Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY3215W ( HY3215 ) (150V,130A) , TO247 оригінал
154,63 ₴
51 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HY3215W (HY3215) – N-канальний польовий транзистор HUAYI на 150 В і 130 А для приводів двигунів. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 150 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 130 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 93 А |
| Опір Rds(on) | 11.5 мОм тип., 14 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В мін., 4 В тип., 5 В макс. (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 135 нКл тип. (VDS = 100 В, VGS = 10 В, ID = 30 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5925 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 349 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Діапазон температур зберігання Tstg | –55…175 °C |
| Стан | Оригінал |
HY3215W (HY3215) – N-канальний MOSFET виробництва HUAYI у корпусі TO-247 (в документі TO-247A-3L). Напруга Vds – 150 В (при VGS = 0 В, IDS = 250 мкА). Струм стоку Id – 130 А при Tc 25 °C і 93 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) – 11.5 мОм типово, 14 мОм максимум при VGS = 10 В, IDS = 40 А. Порогова напруга Vgs(th) – 3 В мінімум, 4 В типово, 5 В максимум. Заряд затвора Qg – 135 нКл типово (VDS = 100 В, VGS = 10 В, ID = 30 А). Вхідна ємність Ciss типово 5925 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 349 Вт при Tc 25 °C і 174 Вт при Tc 100 °C, діапазон температур зберігання Tstg – від –55 до 175 °C.
Оригінал, не демонтаж. Вбудований діод має trr 46 нс типово (ISD = 50 А, dI/dt = 100 А/мкс) і Vsd не більше 1.2 В при ISD = 50 А. Підбираючи заміну, порівнюйте канал, корпус TO-247, Vds, струм при Tc 100 °C і Rds(on) при VGS = 10 В. Відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня, Запоріжжя.
Де застосовують
- Приводи безщіткових двигунів
- Електропідсилювач керма
Чим замінити HY3215W?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з Vds не нижче 150 В, струмом при Tc 25 °C близьким до 130 А та Rds(on) близьким до 14 мОм при VGS = 10 В. Інших позицій з перевіреним збігом за цими параметрами в каталозі зараз немає.
HY3215W і HY3215 – це одна деталь?
У назві товару HY3215 вказано як позначення цієї ж деталі.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який заряд затвора і чи потрібен потужний драйвер?
Qg – 135 нКл типово при VDS = 100 В, VGS = 10 В, ID = 30 А. Для швидкого перемикання драйвер має давати достатній імпульсний струм затвора.
Документація виробника: HY3215W (HUAYI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.