Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Транзистор SP8K4 , so-8
45,59 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SP8K4 – здвоєний N-канальний польовий транзистор у корпусі SO-8 на 30 В, 9,0 А при Ta 25 °C. Нова деталь.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, два транзистори в корпусі |
| Напруга Vds | 30 В (V(BR)DSS при ID 1 мА, VGS 0 В; Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 9,0 А (безперервний, Ta 25 °C, на керамічній платі) |
| Опір Rds(on) | 12 мОм тип., 17 мОм макс. (ID 9,0 А, VGS 10 В; Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) при VGS 4,5 В | 16 мОм тип., 23 мОм макс. (ID 9,0 А, VGS 4,5 В) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–2,5 В (VDS 10 В, ID 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 15 нКл тип., 21 нКл макс. (VDD 15 В, VGS 5 В, ID 9,0 А) |
| Потужність Pd | 2 Вт (на керамічній платі, Ta 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
SP8K4 – здвоєний N-канальний MOSFET виробництва ROHM Semiconductor у корпусі SO-8 (SOP8): два транзистори з однаковими параметрами в одному корпусі. Напруга Vds – 30 В (V(BR)DSS при ID 1 мА, VGS 0 В). Струм стоку Id – 9,0 А безперервний при Ta 25 °C на керамічній платі. Опір Rds(on) – 12 мОм (тип.), 17 мОм (макс.) при ID 9,0 А, VGS 10 В; при VGS 4,5 В – 16 мОм (тип.), 23 мОм (макс.). Порогова напруга Vgs(th) – 1,0–2,5 В при VDS 10 В, ID 1 мА. Заряд затвора Qg – 15 нКл (тип.), 21 нКл (макс.) при VDD 15 В, VGS 5 В, ID 9,0 А. Потужність Pd – 2 Вт на керамічній платі, максимальна температура каналу – 150 °C. Є вбудований захисний діод затвор–витік і діод між витоком і стоком.
Нова деталь, не демонтаж. Підбираючи заміну, пам'ятайте, що це здвоєна збірка: потрібна така сама схема з двох N-канальних ключів і така сама розпіновка SO-8. Порівняйте Vds, Id, Rds(on) при VGS 10 В і заряд затвора Qg. Запоріжжя, Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Силове перемикання
- Перетворювачі DC/DC
Чим замінити SP8K4?
Потрібна здвоєна N-канальна збірка в SO-8 з такою самою розпіновкою. Одинарні транзистори в SO-8 не підходять. Перед заміною порівняйте datasheet.
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Скільки транзисторів у SP8K4?
Два N-канальні, з однаковими параметрами, в одному корпусі SO-8.
Який струм витримує SP8K4?
Id 9,0 А безперервний при Ta 25 °C на керамічній платі. На звичайній платі значення залежить від тепловідведення, тому закладайте запас.
Документація виробника: SP8K4 (ROHM Semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.