Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP9NK50ZFP оригінал , TO-220F
56,40 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STP9NK50ZFP – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics з захистом затвора стабілітроном у ізольованому корпусі TO-220F. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs = 0) |
| Струм Id (25 °C) | 7,2 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 4,5 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 28,8 А |
| Опір Rds(on) | 0,72 Ом тип., 0,85 Ом макс. (Vgs = 10 В, Id = 3,6 А) |
| Потужність Pd | 30 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 910 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Ізоляція Viso | 2500 В (DC) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
STP9NK50ZFP – N-канальний MOSFET серії SuperMESH від STMicroelectronics у ізольованому корпусі TO-220F (TO-220FP). За datasheet напруга Vds становить 500 В (при Vgs = 0), струм стоку Id – 7,2 А при 25 °C і 4,5 А при 100 °C, імпульсний струм Idm – 28,8 А. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0,72 Ом типово і 0,85 Ом максимум при Vgs = 10 В, Id = 3,6 А. Порогова напруга Vgs(th) – від 3 до 4,5 В (типово 3,75 В) при Vds = Vgs, Id = 100 мкА. Вхідна ємність Ciss типово 910 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd – 30 Вт при TC = 25 °C, робоча температура переходу – від -55 до 150 °C. Затвор захищений зустрічними стабілітронами (BVGSO мін. 30 В при Igs = ±1 мА), ESD затвор-витік – 3500 В (HBM, C = 100 пФ, R = 1,5 кОм), ізоляція Viso – 2500 В (DC).
Це оригінал. Підбираючи заміну, порівнюйте канал (потрібен N-канал), Vds не нижче 500 В, струм Id, Rds(on) при тій самій напрузі на затворі, а також корпус і розпіновку.
Де застосовують
- Zener-protected SuperMESH MOSFET: вбудовані зустрічні стабілітрони захищають затвор і підвищують стійкість до ESD
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити STP9NK50ZFP?
Шукайте N-канальний MOSFET з Vds не нижче 500 В у корпусі TO-220F з тією самою розпіновкою, з Rds(on) не гіршим за 0,85 Ом при Vgs = 10 В. Порівнюйте datasheet самостійно.
Чим відрізняються позначення TO-220F і TO-220FP?
У datasheet корпус названо TO-220FP (TO-220F): це один і той самий ізольований корпус.
Що дає захисний стабілітрон у затворі?
Вбудовані зустрічні стабілітрони захищають затвор: BVGSO мін. 30 В при Igs = ±1 мА, ESD затвор-витік – 3500 В (HBM). Це підвищує стійкість до статичного розряду.
Документація виробника: STP9NK50Z - STP9NK50ZFP - STB9NK50Z - STB9NK50Z-1.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.