Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA28N50C ( FQA28N50 ) оригінал (заміна для STW28NM50N )(28A,500V) , TO247
125,02 ₴
35 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
35 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FQA28N50C (FQA28N50) – N-канальний польовий транзистор Fairchild Semiconductor у корпусі TO-247, оригінал. Може замінити STW28NM50N.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (QFET) |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id | 28,4 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 18 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,126 Ом тип., 0,16 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 14,2 А) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл тип., 140 нКл макс. (Vds 400 В, Id 28,4 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 310 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| trr діода | 440 нс (Vgs 0 В, Is 28,4 А, dIf/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
FQA28N50C (FQA28N50) – N-канальний MOSFET Fairchild Semiconductor, технологія QFET, корпус TO-247, оригінал. Параметри за даташитом FQA28N50. Напруга Vds – 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА). Струм стоку Id – 28,4 А при Tc 25 °C і 18 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0,126 Ом типово і 0,16 Ом максимум при Vgs 10 В, Id 14,2 А. Заряд затвора Qg – 110 нКл типово, 140 нКл максимум при Vds 400 В, Id 28,4 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 4300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 310 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Час зворотного відновлення діода trr – 440 нс при Vgs 0 В, Is 28,4 А, dIf/dt 100 А/мкс.
Це нова деталь, не демонтаж. FQA28N50C може замінити STW28NM50N, як вказано в назві товару; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. За даними виробника прямі заміни – FQA28N50F та STW28NM50N. Відправка по Україні Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
- Електронні баласти ламп на напівмостовій схемі
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IXFH30N50P | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 30 ≥ 0.8×28.4=22.7, Rds(on) Vgs 10 В max 0.2 ≤ 1.3×0.16=0.208, корпус TO-247 = TO-247 | Демонтаж; порівняйте заряд затвора і Vgs(th) за datasheet, щоб драйвер затвора підійшов. | Купити |
| 60R060P7 | канал N = N, Vds 600 ≥ 500, Id(25 °C) 48 ≥ 0.8×28.4=22.7, Rds(on) Vgs 10 В max 0.06 ≤ 1.3×0.16=0.208, корпус TO-247 = TO-247 | Демонтаж; заряд затвора перевірте за datasheet. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити FQA28N50C?
За даними виробника прямі заміни – FQA28N50F та STW28NM50N. З нашого каталогу за правилами підбору підходять IXFH30N50P та 60R060P7 (у TO-247). Заряд затвора і Vgs(th) порівнюйте за datasheet.
Чи можна FQA28N50C поставити замість STW28NM50N?
Так, у назві товару вказано, що FQA28N50C може замінити STW28NM50N. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Який струм витримує FQA28N50C?
Id 28,4 А при Tc 25 °C і 18 А при Tc 100 °C. Це значення з даташиту при вказаній температурі корпусу, а не робочий струм схеми без радіатора.
Документація виробника: FQA28N50 (Fairchild Semiconductor).
Параметри взято з документа на FQA28N50 (псевдонім із назви); номер FQA28N50C у документі не згадано, корпус узято з назви товару (у документі TO-3PN).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.