Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор BD237
9,87 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
BD237 – низьковольтний біполярний NPN транзистор STMicroelectronics у корпусі SOT-32 (TO-126) для аудіо, лінійних та ключових потужних схем. Нова деталь.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 80 В (Ib = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (Ie = 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ic = 0) |
| Струм колектора Ic | 2 А (постійний) |
| Потужність розсіювання Ptot | 25 Вт (Tcase 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | мін. 40 (Ic 150 мА, Vce 2 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. 0,6 В (Ic 1 А, Ib 0,1 А) |
| Напруга база–емітер Vbe(on) | макс. 1,3 В (Ic 1 А, Vce 2 В) |
BD237 – біполярний транзистор NPN виробництва STMicroelectronics у корпусі SOT-32 (TO-126), низьковольтний, виготовлений за планарною технологією Base Island. Напруга колектор–емітер Vceo 80 В (Ib = 0), колектор–база Vcbo 100 В (Ie = 0), емітер–база Vebo 5 В (Ic = 0). Постійний струм колектора Ic – 2 А. Потужність розсіювання Ptot 25 Вт при Tcase 25 °C, максимальна температура переходу Tj 150 °C. Коефіцієнт підсилення hFE мін. 40 при Ic 150 мА, Vce 2 В; при Ic 1 А, Vce 2 В – мін. 25. Напруга насичення Vce(sat) макс. 0,6 В при Ic 1 А, Ib 0,1 А.
Нова деталь, не демонтаж. Для заміни підбирайте транзистор того самого типу NPN у корпусі SOT-32 (TO-126), з Vceo не нижче 80 В і струмом колектора не менше 2 А, а hFE порівнюйте при однаковому струмі. У документі виробника поруч названо BD235 (інша напруга Vceo); комплементарна PNP-пара – BD238. Відправка з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Аудіо, лінійні та ключові потужні схеми.
Чим замінити BD237?
У документі виробника поруч названо BD235 (інша напруга Vceo), комплементарна PNP-пара – BD238. Підбираючи інший транзистор, порівнюйте тип NPN, корпус SOT-32 (TO-126), Vceo 80 В, Ic 2 А і hFE при однаковому струмі.
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Який максимальний струм колектора BD237?
Постійний струм колектора Ic – 2 А.
Яка напруга насичення BD237?
Vce(sat) макс. 0,6 В при Ic 1 А, Ib 0,1 А.
Документація виробника: BD235, BD237 (STMicroelectronics), Doc ID 4189 Rev 3.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SA1625
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга V(BR)CBO | -400 В (Ic -100 мкА, Ie 0) |
| Напруга V(BR)CEO | -400 В (Ic -1 мА, Ib 0) |
| Напруга V(BR)EBO | -7 В (Ie -100 мкА, Ic 0) |
| Імпульсний струм Icm | -0,5 А (Tamb 25 °C) |
| Потужність Pcm | 750 мВт (Tamb 25 °C) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| hFE | 40–200 (Vce -5 В, Ic -50 мА; M 40–80, L 60–120, K 100–200) |
| Vce(sat) | -1 В макс. (Ic -100 мА, Ib -10 мА) |
| Гранична частота fT | 10 МГц тип. (Vce -10 В, Ic -10 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 40 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
Транзистор 2SA1695+2SC4468 оригінали
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP (2SA1695) + NPN (2SC4468) |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Напруга Vceo | 140 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 140 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 10 А (Tc 25 °C) |
| Потужність Pc | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 55–160 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Частота fT | 20 МГц тип. (Vce 12 В, Ie 0,5 А) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.