Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусSO-8
СтанОригінал

Мікросхема TND315 ( TND315S ) оригінал , smd 8pin

180,48 ₴

10 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

На канікулах до 20.11

Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

TND315 (TND315S) – мікросхема onsemi, здвоєний буферний драйвер для затворів MOSFET, оригінал. Корпус SOIC8.

ПараметрЗначення
КорпусSO-8

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
КорпусSO-8
Напруга живлення4,5–25 В (TA 25 °C)
Піковий вихідний струм1 А (на канал)
Час наростання30 нс (CL 1000 пФ, VDD 18 В, VIN 5 В, TA 25 °C, типове)
Час спаду30 нс (CL 1000 пФ, VDD 18 В, VIN 5 В, TA 25 °C, типове)
Вхідна напруга логічної 12,6 В (VDD 4,5–25 В)
Макс. температура переходу150 °C
Робоча температура-40…+125 °C
СтанОригінал
Опис

TND315 (TND315S) – здвоєний буферний драйвер загального призначення виробництва onsemi, монолітна високовольтна КМОН-технологія. Оригінал, не демонтаж. Корпус SOIC8, 8 виводів, маркування TND 315.

За документом TND315S, Ordering number ENA0421A, робоча напруга живлення – 4,5–25 В при TA 25 °C. Піковий вихідний струм – 1 А на канал. Час наростання і час спаду – по 30 нс типово (максимум 45 нс) при CL 1000 пФ, VDD 18 В, VIN 5 В, TA 25 °C. Вхідна напруга логічної 1 – 2,6 В при VDD 4,5–25 В, вхід сумісний з TTL і КМОН. Максимальна температура переходу – 150 °C, робоча температура -40…+125 °C.

Підбираючи заміну, звіряйте номер на платі повністю та порівнюйте документацію на обидві мікросхеми самостійно. Відправляємо Новою поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • драйвер для керування затворами силових ключів
  • буфер загального призначення
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Для чого потрібна TND315?

Це здвоєний буферний драйвер: він керує затворами силових ключів і працює як буфер загального призначення.

Чим замінити TND315?

Перевірених аналогів у нашому каталозі немає. Підбирайте заміну за повним збігом номера та порівнюйте документацію на обидві мікросхеми самостійно.

Чи сумісний вхід з логікою TTL і КМОН?

Так, за документом вхід сумісний з TTL і КМОН, логічна 1 – від 2,6 В при VDD 4,5–25 В.

Datasheet

Документація виробника: TND315S (onsemi).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

TND315S (onsemi) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

IGBT-транзистор RJP30H1 , D-PAK оригінал

В наявності

216,20 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникRenesas
СеріяG6H-II
КорпусTO-252 (D-PAK)
Напруга колектор-емітер Vces360 В
Струм колектора Ic30 А
Піковий струм колектора200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %)
Потужність розсіювання Pc40 Вт (Tc = 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)1.5 В тип., 2 В макс. (Ic = 30 А, VGE = 15 В)
Заряд затвора Qg23 нКл тип. (VGE = 15 В, VCE = 150 В, Ic = 30 А)
Вхідна ємність Cies740 пФ тип. (VCE = 25 В, VGE = 0, f = 1 МГц)
СтанОригінал

Оптрон TLP155E ( P155E ) , 5pin

В наявності

58,75 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникToshiba
Тип виходуIC-драйвер, двотактний (push-pull)
КорпусSO6 (5 виводів), 3,7×7,0×2,1 мм
Напруга живлення VCC10–30 В (рекомендовані умови)
Напруга ізоляції3750 В (RMS, мін.)
Піковий вихідний струм±0,6 А (гранично допустимий)
Пороговий вхідний струм IFLH7,5 мА макс. (VCC = 15 В, VO > 1 В)
Затримка tpLH / tpHL200 нс макс. (VCC = 20 В, Rg = 30 Ом, Cg = 1 нФ, f = 250 кГц)
Робочий діапазон температурвід −40 до +100 °C

Схожі товари

Мікросхема 24C08 ( AT24C08 , ST24C08W6 ) , DIP8

В наявності

19,74 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Обсяг пам'яті8K (8192 біт)
Організація1024 x 8
ІнтерфейсI2C (двопровідний)
Напруга живлення2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В)
Частота SCL100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В)
Розмір сторінки запису16 байт
Час циклу запису (макс.)5 мс
Циклів запису1 000 000
Зберігання даних100 років
Робоча температура-55…+125 °C
КорпусDIP8

Мікросхема ACT108W-600E ( 108W6E ) оригінал, sot223

В наявності

75,20 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникWeEn Semiconductors
Vdrm600 В (max)
IT(RMS)0,8 А (повна синусоїда, Tsp ≤ 112 °C)
ITSM8,8 А (Tj(init) = 25 °C, tp = 16,7 мс)
IGT1–10 мА (VD = 12 В, IT = 100 мА, Tj = 25 °C)
dV/dt1000 В/мкс (min, VDM = 402 В, Tj = 125 °C)
Макс. температура переходу125 °C
КорпусSOT-223
СтанОригінал

Мікросхема NSI6602AD оригінал ( NSI6602A-DSWR , NSI66 02AD , NS16602AD , NS166 02AD ), sow16

В наявності

160,27 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникNOVOSENSE
КорпусSOIC-16 (wide body)
Ізоляція5700 В (RMS), 1 хв, UL1577
Піковий струм (джерело)4 А на кожен вихід
Піковий струм (стік)6 А на кожен вихід
Живлення VDDI3–5,5 В
Живлення VDDA/VDDB7–25 В
Затримка поширення25 нс (тип.)
CMTI150 кВ/мкс (тип.)
Робоча температура-40…125 °C
СтанОригінал

Мікросхема OB2283MP ( OB2283 , 83xxx , 283xxx , xxx283 ) , sot23-6

В наявності

47,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникOn-Bright
Напруга живлення VCC12–28 В
Поріг старту21 В
Частота перетворення65 кГц
Макс. коефіцієнт заповнення78 %
Поріг обмеження струму CS0,45 В
Обмеження виходу Gate12 В
КорпусSOT23-6

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5