Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVG095R0NT ( 095R0NT , SVG095RONT , 095RONT ) оригінал, TO220
164,50 ₴
56 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SVG095R0NT – N-канальний польовий транзистор Hangzhou Silan Microelectronics у корпусі TO220, оригінал. Для імпульсних блоків живлення та інверторів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, режим збагачення |
| Напруга Vds | 90 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id | 120 А (Tc 25 °C, обмеження корпусом), 100 А (Tc 100 °C, по кристалу) |
| Rds(on) | 4,4 мОм тип., макс. 5,0 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Qg | 85 нКл тип. (Vdd 40 В, Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5226 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
SVG095R0NT – N-канальний MOSFET (режим збагачення, технологія LVMOS) виробництва Hangzhou Silan Microelectronics у корпусі TO-220-3L, маркування 095R0NT. Напруга стік–витік Vds – 90 В при Ta 25 °C. Струм стоку Id – 120 А при Tc 25 °C (обмеження корпусом, по кристалу 147 А) і 100 А при Tc 100 °C по кристалу. Опір відкритого каналу Rds(on) – 4,4 мОм (тип.) при Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C; максимум 5,0 мОм. Вхідна ємність Ciss типово 5226 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 200 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Вибираючи заміну, порівнюйте канал (N), Vds, Id при Tc 100 °C, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус TO-220. Заряд затвора Qg – 85 нКл (тип., Vdd 40 В, Vgs 10 В, Id 50 А): якщо в заміни він удвічі більший, перевірте драйвер. Версія SVG095R0NS цієї серії – у корпусі TO-263-2L, це інший корпус.
Де застосовують
- Імпульсні джерела безперебійного живлення та інверторні системи керування живленням (за документом)
Чим замінити SVG095R0NT?
У нашому каталозі зараз немає підтверджених аналогів. Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 90 В, порівнюючи Id при Tc 100 °C, Rds(on) при Vgs 10 В і datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чому в SVG095R0NT два значення Id при 25 °C?
120 А – обмеження корпусом, 147 А – по кристалу. Для розрахунку теплового режиму орієнтуйтесь на менше значення.
Як перевірити транзистор?
Випаяйте деталь і в режимі перевірки діодів перевірте вбудований діод між стоком і витоком. Затвор ізольований від інших виводів.
Документація виробника: SVG095R0NT (Hangzhou Silan Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.