Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SUM45N25 оригінал (250V,45A), D2PAK
60,16 ₴
31 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SUM45N25 – оригінальний N-канальний польовий транзистор (MOSFET) Vishay на 250 В і 45 А у корпусі D2PAK. Підходить для первинних ключів джерел живлення.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 250 В (Vgs 0, Id 250 мкА) |
| Струм Id | 45 А (Vgs 10 В; при Vgs 6 В – 43 А) |
| Опір Rds(on) | 0.047 Ом (тип.), 0.058 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл (тип.), 140 нКл (макс.) при Vds 125 В, Vgs 10 В, Id 45 А |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Vishay |
| Стан | Оригінал |
SUM45N25 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) Vishay у корпусі TO-263 (D2PAK). Напруга Vds – 250 В при Vgs 0, Id 250 мкА. Струм Id – 45 А при Vgs 10 В (за Product Summary; при Vgs 6 В – 43 А). Опір Rds(on) – 0.047 Ом (тип.) і 0.058 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А. Заряд затвора Qg – 95 нКл (тип.) і 140 нКл (макс.) при Vds 125 В, Vgs 10 В, Id 45 А. Вхідна ємність Ciss типово 5000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Поріг Vgs(th) – 2–4 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Tj макс. – 175 °C.
Стан – оригінал, не демонтаж. Якщо шукаєте заміну, дивіться на N-канал, корпус D2PAK, Vds не нижче 250 В, струм Id і Rds(on) при Vgs 10 В. Заряд затвора впливає на вибір драйвера, тому порівнюйте й його.
Де застосовують
- Первинні ключі джерел живлення
- Sustainer-каскад плазмових панелей (PDP)
Чим замінити SUM45N25?
Дивіться на N-канал, корпус D2PAK, Vds не нижче 250 В, Id не менше 45 А і Rds(on) не гірший за 0.058 Ом при Vgs 10 В. Порівнюйте також заряд затвора.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для чого використовують SUM45N25?
Як первинний ключ у джерелах живлення і в sustainer-каскаді плазмових панелей (PDP).
Який струм дає SUM45N25 при нижчій напрузі на затворі?
45 А при Vgs 10 В, при Vgs 6 В – 43 А.
Документація виробника: SUM45N25-58-E3 (VISHAY).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор RJP30H2A оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 360 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Струм Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 250 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Потужність Pc | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,4 В тип., 1,9 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В) |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діод RF2001NS3SW ( RF2001N3D , RF2001NS3D ) оригінал демонтаж, D2PAK (350V,20A)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Корпус | D2PAK |
| Конфігурація | здвоєний, спільний катод |
| Повторювана зворотна напруга VRM | 350 В (Duty 0.5) |
| Зворотна напруга VR (DC) | 300 В |
| Середній прямий струм Io | 20 А (Tc=90 °C, половина Io на діод) |
| Ударний струм IFSM | 100 А (60 Гц, один період, Tj=25 °C) |
| Пряма напруга VF | 1.3 В макс. (IF=10 А, Tj=25 °C, на діод) |
| Час зворотного відновлення trr | 25 нс макс. (IF=0.5 А, IR=1 А, Irr=0.25×IR) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 2 °C/Вт |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF7N60F оригінал (заміна для FQPF7N60C , FDPF7N60NZ , HM7N60F , SSS7N60A , FQF7N60C ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (TC 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 7,0 А |
| Струм Id (100 °C) | 4,0 А |
| Rds(on) | 0,96 Ом типово (Vgs 10 В, Id 3,5 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Pd | 45 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 770 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.