Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA28N50C оригінал (заміна для FQA28N50 , FQA28N50F , FDA28N50 ) , TO-3P
235,00 ₴
24 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FQA28N50C – польовий транзистор (MOSFET) з N-каналом у корпусі TO-3P, оригінал. Може замінити FQA28N50, FQA28N50F і FDA28N50.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 28.4 А |
| Струм Id (100 °C) | 18 А |
| Rds(on) | 126 мОм типово (VGS = 10 В, ID = 14,2 А), макс. 160 мОм |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 4300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність Pd | 310 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
FQA28N50C – польовий транзистор (MOSFET) з N-каналом у корпусі TO-3P. Цифри нижче – за даташитом найближчої деталі FQA28N50F (onsemi). Напруга Vds – 500 В при VGS = 0, ID = 250 мкА. Струм стоку Id – 28.4 А при TC = 25 °C і 18 А при TC = 100 °C. Опір Rds(on) – 126 мОм типово при VGS = 10 В, ID = 14,2 А (макс. 160 мОм). Заряд затвора Qg – 110 нКл типово при VDS = 400 В, ID = 28,4 А, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 4300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 310 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Стан товару – оригінал. FQA28N50C може замінити FQA28N50, FQA28N50F і FDA28N50; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Під час підбору порівнюйте тип каналу, Vds, Id, Rds(on) і корпус. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення з високим ККД.
- Топології, де використовується діод транзистора (фазозсувний ZVS, повний міст).
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити FQA28N50C?
Підбирайте за каналом, Vds, Id, Rds(on) і корпусом TO-3P, звіряючи datasheet. Схожу за назвою деталь без порівняння параметрів брати не варто.
Що може замінити FQA28N50C?
FQA28N50C може замінити FQA28N50, FQA28N50F і FDA28N50. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
З якого документа взято параметри?
З даташиту найближчої деталі FQA28N50F (onsemi), тому точний збіг усіх значень для FQA28N50C не обіцяємо.
Найближчий datasheet: FQA28N50F (onsemi).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.