Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор TSF20N60MR ( заміна для TSF20N50MR , STP20NM60FP , FQPF20N60 , HM20N60F , SIHP15N60E , JS60R380F , 60S380CE , IPAW60R380CE , R6020ANX , SVF20N60F , K18A60V , TK18A60V , FCPF20N60 , FQPF20N60C ) оригінал , TO220F

173,90 ₴

Немає в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Немає в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

TSF20N60MR – N-канальний польовий транзистор виробника Truesemi у корпусі TO-220F на 600 В, 20 А при Tc 25 °C. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)20 А (обмежено макс. температурою переходу)
Струм Id (100 °C)12 А
Rds(on)0.30 Ом (тип.), макс. 0.4 Ом при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)3–5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Qg57 нКл (тип., макс. 65) при Vds 480 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.4 В, trr 435 нс (тип.)
КорпусTO-220F
ВиробникTruesemi
СтанОригінал
Опис

TSF20N60MR – N-канальний MOSFET виробника Truesemi у корпусі TO-220F. Напруга стік–витік Vds – 600 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 20 А при Tc 25 °C (обмежено максимальною температурою переходу) і 12 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.30 Ом (тип.), макс. 0.4 Ом, при Vgs 10 В, Id 10 А. Порогова напруга Vgs(th) – 3–5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Заряд затвора Qg – 57 нКл (тип.), макс. 65 нКл, при Vds 480 В, Id 20 А, Vgs 10 В. Потужність розсіювання – 40 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Вбудований діод є: Vsd макс. 1.4 В, trr 435 нс (тип.) при Is 20 А, Vgs 0 В, diF/dt 100 А/мкс.

Оригінал, не демонтаж. У назві товару вказано, що TSF20N60MR може замінити TSF20N50MR, STP20NM60FP, FQPF20N60, HM20N60F, SIHP15N60E, JS60R380F, 60S380CE, IPAW60R380CE, R6020ANX, SVF20N60F, K18A60V, TK18A60V, FCPF20N60 та FQPF20N60C. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Підбираючи заміну самого TSF20N60MR, порівняйте тип каналу, Vds, Id, Rds(on) при Vgs 10 В, заряд затвора Qg і розпіновку корпусу TO-220F.

Де застосовують

  • Імпульсні блоки живлення
  • Активна корекція коефіцієнта потужності на напівмостовій топології
Часто питають
Чим замінити TSF20N60MR?

У назві товару вказано, що TSF20N60MR може замінити TSF20N50MR, STP20NM60FP, FQPF20N60, HM20N60F, SIHP15N60E, JS60R380F, 60S380CE, IPAW60R380CE, R6020ANX, SVF20N60F, K18A60V, TK18A60V, FCPF20N60 та FQPF20N60C. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Яка у TSF20N60MR напруга й струм?

Vds 600 В при Tc 25 °C; Id 20 А при Tc 25 °C (обмежено максимальною температурою переходу) і 12 А при Tc 100 °C.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи є у TSF20N60MR вбудований діод?

Так, вбудований діод є: Vsd макс. 1.4 В, trr 435 нс (тип.) при Is 20 А, Vgs 0 В, diF/dt 100 А/мкс.

Datasheet

Документація виробника: TSF20N60MR (Truesemi).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

TSF20N60MR (Truesemi) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Електролітичний конденсатор 47uF 63V 105C ( 47мкФ 63В 105град , 47*63*105гр ) HITANO 6,3*11мм

В наявності

7,05 ₴
ПараметрЗначення
Ємність47 мкФ
Робоча напруга63 В
Максимальна температура105 °C
Розмір (Ø×L)6,3×11 мм
ВиробникHITANO
ТипЕлектролітичний, радіальний

Транзистор IRF3205 оригінал ( Заміна для CEP3205 , HRF3205 , KEP3205 , SSF5508 ), TO220

В наявності

58,28 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал (HEXFET)
ВиробникInfineon (International Rectifier)
КорпусTO-220
Напруга V(BR)DSS55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм ID при 25 °C110 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм ID при 100 °C80 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В)
Опір RDS(on)8,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 62 А)
Vgs(th)2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg146 нКл макс. (ID = 62 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3247 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга VGS±20 В макс.
Температура переходу-55…+175 °C
СтанОригінал

Схожі товари

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор IRL1404 оригінал , TO220

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
Тип каналуN-канал, логічний рівень керування
Напруга Vdss40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А)
Rds(on)не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В (абсолютний максимум)
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5