (обмеження корпусом; за кремнієм 214 А) |
| Опір Rds(on) | 3.2 мОм макс., 2.6 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 9000 пФ |
| Потужність Pd | 255 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Вбудований діод | є, trr 93 нс (тип.) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
TK100E08N1 (позначається також K100E08N1) – N-канальний MOSFET виробника Toshiba у корпусі TO-220. Напруга Vds – 80 В. Струм стоку Id – 100 А (обмеження корпусом; за кремнієм 214 А). Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 3.2 мОм при Vgs 10 В, Id 50 А (типове значення 2.6 мОм). Поріг Vgs(th) – 2.0–4.0 В. Заряд затвора Qg – 130 нКл (тип.) при Vdd 64 В, Vgs 10 В, Id 100 А. Вхідна ємність Ciss типово 9000 пФ. Потужність розсіювання Pd – 255 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура каналу – 150 °C. Вбудований діод має час зворотного відновлення 93 нс (тип.).
Стан товару – оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vds, Rds(on) при Vgs 10 В, струм стоку Id і заряд затвора Qg: від нього залежить навантаження на драйвер. Корпус має бути TO-220 з тією самою розпіновкою. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Імпульсні регулятори напруги
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| PDP8974 | канал N = N, Vds 80 ≥ 80, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×100=80, Rds(on) Vgs 10 В max 3.9 ≤ 1.3×3.2=4.16 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | перед заміною порівняйте заряд затвора Qg | Купити |
| NCEP85T16 | канал N = N, Vds 85 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×100=80, Rds(on) Vgs 10 В max 3.8 ≤ 1.3×3.2=4.16 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | перед заміною порівняйте заряд затвора Qg | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити TK100E08N1?
У нашому каталозі є PDP8974 і NCEP85T16 – обидва N-канальні, у корпусі TO-220, з Vds не нижче 80 В. Перед заміною порівняйте заряд затвора Qg та datasheet.
Чи є K100E08N1 іншою деталлю?
Ні, у назві товару K100E08N1 вказано як інше позначення цього ж транзистора.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чому струм 100 А, якщо кремній витримує більше?
Значення 100 А – обмеження корпусом, за кремнієм у документі вказано 214 А. Для розрахунку орієнтуйтеся на 100 А.
Документація виробника: TK100E08N1 (Toshiba).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.