Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK100E10N1 ( K100E10N1 ) оригінал , TO220
108,10 ₴
94 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
94 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TK100E10N1 (K100E10N1) – N-канальний MOSFET Toshiba на напругу стік-витік 100 В у корпусі TO-220. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | MOSFET, N-канал, U-MOS-H |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм Id (обмеження корпусом) | 100 А |
| Струм Id (обмеження кристалом) | 207 А |
| Rds(on) тип. | 2,8 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Rds(on) макс. | 3,4 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1,0 мА) |
| Qg | 140 нКл (Vdd ≈ 80 В, Vgs 10 В, Id 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8800 пФ |
| Pd | 255 Вт (Tc = 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
TK100E10N1 (у назві товару є також написання K100E10N1) – N-канальний MOSFET Toshiba серії U-MOS-H, працює в режимі збагачення, корпус TO-220. Оригінал, не демонтаж. За datasheet: напруга стік-витік Vdss 100 В, опір відкритого каналу Rds(on) 2,8 мОм типово і 3,4 мОм максимум при Vgs 10 В, Id 50 А. Струм стоку 100 А обмежений корпусом, кристал витримує 207 А. Повний заряд затвора Qg 140 нКл при Vdd ≈ 80 В, Vgs 10 В, Id 100 А. Вхідна ємність Ciss типово 8800 пФ. Розсіювана потужність Pd 255 Вт при температурі корпусу Tc = 25 °C. Виводи: 1 затвор, 2 стік (радіатор), 3 витік.
Підбираючи заміну, порівнюйте з оригіналом тип каналу, Vdss, струм стоку, Rds(on) при Vgs 10 В і заряд затвора Qg: якщо він удвічі більший, перевірте драйвер. За даними виробника, прямі заміни – TK3R9E10PL і TK2R9E10PL. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою: відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Switching Voltage Regulators (імпульсні регулятори напруги)
Чим замінити TK100E10N1?
За даними виробника, прямі заміни – TK3R9E10PL і TK2R9E10PL. Перед заміною порівняйте Vdss, струм стоку, Rds(on) при Vgs 10 В і Qg за datasheet.
Який струм витримує TK100E10N1?
Обмеження корпусом – 100 А, обмеження кристалом – 207 А. Для реальної схеми орієнтуйтесь на струм, обмежений корпусом.
Яка напруга відкриття затвора?
Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В при Vds 10 В, Id 1,0 мА. Повне відкриття каналу дано при Vgs 10 В.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Документація виробника: TK100E10N1, MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H), Rev.6.0.A.
Параметри наведено за datasheet виробника Toshiba (TK100E10N1, Rev. 6.0.A).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.