Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RUH1H150R оригінал (заміна для RU1H150R ), TO220
250,04 ₴
102 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
102 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
RUH1H150R – N-канальний польовий транзистор Shenzhen Ruichips Semiconductor, 100 В, корпус TO-220. Оригінал; може замінити RU1H150R.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shenzhen Ruichips Semiconductor |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 150 А (TC=25 °C, VGS=10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 106 А (TC=100 °C, VGS=10 В) |
| Rds(on) | 3.2 мОм тип., макс. 4 (VGS=10 В, IDS=75 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, IDS=250 мкА) |
| Qg | 87 нКл тип. (VDS=80 В, VGS=10 В, IDS=75 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Pd | 200 Вт (TC=25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
RUH1H150R – N-канальний MOSFET Shenzhen Ruichips Semiconductor у корпусі TO-220. Напруга стік-витік Vds – 100 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА). Струм стоку Id – 150 А при TC=25 °C і VGS=10 В (обмеження корпусом 75 А), 106 А при TC=100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 3.2 мОм типово (макс. 4) при VGS=10 В, IDS=75 А. Заряд затвора Qg – 87 нКл типово при VDS=80 В, VGS=10 В, IDS=75 А. Вхідна ємність Ciss типово 3650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 200 Вт при TC=25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Вбудований діод: Vsd до 1.2 В при ISD=75 А.
Оригінал, не демонтаж. RUH1H150R може замінити RU1H150R; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Якщо потрібен інший варіант, шукайте N-канал у TO-220 з Vds не нижче 100 В і запасом по струму та Rds(on). Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Приводи двигунів, ДБЖ
- DC/DC перетворювачі та інші універсальні застосування
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 100, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×150=120, Rds(on) Vgs 10 В typ 3.5 ≤ 1.3×3.2=4.16 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Qg порівняйте за datasheet, при потребі перевірте драйвер. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити RUH1H150R?
З нашого складу в таблиці аналогів є G042N10: його параметри ми порівняли за правилом. Драйвер і схему перевіряйте самостійно.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи можна поставити RUH1H150R замість RU1H150R?
RUH1H150R може замінити RU1H150R. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Який струм реально витримує корпус?
Id 150 А вказано при TC=25 °C, але корпус обмежує струм до 75 А.
Документація виробника: RUH1H150R (Shenzhen ruichips Semicon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема SLM341 ( SLM341CK-DG ) оригінал, so-6
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ізольований драйвер затвора IGBT/MOSFET |
| Виробник | Sillumin |
| Корпус | SO-6 (розтягнутий) |
| Вихідний струм (джерело/приймач) | 3,0 А / 3,0 А (пік) |
| Напруга ізоляції | 5000 В (діюче) |
| Напруга живлення затвора | 14…40 В |
| Затримка поширення | 140 нс (макс.) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (мін.) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.