Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Транзистор STM8309 (30V,7A,-6A,2W) , so-8
47,00 ₴
5000 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STM8309 – здвоєний польовий транзистор N і P каналу в одному корпусі SO-8.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SamHop |
| Тип каналу | N + P (дві окремі секції) |
| Напруга Vds | 30 В (N) / -30 В (P) |
| Струм стоку Id (TJ = 25 °C) | 7 А (N) / -6 А (P) |
| Опір Rds(on) N-канал (VGS = 10 В, ID = 7 А, макс.) | 23 мОм |
| Опір Rds(on) P-канал (VGS = -10 В, ID = -5 А, макс.) | 35 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) N-канал | 1.0–3.0 В |
| Заряд затвора Qg N-канал (тип.) | 11 нКл |
| Заряд затвора Qg P-канал (тип.) | 15 нКл |
| Потужність Pd (TA = 25 °C) | 2.0 Вт |
| Корпус | SO-8 |
STM8309 – здвоєний польовий транзистор SamHop: дві окремі секції, N-канал і P-канал, в одному корпусі SO-8. Напруга Vds – 30 В (N) і -30 В (P) при TA = 25 °C. Струм стоку Id – 7 А (N) і -6 А (P) при TJ = 25 °C. Опір Rds(on) N-каналу – не більше 23 мОм при VGS = 10 В, ID = 7 А (30 мОм при 4.5 В, 5 А). Опір Rds(on) P-каналу – не більше 35 мОм при VGS = -10 В, ID = -5 А (52 мОм при -4.5 В, -4 А). Потужність Pd – 2.0 Вт при TA = 25 °C.
Підбираючи заміну, порівнюйте корпус SO-8, розпіновку, напруги й струми обох секцій в однакових умовах вимірювання. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Здвоєний польовий транзистор N і P каналу в одному корпусі SO-8.
Що це за деталь?
Дві окремі секції в одному корпусі SO-8: N-канал на 30 В, 7 А і P-канал на -30 В, -6 А.
Чим замінити STM8309?
Потрібна деталь у корпусі SO-8 з такою ж розпіновкою та парою N+P. Порівнюйте Vds, Id і Rds(on) кожної секції в однакових умовах. Готових аналогів у каталозі за правилами не підібрано.
Який опір відкритого каналу?
N-канал – не більше 23 мОм при VGS = 10 В, ID = 7 А. P-канал – не більше 35 мОм при VGS = -10 В, ID = -5 А.
Яка порогова напруга N-каналу?
Vgs(th) – 1.0–3.0 В при ID = 250 мкА, VGS = VDS (типово 1.9 В).
Документація виробника: STM8309 (SamHop).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема 25Q32 оригінал( 25Q32JVSIQ , W25Q32JVSIQ , W25Q32JVSSIQ )(заміна для W25Q32BVSSIG , 25Q32BVSIG , W25Q32FVSSIG , 25Q32FVSIG , 25Q32VSIG , W25Q32VSSIG ) , SOIC 208-MIL виробник Winbond
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Winbond |
| Обсяг пам'яті | 32 Mbit (33554432 біт) |
| Напруга живлення | 2.7–3.6 В |
| Частота SPI | 133 МГц |
| Ресурс циклів стирання/запису | 100000 циклів (мінімум, на сектор) |
| Зберігання даних | понад 20 років |
| Струм Power-down | <1 мкА (типове значення) |
| Розмір сектора | 4 КБ |
| Інтерфейс | SPI / Dual SPI / Quad SPI |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 або -40…+105 °C (залежно від виконання) |
| Корпус | SOIC-8 208 mil |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.