Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFZ48N оригінал (55V,64A,130W,0.014R)
79,90 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRFZ48N – N-канальний польовий транзистор HEXFET у корпусі TO-220. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 55 В |
| Струм Id (25 °C) | 64 А |
| Струм Id (100 °C) | 45 А |
| Опір Rds(on) | 14 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 32 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 81 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 1970 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
IRFZ48N – N-канальний польовий транзистор HEXFET виробництва Infineon (International Rectifier) у корпусі TO-220AB. За даними datasheet, напруга стік-витік Vds – 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id – 64 А при Tc = 25 °C і VGS = 10 В, 45 А при Tc = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 14 мОм (VGS = 10 В, ID = 32 А). Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В, максимальна напруга затвор-витік ±20 В. Розсіювана потужність – 130 Вт при Tc = 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Вхідна ємність Ciss типово 1970 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц).
Товар оригінальний, не демонтаж. Заряд затвора Qg – до 81 нКл (ID = 32 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В), це варто враховувати при виборі драйвера затвора. Підбираючи заміну, порівнюйте канал (N), Vds, Id та Rds(on) при однаковій напрузі на затворі, а також корпус і розпіновку. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Транзистор HEXFET для широкого кола застосувань, де потрібен ефективний ключ
- Комерційно-промислові застосування в корпусі TO-220
Чим замінити IRFZ48N?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з такою самою розпіновкою: напруга Vds не нижча за 55 В, струм Id і опір Rds(on) не гірші, ніж у datasheet при порівнянній напрузі на затворі. Якщо Qg удвічі більший, перевірте драйвер.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити транзистор мультиметром?
У режимі перевірки діодів між витоком і стоком має бути падіння напруги на внутрішньому діоді в одному напрямку і обрив у зворотному. Між затвором і іншими виводами опір має бути практично нескінченним.
Якою напругою керувати затвором?
Rds(on) 14 мОм вказано при VGS = 10 В, Vgs(th) – 2,0–4,0 В, максимум ±20 В. Для повного відкриття подавайте 10 В.
Документація виробника: IRFZ48NPbF, PD-94991B.
Параметри наведено за datasheet виробника PD-94991B.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.