Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP85NF55L ( P85NF55L , 85NF55 ) оригінал, TO220
188,00 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STP85NF55L (маркування P85NF55L, також 85NF55) – польовий транзистор (MOSFET) з N-каналом STMicroelectronics у корпусі TO-220, оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0) |
| Струм Id (25 °C) | 80 А (обмеження корпусом) |
| Струм Id (100 °C) | 80 А (обмеження корпусом) |
| Rds(on) | 6.0 мОм типово (VGS = 10 В, ID = 40 А), макс. 8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл типово (VGS = 5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.6 В типово |
| Потужність Pd | 300 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
STP85NF55L – польовий транзистор (MOSFET) з N-каналом виробництва STMicroelectronics у корпусі TO-220; на корпусі маркування P85NF55L. Напруга Vds – 55 В при VGS = 0. Струм стоку Id – 80 А при TC = 25 °C і 80 А при TC = 100 °C (обмеження корпусом). Опір Rds(on) – 6.0 мОм типово при VGS = 10 В, ID = 40 А (макс. 8 мОм); при VGS = 5 В типово 8 мОм, макс. 10 мОм. Порогова напруга Vgs(th) – 1.6 В типово при VDS = VGS, ID = 250 мкА (діапазон 1–2,5 В). Заряд затвора Qg – 80 нКл типово при VDD = 27,5 В, ID = 80 А, VGS = 5 В. Вхідна ємність Ciss типово 4050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 300 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.
Стан товару – оригінал. Для заміни порівнюйте тип каналу, Vds, Id, Rds(on) при тій самій напрузі на затворі та корпус TO-220. Прямі заміни за даними виробника – STB85NF55L і STB85NF55LT4. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Комутаційні схеми (switching applications).
- Низька порогова напруга керування затвором.
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| FIR60N06P | канал N = N, Vds 60 ≥ 55, Id(25 °C) 80 ≥ 0.8×80 = 64, Rds(on) Vgs 10 В тип. 6.2 ≤ 1.3×6 = 7.8 мОм, корпус TO-220 | звірте Vgs і Qg за datasheet | Купити |
| TTP95N68A | канал N = N, Vds 68 ≥ 55, Id(25 °C) 95 ≥ 64, Rds(on) Vgs 10 В тип. 6.5 ≤ 7.8 мОм, корпус TO-220 | звірте Vgs і Qg за datasheet | Купити |
| S60N12R | канал N = N, Vds 60 ≥ 55, Id(25 °C) 120 ≥ 64, Rds(on) Vgs 10 В тип. 4.5 ≤ 7.8 мОм, корпус TO-220 | звірте Vgs і Qg за datasheet | Купити |
| FHP120N08 | канал N = N, Vds 80 ≥ 55, Id(25 °C) 120 ≥ 64, Rds(on) Vgs 10 В тип. 6 ≤ 7.8 мОм, корпус TO-220 | звірте Vgs і Qg за datasheet | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити STP85NF55L?
З нашого каталогу в таблиці аналогів – N-канальні транзистори в корпусі TO-220 з не гіршими Vds, Id і Rds(on) при VGS = 10 В. Прямі заміни за даними виробника – STB85NF55L і STB85NF55LT4.
Чи керується STP85NF55L низькою напругою на затворі?
Rds(on) наведено для VGS = 10 В (6.0 мОм типово) і для VGS = 5 В (8 мОм типово); порогова напруга Vgs(th) – 1.6 В типово.
Чому струм 80 А однаковий при 25 °C і 100 °C?
У даташиті для обох температур вказано обмеження корпусом, тому значення 80 А збігається.
Документація виробника: STP85NF55L (STMicroelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.