Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK
СтанОригінал

Транзистор 3N0406 ( IPB80N04S3-06 ) оригінал, TO263

200,22 ₴

7 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

На канікулах до 20.11

Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

3N0406 (IPB80N04S3-06) – N-канальний польовий транзистор Infineon OptiMOS-T в корпусі TO263. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vds40 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)80 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В; обмежено виводами)
Струм стоку Id (100 °C)71 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В)
Опір Rds(on)4,3 мОм (тип.), 5,4 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 80 А, версія SMD
Порогова напруга Vgs(th)2,1–4,0 В (тип. 3,0 В) при VDS = VGS, ID = 52 мкА
Заряд затвора Qg36 нКл (тип.), 47 нКл (макс.) при VDD = 32 В, ID = 80 А, VGS = 0…10 В
Вхідна ємність Ciss2500 пФ
Потужність Ptot100 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу175 °C
Час зворотного відновлення діода trr34 нс (тип.) при VR = 20 В, IF = IS, diF/dt = 100 А/мкс
Тип каналуN, режим збагачення
КорпусD2PAK
ВиробникInfineon
СтанОригінал
Опис

3N0406 (IPB80N04S3-06) – N-канальний MOSFET Infineon серії OptiMOS-T у корпусі PG-TO263-3-2 (D2PAK), AEC-Q101. За даташитом Vds складає 40 В (мін.) при VGS = 0 В, ID = 1 мА. Струм стоку Id – 80 А при TC = 25 °C, VGS = 10 В (обмежено виводами, кристал тягне до 100 А) і 71 А при TC = 100 °C. Опір Rds(on) – 4,3 мОм (тип.) і 5,4 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 80 А, версія SMD. Порогова напруга Vgs(th) – 2,1–4,0 В (тип. 3,0 В) при VDS = VGS, ID = 52 мкА. Заряд затвора Qg – 36 нКл (тип.) і 47 нКл (макс.) при VDD = 32 В, ID = 80 А. Вхідна ємність Ciss типово 2500 пФ. Потужність Ptot – 100 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.

Оригінал, не демонтаж. Для заміни порівняйте канал (N), Vds, Id, Rds(on) при VGS = 10 В і корпус TO263. Прямі заміни за даними виробника – IPI80N04S3-06 та IPP80N04S3-06, але це версії в інших корпусах. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта.

Де застосовують

  • Автомобільний (AEC-Q101) N-канальний OptiMOS-T транзистор 40 В
Часто питають
Чим замінити 3N0406?

3N0406 – це маркування IPB80N04S3-06. За даними виробника, є версії IPI80N04S3-06 та IPP80N04S3-06 тієї ж серії, але в інших корпусах, тому для TO263 вони не підходять. Для TO263 шукайте N-канальний MOSFET з Vds не нижче 40 В, потрібним Id і Rds(on) не гіршим при VGS = 10 В.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Що означає маркування 3N0406 на корпусі?

За даташитом, на корпусі PG-TO263-3-2 деталь IPB80N04S3-06 маркується 3N0406.

Чому Id 80 А, якщо кристал тягне більше?

Даташит вказує 80 А при TC = 25 °C, VGS = 10 В: цей струм обмежено виводами, кристал тягне до 100 А.

Datasheet

Документація виробника: IPB80N04S3-06 (Infineon).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IPB80N04S3-06 (Infineon) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

345,92 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В
Струм Id21 А (при 25 °C, макс.)
Імпульсний струм Id63 А (макс.)
Опір Rds(on)190 мОм (Vgs 10 В, макс.)
Заряд затвору Qg95 нКл (тип., Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.1–3.9 В
Потужність Ptot208 Вт (макс.)
Rth(j-c)0.6 К/Вт (макс.)
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5