Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF7N60F оригінал (заміна для FQPF7N60C , FDPF7N60NZ , HM7N60F , SSS7N60A , FQF7N60C ) , TO220F
56,40 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SVF7N60F оригінал – N-канальний польовий транзистор Silan на 600 В у корпусі TO-220F. Використовують у джерелах живлення та мостових драйверах двигунів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (TC 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 7,0 А |
| Струм Id (100 °C) | 4,0 А |
| Rds(on) | 0,96 Ом типово (Vgs 10 В, Id 3,5 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Pd | 45 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 770 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
SVF7N60F – N-канальний MOSFET виробництва Hangzhou Silan Microelectronics у корпусі TO-220F (TO-220F-3L). Напруга стік–витік Vds – 600 В при TC 25 °C. Струм стоку Id – 7,0 А при TC 25 °C і 4,0 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 0,96 Ом при Vgs 10 В і Id 3,5 А, максимум 1,2 Ом. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В при Id 250 мкА. Вхідна ємність Ciss типово 770 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 45 Вт при TC 25 °C. Вбудований діод є: Vsd максимум 1,4 В при Is 7,0 А, trr 482 нс.
Стан: оригінал, не демонтаж. За назвою товару SVF7N60F може замінити FQPF7N60C, FDPF7N60NZ, HM7N60F, SSS7N60A, FQF7N60C; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Під час підбору дивіться на тип каналу, корпус TO-220F з тією самою розпіновкою, Vds, Id та Rds(on) за однакових умов вимірювання. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Джерела живлення AC-DC, DC-DC перетворювачі
- Мостові PWM-драйвери двигунів (H-bridge)
Чим замінити SVF7N60F?
Потрібен N-канальний транзистор у корпусі TO-220F з тією самою розпіновкою, Vds не нижче 600 В і близькими Id та Rds(on). Порівнюйте за datasheet обох деталей за однакових умов вимірювання.
Які деталі може замінити SVF7N60F?
За назвою товару SVF7N60F може замінити FQPF7N60C, FDPF7N60NZ, HM7N60F, SSS7N60A, FQF7N60C. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує SVF7N60F?
Id – 7,0 А при TC 25 °C і 4,0 А при TC 100 °C. Робочу точку для вашої схеми перевіряйте за datasheet.
Документація виробника: SVF7N60F/S/D Datasheet Rev. 3.2.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор RJP30H2A , D2PAK
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT без зворотного діода |
| Напруга Vces | 360 В |
| Струм колектора Ic | 35 А при Ta 25 °C |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 250 А (PW до 10 мкс, шпаруватість до 1 %) |
| Vce(sat) | 1.4 В типово, 1.9 В макс. при Ic 35 А, Vge 15 В, Tj 25 °C |
| Vge(off) | 2.5–5 В при Vce 10 В, Ic 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл при Vge 15 В, Vce 150 В, Ic 35 А |
| Вхідна ємність Cies | 1200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 180 нс |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
IGBT-транзистор RJP30H2A оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 360 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Струм Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 250 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Потужність Pc | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,4 В тип., 1,9 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В) |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SUM45N25 оригінал (250V,45A), D2PAK
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 250 В (Vgs 0, Id 250 мкА) |
| Струм Id | 45 А (Vgs 10 В; при Vgs 6 В – 43 А) |
| Опір Rds(on) | 0.047 Ом (тип.), 0.058 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл (тип.), 140 нКл (макс.) при Vds 125 В, Vgs 10 В, Id 45 А |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Vishay |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.