Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Транзистор P2103NVG (30V,7A,-6A,2W) , so-8
75,20 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
P2103NVG – комплементарна пара польових транзисторів (N + P канал) NIKO-SEM у корпусі SO-8.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NIKO-SEM |
| Тип каналу | N + P канал |
| Напруга Vds | 30 / -30 В |
| Струм Id (Ta 25 °C) | 8 / -6 А |
| Струм Id (Ta 70 °C) | 6 / -5 А |
| Rds(on) (макс.; N: Vgs = 10 В, Id = 7 А; P: Vgs = -10 В, Id = -6 А) | 21 / 34 мОм |
| Vgs(th) | 1–2.5 / -1…-2.5 В |
| Qg | 16 / 21 нКл |
| Pd (Ta 25 °C) | 2 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
P2103NVG – два польові транзистори в одному корпусі SOP-8: N-канальний і P-канальний, виробник NIKO-SEM. Напруга стік-витік Vds – 30 В для N-каналу і -30 В для P-каналу. Струм стоку Id при Ta 25 °C – 8 А (N) і -6 А (P); при Ta 70 °C – 6 А (N) і -5 А (P). Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 21 мОм (N, Vgs = 10 В, Id = 7 А) і 34 мОм (P, Vgs = -10 В, Id = -6 А). Порогова напруга Vgs(th) – 1–2.5 В (N) і -1…-2.5 В (P) при Vds = Vgs, Id ±250 мкА. Заряд затвора Qg – 16 нКл (N) і 21 нКл (P), типові значення. Потужність розсіювання – 2 Вт при Ta 25 °C (1.3 Вт при Ta 70 °C), температура переходу до 150 °C.
Деталь нова. Щоб підібрати заміну, потрібна комплементарна пара N + P канал у корпусі SO-8 з Vds не нижче 30 В; порівняйте струми та Rds(on) обох каналів і розпіновку за datasheet.
Чим замінити P2103NVG?
Потрібна комплементарна пара N + P канал у корпусі SO-8 з Vds не нижче 30 В. Звіряйте струм і Rds(on) кожного каналу та розпіновку за datasheet.
Що означає (30V,7A,-6A,2W) у назві?
Це напруга 30 В, струми N-каналу і P-каналу та потужність 2 Вт. За даташитом Id при Ta 25 °C – 8 А (N-канал) і -6 А (P-канал).
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Чи це один транзистор?
Ні, у корпусі два транзистори: N-канальний і P-канальний.
Документація виробника: P2103NVG (NIKO-SEM).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема TDA7388 (Заміна для TDA7386 , TB2903HQ , TB2904HQ , TB2906H )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Flexiwatt25 |
| Кількість виводів | 25 |
| Макс. вихідна потужність | 4 × 45 Вт, RL 4 Ом |
| Вихідна потужність на канал | 26 Вт (мін. 22 Вт); VS 14.4 В, f 1 кГц, RL 4 Ом, Tamb 25 °C, THD 10 % |
| Коефіцієнт підсилення | 26 дБ (мін. 25, макс. 27) |
| Робоча напруга живлення | 18 В (макс.) |
| Напруга живлення DC | 28 В (макс.) |
| Розсіювана потужність | 80 Вт при Tcase 70 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.