Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусSO-8

Транзистор SP8K4 , so-8

45,59 ₴

Немає в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Немає в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

SP8K4 – здвоєний N-канальний польовий транзистор у корпусі SO-8 на 30 В, 9,0 А при Ta 25 °C. Нова деталь.

ПараметрЗначення
КорпусSO-8

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, два транзистори в корпусі
Напруга Vds30 В (V(BR)DSS при ID 1 мА, VGS 0 В; Ta 25 °C)
Струм стоку Id9,0 А (безперервний, Ta 25 °C, на керамічній платі)
Опір Rds(on)12 мОм тип., 17 мОм макс. (ID 9,0 А, VGS 10 В; Ta 25 °C)
Опір Rds(on) при VGS 4,5 В16 мОм тип., 23 мОм макс. (ID 9,0 А, VGS 4,5 В)
Порогова напруга Vgs(th)1,0–2,5 В (VDS 10 В, ID 1 мА)
Заряд затвора Qg15 нКл тип., 21 нКл макс. (VDD 15 В, VGS 5 В, ID 9,0 А)
Потужність Pd2 Вт (на керамічній платі, Ta 25 °C)
Макс. температура каналу150 °C
КорпусSO-8
Опис

SP8K4 – здвоєний N-канальний MOSFET виробництва ROHM Semiconductor у корпусі SO-8 (SOP8): два транзистори з однаковими параметрами в одному корпусі. Напруга Vds – 30 В (V(BR)DSS при ID 1 мА, VGS 0 В). Струм стоку Id – 9,0 А безперервний при Ta 25 °C на керамічній платі. Опір Rds(on) – 12 мОм (тип.), 17 мОм (макс.) при ID 9,0 А, VGS 10 В; при VGS 4,5 В – 16 мОм (тип.), 23 мОм (макс.). Порогова напруга Vgs(th) – 1,0–2,5 В при VDS 10 В, ID 1 мА. Заряд затвора Qg – 15 нКл (тип.), 21 нКл (макс.) при VDD 15 В, VGS 5 В, ID 9,0 А. Потужність Pd – 2 Вт на керамічній платі, максимальна температура каналу – 150 °C. Є вбудований захисний діод затвор–витік і діод між витоком і стоком.

Нова деталь, не демонтаж. Підбираючи заміну, пам'ятайте, що це здвоєна збірка: потрібна така сама схема з двох N-канальних ключів і така сама розпіновка SO-8. Порівняйте Vds, Id, Rds(on) при VGS 10 В і заряд затвора Qg. Запоріжжя, Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Силове перемикання
  • Перетворювачі DC/DC
Часто питають
Чим замінити SP8K4?

Потрібна здвоєна N-канальна збірка в SO-8 з такою самою розпіновкою. Одинарні транзистори в SO-8 не підходять. Перед заміною порівняйте datasheet.

Це нова деталь чи демонтаж?

Нова деталь, не демонтаж.

Скільки транзисторів у SP8K4?

Два N-канальні, з однаковими параметрами, в одному корпусі SO-8.

Який струм витримує SP8K4?

Id 9,0 А безперервний при Ta 25 °C на керамічній платі. На звичайній платі значення залежить від тепловідведення, тому закладайте запас.

Datasheet

Документація виробника: SP8K4 (ROHM Semiconductor).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

SP8K4 (ROHM Semiconductor) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (CoolMOS P7)
Напруга Vds600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max
Струм стоку Id48 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)30 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА)
Заряд затвора Qg67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
Потужність Pd164 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C
Rds(on)6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА
Заряд затвора Qg70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А
Вхідна ємність Ciss4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd130.5 Вт при TC 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5