Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BF245A
28,20 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
BF245A – польовий транзистор JFET з N-каналом у корпусі TO-92. Нова деталь.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-92 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канал, JFET |
| Напруга стік–затвор Vdg | 30 В |
| Прямий струм затвора Igf | 10 мА |
| Початковий струм стоку Idss | 2–6,5 мА (VDS=15 В, VGS=0) |
| Крутизна gfs | 3–6,5 мСм (VDS=15 В, VGS=0, f=1 кГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 350 мВт (TA=25 °C, зниження 2,8 мВт/°C) |
| Робочий діапазон температур | -55…150 °C |
| Корпус | TO-92 |
BF245A – польовий транзистор JFET з N-каналом у корпусі TO-92 (виводи: 1 – затвор, 2 – витік, 3 – стік). Виробник за datasheet – Fairchild Semiconductor. Напруга стік–затвор Vdg – 30 В, прямий струм затвора Igf – 10 мА. Початковий струм стоку Idss – 2–6,5 мА (VDS=15 В, VGS=0), крутизна gfs – 3–6,5 мСм (VDS=15 В, VGS=0, f=1 кГц). Потужність розсіювання Pd – 350 мВт (TA=25 °C, зниження 2,8 мВт/°C), робочий діапазон температур -55…150 °C.
Нова деталь. Документ спільний для BF245A, BF245B і BF245C, тому під час підбору заміни звіряйте літеру в кінці номера. Перед заміною порівняйте datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Підсилювачі VHF/UHF діапазонів
Чим замінити BF245A?
Шукайте N-канальний JFET у корпусі TO-92 з тією ж літерою в кінці номера: Idss у BF245A, BF245B і BF245C різний. Порівнюйте datasheet зі своєю схемою.
Як перевірити польовий транзистор BF245A?
Виводи: 1 – затвор, 2 – витік, 3 – стік. Мультиметром перевірте, що між затвором і каналом немає пробою.
Чи підходить BF245A для ВЧ-підсилювачів?
За datasheet його застосовують у підсилювачах VHF/UHF діапазонів.
Який початковий струм стоку Idss у BF245A?
2–6,5 мА при VDS=15 В, VGS=0.
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Документація виробника: BF245A (Fairchild Semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.