Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор TK10P60W (n-канал , 600V,10A,0.33R) ,D-PAK(Заміна для TK10P50W )
117,50 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TK10P60W – N-канальний польовий транзистор Toshiba (DTMOS, Super Junction) на 600 В в корпусі DPAK. Може замінити TK10P50W.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (Ta 25 °C) | 9.7 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 4.9 А) | 0.327 Ом тип., 0.43 Ом макс. |
| Поріг Vgs(th) | 2.7–3.7 В |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 80 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Toshiba |
TK10P60W – N-канальний MOSFET виробництва Toshiba у корпусі DPAK, технологія DTMOS (Super Junction). Напруга Vds – 600 В. Струм стоку Id (DC) – 9.7 А при Ta 25 °C. Опір Rds(on) – 0.327 Ом типово, 0.43 Ом максимум при Vgs 10 В, Id 4.9 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2.7–3.7 В при Vds 10 В, Id 0.5 мА. Заряд затвора Qg – 20 нКл типово при Vdd 400 В, Vgs 10 В, Id 9.7 А. Вхідна ємність Ciss типово 700 пФ. Потужність Pd – 80 Вт при Tc 25 °C. Максимальна температура каналу – 150 °C. Вбудований діод є. Виводи: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік.
TK10P60W може замінити TK10P50W; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Для підбору іншої заміни порівнюйте канал (N), Vds, Id, Rds(on) при Vgs 10 В і розпіновку DPAK. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні стабілізатори напруги
Чи може TK10P60W замінити TK10P50W?
Так, TK10P60W може замінити TK10P50W. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чим замінити TK10P60W?
Підійде N-канальний MOSFET у DPAK з Vds не нижче 600 В, Id, якого вистачає для вашої схеми і Rds(on) при Vgs 10 В не гірше за 0.43 Ом. Порівнюйте за datasheet, звертайте увагу на розпіновку.
Яка розпіновка TK10P60W?
Вивід 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік.
Який заряд затвора і що це означає для драйвера?
Qg – 20 нКл типово при Vdd 400 В, Vgs 10 В, Id 9.7 А. Якщо у заміни Qg удвічі більший, перевірте, чи впорається драйвер.
Документація виробника: TK10P60W,RVQ(S (TOSHIBA).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема OB2273MP ( 73xxx , 273xxx , xxx273 ) , sot23-6
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | струмовий ШІМ-контролер для зворотноходових AC/DC перетворювачів |
| Виробник | On-Bright |
| Корпус | SOT23-6 |
| Напруга живлення VDD, макс. | 30 В (абсолютний максимум) |
| Струм старту VDD, макс. | 20 мкА (VDD = UVLO(OFF) – 1 В, TA 25 °C) |
| Робочий струм, макс. | 2,5 мА (VDD 18 В, VFB 3 В, TA 25 °C) |
| Частота перемикання | 65 (60–70) кГц (VDD 18 В, FB 3 В, TA 25 °C) |
| Частота розмивання | 32 Гц |
| Час гасіння на вході датчика струму | 220 нс |
| Тепловий опір перехід–середовище | 200 °C/Вт |
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.