Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | 2-5J1A (Toshiba) |
Транзистор 2SC2230
11,28 ₴
3 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
2SC2230 – високовольтний біполярний NPN транзистор Toshiba для підсилювачів загального призначення і вихідних каскадів звуку.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | 2-5J1A (Toshiba) |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 200 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 160 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 100 мА |
| Потужність Pc | 800 мВт |
| hFE(1) | 120–400 (Vce 10 В, Ic 10 мА) |
| hFE(2), мін. | 80 (Vce 10 В, Ic 50 мА) |
| Vce(sat), макс. | 0,5 В (Ic 50 мА, Ib 5 мА) |
| fT, мін. | 50 МГц (Vce 10 В, Ic 10 мА) |
| Cob, макс. | 7 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Корпус | 2-5J1A (Toshiba) |
2SC2230 – біполярний транзистор NPN виробництва Toshiba (Triple Diffused) у корпусі 2-5J1A. За даташитом напруга колектор–база Vcbo – 200 В, колектор–емітер Vceo – 160 В (для 2SC2230A – 180 В), емітер–база Vebo – 5 В. Струм колектора Ic – 100 мА, потужність розсіювання Pc – 800 мВт. Коефіцієнт підсилення hFE(1) – 120–400 при Vce 10 В і Ic 10 мА (група Y 120–240, група GR 200–400), hFE(2) не менший за 80 при Vce 10 В і Ic 50 мА. Напруга насичення Vce(sat) не більша за 0,5 В при Ic 50 мА і Ib 5 мА. Гранична частота fT не менша за 50 МГц, вихідна ємність Cob не більша за 7 пФ (Vcb 10 В, f 1 МГц).
При підборі заміни порівнюйте напругу Vceo, струм, потужність і hFE за даташитом. Виробник вказує варіант 2SC2230A з вищою напругою Vceo. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Високовольтні підсилювачі загального призначення
- Вихідні каскади звуку класу B в кольорових телевізорах
Чим замінити 2SC2230?
Виробник називає 2SC2230A: у неї Vceo 180 В проти 160 В. Інші варіанти підбирайте за Vceo, Ic, Pc і hFE, порівнюючи datasheet.
Чим відрізняються 2SC2230 і 2SC2230A?
Напругою колектор–емітер Vceo: 160 В у 2SC2230 і 180 В у 2SC2230A.
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Де використовують 2SC2230?
У високовольтних підсилювачах загального призначення та у вихідних каскадах звуку класу B в кольорових телевізорах.
Документація виробника: 2SC2230 (Toshiba).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2N4403 , to92
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–база Vcbo | -40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -600 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT (мін.) | 200 МГц (Vce -10 В, Ic -20 мА, f 100 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SA1625
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга V(BR)CBO | -400 В (Ic -100 мкА, Ie 0) |
| Напруга V(BR)CEO | -400 В (Ic -1 мА, Ib 0) |
| Напруга V(BR)EBO | -7 В (Ie -100 мкА, Ic 0) |
| Імпульсний струм Icm | -0,5 А (Tamb 25 °C) |
| Потужність Pcm | 750 мВт (Tamb 25 °C) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| hFE | 40–200 (Vce -5 В, Ic -50 мА; M 40–80, L 60–120, K 100–200) |
| Vce(sat) | -1 В макс. (Ic -100 мА, Ib -10 мА) |
| Гранична частота fT | 10 МГц тип. (Vce -10 В, Ic -10 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 40 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.